В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > International Rectifier > MOSFET

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



Дискретные P-канальные силовые полевые МОП транзисторы технологии HEXFET® на напряжение -55 В

Типономинал Корпус Схема Polarity VBRdss (V) RDS(on) 4.5V (mohms) RDS(on) 10V (mohms) ID @ 25C (A) Id @ 100C (A) QG Typ QGD Typ Rth(JC) Мощность рассеяния (W)
IRF4905 TO-220AB DISCRETE P -55   20.0 -74 -52 120.0 57.3 0.75 200
IRF4905L TO-262 DISCRETE P -55   20.0 -74 -52 120.0 57.3 0.75 200
IRF4905S D2-Pak DISCRETE P -55   20.0 -74 -52 120.0 57.3 0.75 200
IRF5305 TO-220AB DISCRETE P -55   60.0 -31 -22 42.0 19.3 1.4 110
IRF5305L TO-262 DISCRETE P -55   60.0 -31 -22 42.0 19.3 1.4 110
IRF5305S D2-Pak DISCRETE P -55   60.0 -31 -22 42.0 19.3 1.4 110
IRF9Z24N TO-220AB DISCRETE P -55   175.0 -12 -8.5 12.7 6.7 3.3 45
IRF9Z24NS D2-Pak DISCRETE P -55   175.0 -12 -8.5 12.7 6.7 3.3 45
IRF9Z34N TO-220AB DISCRETE P -55   100.0 -17 -12 23.3 10.7 2.7 56
IRF9Z34NL TO-262 DISCRETE P -55   100.0 -19 -14 23.3 10.7 2.2 68
IRF9Z34NS D2-Pak DISCRETE P -55   100.0 19 14 23.3 10.7 2.2 68
IRFR5305 D-Pak DISCRETE P -55   65.0 -28 -18 42.0 19.3 1.4 89
IRFR5505 D-Pak DISCRETE P -55   110.0 -18 -11 21.3 10.0 2.2 57
IRFR9024N D-Pak DISCRETE P -55   175.0 11 8 12.7 6.7 3.3 38
IRFU5305 I-Pak DISCRETE P -55   65.0 -28 -18 42.0 19.3 1.4 89
IRFU5505 I-Pak DISCRETE P -55   110.0 -18 -11 21.3 10.0 2.2 57
IRFU9024N I-Pak DISCRETE P -55   175.0 -11 -8 12.7 6.7 3.3 38
Типономинал Корпус Схема Polarity VBRdss (V) RDS(on) 4.5V (mohms) RDS(on) 10V (mohms) ID @ 25C (A) Id @ 100C (A) QG Typ QGD Typ Rth(JC) Мощность рассеяния (W)
IRLIB9343 TO-220 FullPak (Iso) DISCRETE P -55 170.0 105.0 -14 -10 31.0 8.5 3.84 33
IRLR9343 D-Pak DISCRETE P -55 170.0 105.0 -20 -14 31.0 8.5 1.9 79
IRLU9343 I-Pak DISCRETE P -55 170.0 105.0 -20 -14 31.0 8.5 1.9 79
Polarity - полярность
V(BR)DSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток
RDS(on) (Static Drain-to-Source On-Resistance) - сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком
ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока
QG Typ (Total Gate Charge) - типичный совокупный заряд затвора
QGD Typ (Gate-to-Drain ("Miller") Charge) - типичный заряд затвор-сток (заряд "Миллера")
Rth(JC) (Maximum Thermal Resistance, Junction to Case) - максимальное температурное сопротивление переход-корпус
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы International Rectifier,

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники