Дискретные P-канальные силовые полевые МОП транзисторы технологии HEXFET® на напряжение -150 В
| Типономинал |
Корпус |
Схема |
Polarity |
VBRdss (V) |
RDS(on) 10V (mohms) |
ID @ 25C (A) |
Id @ 100C (A) |
QG Typ |
QGD Typ |
Rth(JC) |
Мощность рассеяния (W) |
 IRF6215 |
TO-220AB |
DISCRETE |
P |
-150 |
290.0 |
-13 |
-9 |
44.0 |
23.3 |
1.4 |
110 |
| IRF6215L |
TO-262 |
DISCRETE |
P |
-150 |
290.0 |
-13 |
-9 |
44.0 |
23.3 |
1.4 |
110 |
| IRF6215S |
D2-Pak |
DISCRETE |
P |
-150 |
290.0 |
-13 |
-9 |
44.0 |
23.3 |
1.4 |
110 |
| IRF6216 |
SO-8 |
DISCRETE |
P |
-150 |
240.0 |
-2.2 |
-1.9 |
33.0 |
15.0 |
20 |
2.5 |
| IRF6217 |
SO-8 |
DISCRETE |
P |
-150 |
2400.0 |
-.7 |
-2.4 |
6.0 |
2.8 |
20 |
2.5 |
| IRF6218 |
TO-220AB |
DISCRETE |
P |
-150 |
150.0 |
-27 |
-19 |
21.0 |
32.0 |
0.61 |
250 |
| IRF6218L |
TO-262 |
DISCRETE |
P |
-150 |
150.0 |
-27 |
-19 |
21.0 |
32.0 |
0.61 |
250 |
| IRF6218S |
D2-Pak |
DISCRETE |
P |
-150 |
150.0 |
-27 |
-19 |
21.0 |
32.0 |
0.61 |
250 |
| IRFR6215 |
D-Pak |
DISCRETE |
P |
-150 |
580.0 |
13 |
9 |
44.0 |
23.3 |
1.4 |
110 |
| IRFU6215 |
I-Pak |
DISCRETE |
P |
-150 |
580.0 |
-13 |
-9 |
44.0 |
23.3 |
1.4 |
110 |
- Polarity - полярность
- V(BR)DSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток
- RDS(on) (Static Drain-to-Source On-Resistance) - сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком
- ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока
- QG Typ (Total Gate Charge) - типичный совокупный заряд затвора
- QGD Typ (Gate-to-Drain ("Miller") Charge) - типичный заряд затвор-сток (заряд "Миллера")
- Rth(JC) (Maximum Thermal Resistance, Junction to Case) - максимальное температурное сопротивление переход-корпус
|
