В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > International Rectifier > MOSFET

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



Дискретные P-канальные силовые полевые МОП транзисторы технологии HEXFET® на напряжение -20 : -25 В

Типономинал Корпус Схема Polarity VBRdss (V) RDS(on) 2.7V (mohms) RDS(on) 4.5V (mohms) RDS(on) 10V (mohms) ID @ 25C (A) Id @ 100C (A) QG Typ QGD Typ Rth(JC) Мощность рассеяния (W)
IRF5806 TSOP-6 (Micro 6) DISCRETE P -20 147.0 86.0   -4.0 -3.3 8.3 2.6 62.5 2.0
IRF6100 4-Lead FlipFET DISCRETE P -20 95.0 65.0   -4.1 -3.3 14.0 5.0 85 1.5
IRF7204 SO-8 DISCRETE P -20   100.0 60.0 -5.3 -4.2 25.0 8.0 50 2.5
IRF7207 SO-8 DISCRETE P -20 100.0 60.0   -5.4 -4.3 15.0 5.7 50 2.5
IRF7404 SO-8 DISCRETE P -20 60.0 40.0   -6.7 -5.4 33.3 14.0 50 2.5
IRF7425 SO-8 DISCRETE P -20 13.0 8.2   -15 -12 87.0 21.0 50 2.5
IRF7604 Micro 8 DISCRETE P -20 130.0 90.0   -3.6 -2.9 13.0 5.6 70 1.8
IRF7663 Micro 8 DISCRETE P -20 40.0 20.0   -8.2 -6.6 30.0 7.0 70 1.8
IRF7707 TSSOP-8 DISCRETE P -20 18.9 14.3   -7.0 -5.7 31.0 10.0 83 1.5
IRL5602S D2-Pak DISCRETE P -20 62.0 42.0   24 -17 29.3 12.7 2.0 75
IRLML6302 Micro 3/ SOT-23 DISCRETE P -20 900.0 600.0   -0.62 -4.8 2.4 1.0 230 0.54
IRLML6402 Micro 3/ SOT-23 DISCRETE P -20 135.0 65.0   -3.7 -2.2 8.0 2.8 100 1.3
IRLMS6702 TSOP-6 (Micro 6) DISCRETE P -20 375.0 200.0   -2.3 -1.9 5.8 2.1 75 1.7
IRLMS6802 TSOP-6 (Micro 6) DISCRETE P -20 100.0 50.0   -5.6 -4.5 11.0 2.9 62.5 2.0
SI3443DV TSOP-6 (Micro 6) DISCRETE P -20 90.0 65.0   -4.4 -3.5 11.0 2.9 62.5 2.0
Polarity - полярность
V(BR)DSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток
RDS(on) (Static Drain-to-Source On-Resistance) - сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком
ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока
QG Typ (Total Gate Charge) - типичный совокупный заряд затвора
QGD Typ (Gate-to-Drain ("Miller") Charge) - типичный заряд затвор-сток (заряд "Миллера")
Rth(JC) (Maximum Thermal Resistance, Junction to Case) - максимальное температурное сопротивление переход-корпус
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы International Rectifier,

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники