Дискретные P-канальные силовые полевые МОП транзисторы технологии HEXFET® на напряжение -30 В

Типономинал	Корпус	Схема	Polarity	VBRdss (V)	RDS(on) 4.5V (mohms)	RDS(on) 10V (mohms)	ID @ 25C (A)	Id @ 100C (A)	QG Typ	QGD Typ	Rth(JC)	Мощность рассеяния (W)
IRF5800	TSOP-6 (Micro 6)	DISCRETE	P	-30	150.0	85.0	-4.0	-3.2	11.4	2.2	62.5	2.0
IRF5805	TSOP-6 (Micro 6)	DISCRETE	P	-30	165.0	98.0	-3.8	-3	11.0	1.5	70	2
IRF7205	SO-8	DISCRETE	P	-30	130.0	70.0	-4.6	-3.7	27.0	7.5	50	2.5
IRF7406	SO-8	DISCRETE	P	-30	70.0	45.0	-5.8	-3.7	39.3	14.0	50	2.5
IRF7416	SO-8	DISCRETE	P	-30	35.0	20.0	-10	-7.1	61.0	22.0	50	2.5
IRF7424	SO-8	DISCRETE	P	-30	22.0	13.5	-11	-9.3	75.0	12.0	50	2.5
IRF7606	Micro 8	DISCRETE	P	-30	150.0	90.0	-3.6	-2.9	20.0	7.6	70	1.8
IRF7705	TSSOP-8	DISCRETE	P	-30	30.0	18.0	-8.0	-6	58.0	9.0	83	1.5
IRF7706	TSSOP-8	DISCRETE	P	-30	36.0	22.0	-7.0	-5.7	48.0	8.4	83	1.51
IRF7726	Micro 8	DISCRETE	P	-30	40.0	26.0	-7.0	-5.7	46.0	8.1	70	1.79
IRLML5103	Micro 3/ SOT-23	DISCRETE	P	-30	1000.0	600.0	-0.61	-4.8	3.4	1.1	230	0.54
IRLML5203	Micro 3/ SOT-23	DISCRETE	P	-30	165.0	98.0	-3.0	-2.4	9.5	1.6	100	1.25
IRLMS5703	TSOP-6 (Micro 6)	DISCRETE	P	-30	400.0	200.0	-2.3	-1.9	7.2	2.3	75	1.7
SI4435DY	SO-8	DISCRETE	P	-30	35.0	20.0	-8.0	-6.4	40.0	8.0	50	2.5

Polarity - полярность

V(BR)DSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток

RDS(on) (Static Drain-to-Source On-Resistance) - сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком

ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока

QG Typ (Total Gate Charge) - типичный совокупный заряд затвора

QGD Typ (Gate-to-Drain ("Miller") Charge) - типичный заряд затвор-сток (заряд "Миллера")

Rth(JC) (Maximum Thermal Resistance, Junction to Case) - максимальное температурное сопротивление переход-корпус

---

---

Главная - Микросхемы - DOC - ЖКИ - Источники питания - Электромеханика - Интерфейсы - Программы - Применения - Статьи