В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > International Rectifier > MOSFET

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



Дискретные P-канальные силовые полевые МОП транзисторы технологии HEXFET® на напряжение -12 В

Типономинал Корпус Схема Polarity VBRdss (V) RDS(on) 2.7V (mohms) RDS(on) 4.5V (mohms) ID @ 25C (A) Id @ 100C (A) QG Typ QGD Typ Rth(JC) Мощность рассеяния (W)
IRF7210 SO-8 DISCRETE P -12 10.0 7.0 -16 -12 212.0 52.0 50 2.5
IRF7220 SO-8 DISCRETE P -12 20.0 12.0 -11 -8.8 84.0 37.0 50 2.5
IRF7233 SO-8 DISCRETE P -12 33.0 20.0 -9.5 -6 49.0 22.0 50 2.5
IRF7410 SO-8 DISCRETE P -12 9.0 7.0 -16 -13 91.0 25.0 50 2.5
IRF7420 SO-8 DISCRETE P -12 17.5 14.0 -11.5 -9 38.0 8.7 50 2.5
IRF7433 SO-8 DISCRETE P -12 30.0 24.0 -8.9 -7.1 20.0 4.0 50 2.5
IRF7702 TSSOP-8 DISCRETE P -12 19.0 14.0 -8.0 -7 54.0 15.0 83 1.5
IRLML6401 Micro 3/ SOT-23 DISCRETE P -12 85.0 50.0 -4.3 -3.4 10.0 2.6 100 1.3
IRLMS4502 TSOP-6 (Micro 6) DISCRETE P -12 75.0 42.0 -5.5 -4.4 22.0 11.0 75 1.7
Polarity - полярность
V(BR)DSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток
RDS(on) (Static Drain-to-Source On-Resistance) - сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком
ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока
QG Typ (Total Gate Charge) - типичный совокупный заряд затвора
QGD Typ (Gate-to-Drain ("Miller") Charge) - типичный заряд затвор-сток (заряд "Миллера")
Rth(JC) (Maximum Thermal Resistance, Junction to Case) - максимальное температурное сопротивление переход-корпус
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы International Rectifier,

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники