В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > International Rectifier > MOSFET

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



Дискретные P-канальные силовые полевые МОП транзисторы технологии HEXFET® на напряжение -200 В

Типономинал Корпус Схема Polarity VBRdss (V) RDS(on) 10V (mohms) ID @ 25C (A) Id @ 100C (A) QG Typ QGD Typ Rth(JC) Мощность рассеяния (W)
IRF9610S D2-Pak DISCRETE P -200 3000.0 -1.8 -1 7.3 2.7 6.4 20
IRF9620S D2-Pak DISCRETE P -200 1500.0 -2.5 -2 14.7 6.7 3.1 40
IRF9630 TO-220AB DISCRETE P -200 800.0 -6.5 -4 19.3 10.0 1.7 74
IRF9630S D2-Pak DISCRETE P -200 800.0 -6.5 -4 19.3 10.0 1.7 74
IRF9640 TO-220AB DISCRETE P -200 500.0 -11 -6.8 29.3 18.0 1.00 125
IRF9640S D2-Pak DISCRETE P -200 500.0 -11 -6.8 29.3 18.0 1.00 125
IRFD9210 HEXDIP DISCRETE P -200 3000.0 -.4 -0.25 5.9 2.6 120 1.3
IRFD9220 HEXDIP DISCRETE P -200 1500.0 -.56 -0.36 10.0 5.6 120 1.3
IRFI9610G TO-220 FullPak (Iso) DISCRETE P -200 3000.0 -2 -1.3 8.7 4.9 4.6 27
IRFI9620G TO-220 FullPak (Iso) DISCRETE P -200 1500.0 -3.0 -1.9 10.0 5.6 4.1 30
IRFI9630G TO-220 FullPak (Iso) DISCRETE P -200 800.0 -4.3 -2.7 19.3 10.0 3.6 40
IRFI9640G TO-220 FullPak (Iso) DISCRETE P -200 500.0 -6.1 -3.9 29.3 18.0 3.1 40
IRFP9240 TO-247AC DISCRETE P -200 500.0 -12 -7.5 29.3 18.0 0.83 150
IRFR9210 D-Pak DISCRETE P -200 3000.0 -1.9 -1.2 5.9 2.6 5 25
IRFR9220 D-Pak DISCRETE P -200 1500.0 -3.6 -2.3 13.3 7.3 3 42
IRFU9210 I-Pak DISCRETE P -200 3000.0 -1.9 -1.2 5.9 2.6 5.0 25
IRFU9220 I-Pak DISCRETE P -200 1500.0 -3.6 -2.3 13.3 7.3 3.0 42
Polarity - полярность
V(BR)DSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток
RDS(on) (Static Drain-to-Source On-Resistance) - сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком
ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока
QG Typ (Total Gate Charge) - типичный совокупный заряд затвора
QGD Typ (Gate-to-Drain ("Miller") Charge) - типичный заряд затвор-сток (заряд "Миллера")
Rth(JC) (Maximum Thermal Resistance, Junction to Case) - максимальное температурное сопротивление переход-корпус
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы International Rectifier,

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники