Дискретные P-канальные силовые полевые МОП транзисторы технологии HEXFET® на напряжение -40 В
| Типономинал |
Корпус |
Схема |
Polarity |
VBRdss (V) |
RDS(on) 4.5V (mohms) |
RDS(on) 10V (mohms) |
ID @ 25C (A) |
Id @ 100C (A) |
QG Typ |
QGD Typ |
Rth(JC) |
Мощность рассеяния (W) |
 IRF5803 |
TSOP-6 (Micro 6) |
DISCRETE |
P |
-40 |
190.0 |
112.0 |
-3.4 |
-2.7 |
25.0 |
3.5 |
62.5 |
1.3 |
| IRF5804 |
TSOP-6 (Micro 6) |
DISCRETE |
P |
-40 |
334.0 |
198.0 |
-2.5 |
-1.9 |
5.7 |
2.1 |
62.5 |
2.0 |
| IRF7240 |
SO-8 |
DISCRETE |
P |
-40 |
25.0 |
15.0 |
-10.5 |
-8.6 |
73.0 |
17.0 |
50 |
2.5 |
| IRF7241 |
SO-8 |
DISCRETE |
P |
-40 |
70.0 |
41.0 |
-6.2 |
-4.9 |
53.0 |
3.9 |
50 |
2.5 |
| IRF7703 |
TSSOP-8 |
DISCRETE |
P |
-40 |
45.0 |
28.0 |
-6.0 |
-4.7 |
41.0 |
16.0 |
83 |
1.5 |
| IRF7704 |
TSSOP-8 |
DISCRETE |
P |
-40 |
74.0 |
46.0 |
-4.6 |
-3.7 |
25.0 |
9.5 |
83 |
1.5 |
- Polarity - полярность
- V(BR)DSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток
- RDS(on) (Static Drain-to-Source On-Resistance) - сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком
- ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока
- QG Typ (Total Gate Charge) - типичный совокупный заряд затвора
- QGD Typ (Gate-to-Drain ("Miller") Charge) - типичный заряд затвор-сток (заряд "Миллера")
- Rth(JC) (Maximum Thermal Resistance, Junction to Case) - максимальное температурное сопротивление переход-корпус
|
