Дискретные P-канальные силовые полевые МОП транзисторы технологии HEXFET® на напряжение -12 В
| Типономинал |
Корпус |
Схема |
Polarity |
VBRdss (V) |
RDS(on) 2.7V (mohms) |
RDS(on) 4.5V (mohms) |
ID @ 25C (A) |
Id @ 100C (A) |
QG Typ |
QGD Typ |
Rth(JC) |
Мощность рассеяния (W) |
 IRF7210 |
SO-8 |
DISCRETE |
P |
-12 |
10.0 |
7.0 |
-16 |
-12 |
212.0 |
52.0 |
50 |
2.5 |
| IRF7220 |
SO-8 |
DISCRETE |
P |
-12 |
20.0 |
12.0 |
-11 |
-8.8 |
84.0 |
37.0 |
50 |
2.5 |
| IRF7233 |
SO-8 |
DISCRETE |
P |
-12 |
33.0 |
20.0 |
-9.5 |
-6 |
49.0 |
22.0 |
50 |
2.5 |
| IRF7410 |
SO-8 |
DISCRETE |
P |
-12 |
9.0 |
7.0 |
-16 |
-13 |
91.0 |
25.0 |
50 |
2.5 |
| IRF7420 |
SO-8 |
DISCRETE |
P |
-12 |
17.5 |
14.0 |
-11.5 |
-9 |
38.0 |
8.7 |
50 |
2.5 |
| IRF7433 |
SO-8 |
DISCRETE |
P |
-12 |
30.0 |
24.0 |
-8.9 |
-7.1 |
20.0 |
4.0 |
50 |
2.5 |
| IRF7702 |
TSSOP-8 |
DISCRETE |
P |
-12 |
19.0 |
14.0 |
-8.0 |
-7 |
54.0 |
15.0 |
83 |
1.5 |
| IRLML6401 |
Micro 3/ SOT-23 |
DISCRETE |
P |
-12 |
85.0 |
50.0 |
-4.3 |
-3.4 |
10.0 |
2.6 |
100 |
1.3 |
| IRLMS4502 |
TSOP-6 (Micro 6) |
DISCRETE |
P |
-12 |
75.0 |
42.0 |
-5.5 |
-4.4 |
22.0 |
11.0 |
75 |
1.7 |
- Polarity - полярность
- V(BR)DSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток
- RDS(on) (Static Drain-to-Source On-Resistance) - сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком
- ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока
- QG Typ (Total Gate Charge) - типичный совокупный заряд затвора
- QGD Typ (Gate-to-Drain ("Miller") Charge) - типичный заряд затвор-сток (заряд "Миллера")
- Rth(JC) (Maximum Thermal Resistance, Junction to Case) - максимальное температурное сопротивление переход-корпус
|
