В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > International Rectifier > MOSFET

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



Дискретные P-канальные силовые полевые МОП транзисторы технологии HEXFET® на напряжение -30 В

Типономинал Корпус Схема Polarity VBRdss (V) RDS(on) 4.5V (mohms) RDS(on) 10V (mohms) ID @ 25C (A) Id @ 100C (A) QG Typ QGD Typ Rth(JC) Мощность рассеяния (W)
IRF5800 TSOP-6 (Micro 6) DISCRETE P -30 150.0 85.0 -4.0 -3.2 11.4 2.2 62.5 2.0
IRF5805 TSOP-6 (Micro 6) DISCRETE P -30 165.0 98.0 -3.8 -3 11.0 1.5 70 2
IRF7205 SO-8 DISCRETE P -30 130.0 70.0 -4.6 -3.7 27.0 7.5 50 2.5
IRF7406 SO-8 DISCRETE P -30 70.0 45.0 -5.8 -3.7 39.3 14.0 50 2.5
IRF7416 SO-8 DISCRETE P -30 35.0 20.0 -10 -7.1 61.0 22.0 50 2.5
IRF7424 SO-8 DISCRETE P -30 22.0 13.5 -11 -9.3 75.0 12.0 50 2.5
IRF7606 Micro 8 DISCRETE P -30 150.0 90.0 -3.6 -2.9 20.0 7.6 70 1.8
IRF7705 TSSOP-8 DISCRETE P -30 30.0 18.0 -8.0 -6 58.0 9.0 83 1.5
IRF7706 TSSOP-8 DISCRETE P -30 36.0 22.0 -7.0 -5.7 48.0 8.4 83 1.51
IRF7726 Micro 8 DISCRETE P -30 40.0 26.0 -7.0 -5.7 46.0 8.1 70 1.79
IRLML5103 Micro 3/ SOT-23 DISCRETE P -30 1000.0 600.0 -0.61 -4.8 3.4 1.1 230 0.54
IRLML5203 Micro 3/ SOT-23 DISCRETE P -30 165.0 98.0 -3.0 -2.4 9.5 1.6 100 1.25
IRLMS5703 TSOP-6 (Micro 6) DISCRETE P -30 400.0 200.0 -2.3 -1.9 7.2 2.3 75 1.7
SI4435DY SO-8 DISCRETE P -30 35.0 20.0 -8.0 -6.4 40.0 8.0 50 2.5
Polarity - полярность
V(BR)DSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток
RDS(on) (Static Drain-to-Source On-Resistance) - сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком
ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока
QG Typ (Total Gate Charge) - типичный совокупный заряд затвора
QGD Typ (Gate-to-Drain ("Miller") Charge) - типичный заряд затвор-сток (заряд "Миллера")
Rth(JC) (Maximum Thermal Resistance, Junction to Case) - максимальное температурное сопротивление переход-корпус
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы International Rectifier,

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники