В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > International Rectifier > MOSFET

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



Дискретные P-канальные силовые полевые МОП транзисторы технологии HEXFET® на напряжение -40 В

Типономинал Корпус Схема Polarity VBRdss (V) RDS(on) 4.5V (mohms) RDS(on) 10V (mohms) ID @ 25C (A) Id @ 100C (A) QG Typ QGD Typ Rth(JC) Мощность рассеяния (W)
IRF5803 TSOP-6 (Micro 6) DISCRETE P -40 190.0 112.0 -3.4 -2.7 25.0 3.5 62.5 1.3
IRF5804 TSOP-6 (Micro 6) DISCRETE P -40 334.0 198.0 -2.5 -1.9 5.7 2.1 62.5 2.0
IRF7240 SO-8 DISCRETE P -40 25.0 15.0 -10.5 -8.6 73.0 17.0 50 2.5
IRF7241 SO-8 DISCRETE P -40 70.0 41.0 -6.2 -4.9 53.0 3.9 50 2.5
IRF7703 TSSOP-8 DISCRETE P -40 45.0 28.0 -6.0 -4.7 41.0 16.0 83 1.5
IRF7704 TSSOP-8 DISCRETE P -40 74.0 46.0 -4.6 -3.7 25.0 9.5 83 1.5
Polarity - полярность
V(BR)DSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток
RDS(on) (Static Drain-to-Source On-Resistance) - сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком
ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока
QG Typ (Total Gate Charge) - типичный совокупный заряд затвора
QGD Typ (Gate-to-Drain ("Miller") Charge) - типичный заряд затвор-сток (заряд "Миллера")
Rth(JC) (Maximum Thermal Resistance, Junction to Case) - максимальное температурное сопротивление переход-корпус
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы International Rectifier,

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники