В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > International Rectifier > MOSFET

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



Дискретные P-канальные силовые полевые МОП транзисторы технологии HEXFET® на напряжение -60 В

Типономинал Корпус Схема Polarity VBRdss (V) RDS(on) 10V (mohms) ID @ 25C (A) Id @ 100C (A) QG Typ QGD Typ Rth(JC) Мощность рассеяния (W)
IRF9Z14 TO-220AB DISCRETE P -60 500.0 -6.7 -4.7 8.0 3.4 3.5 43
IRF9Z14S D2-Pak DISCRETE P -60 500.0 -6.7 -4.7 8.0 3.4 3.5 43
IRF9Z24NL TO-262 DISCRETE P -60 175.0 -11 -7.7 12.7 6.7 2.5 60
IRF9Z24S D2-Pak DISCRETE P -60 280.0 -11 -7.7 12.7 7.3 2.5 60
IRF9Z34S D2-Pak DISCRETE P -60 140.0 -18 -13 22.7 10.7 1.7 88
IRFD9014 HEXDIP DISCRETE P -60 500.0 -1.1 -0.8 8.0 3.4 120 1.3
IRFD9024 HEXDIP DISCRETE P -60 280.0 -1.6 -1.1 12.7 7.3 120 1.3
IRFL9014 SOT-223 DISCRETE P -60 500.0 -1.8 -1.1 8.0 3.4 60 2.0
IRFR9014 D-Pak DISCRETE P -60 500.0 -5.1 -3.2 8.0 3.4 5 25
IRFR9024 D-Pak DISCRETE P -60 280.0 -8.8 -5.6 12.7 7.3 3 42
IRFU9014 I-Pak DISCRETE P -60 500.0 -5.1 -3.2 8.0 3.4 5.0 25
IRFU9024 I-Pak DISCRETE P -60 280.0 -8.8 -5.6 12.7 7.3 3.0 42
Polarity - полярность
V(BR)DSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток
RDS(on) (Static Drain-to-Source On-Resistance) - сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком
ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока
QG Typ (Total Gate Charge) - типичный совокупный заряд затвора
QGD Typ (Gate-to-Drain ("Miller") Charge) - типичный заряд затвор-сток (заряд "Миллера")
Rth(JC) (Maximum Thermal Resistance, Junction to Case) - максимальное температурное сопротивление переход-корпус
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы International Rectifier,

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники