В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > International Rectifier > MOSFET

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



Дискретные P-канальные силовые полевые МОП транзисторы технологии HEXFET® на напряжение -100 В

Типономинал Корпус Схема Polarity VBRdss (V) RDS(on) 10V (mohms) ID @ 25C (A) Id @ 100C (A) QG Typ QGD Typ Rth(JC) Мощность рассеяния (W)
IRF5210 TO-220AB DISCRETE P -100 60.0 -40 -29 120.0 64.7 0.75 200
IRF5210L TO-262 DISCRETE P -100 60.0 -.40 -0.29 120.0 64.7 0.75 200
IRF5210S D2-Pak DISCRETE P -100 60.0 -.40 -0.29 120.0 64.7 0.75 3.8
IRF9510 TO-220AB DISCRETE P -100 1200.0 -4 -2.8 5.8 2.7 3.5 43
IRF9510S D2-Pak DISCRETE P -100 1200.0 -4 -2.8 5.8 2.7 3.5 43
IRF9520N TO-220AB DISCRETE P -100 480.0 -6.8 -4.8 18.0 10.0 3.1 48
IRF9520NL TO-262 DISCRETE P -100 480.0 -6.8 -4.8 18.0 10.0 3.1 48
IRF9520NS D2-Pak DISCRETE P -100 480.0 -6.8 -4.8 18.0 10.0 3.1 3.8
IRF9530N TO-220AB DISCRETE P -100 200.0 -14 -10 38.7 21.3 1.9 79
IRF9530NL TO-262 DISCRETE P -100 200.0 -14 -10 38.7 21.3 1.9 79
IRF9530NS D2-Pak DISCRETE P -100 200.0 -14 -10 38.7 21.3 1.9 3.8
IRF9540N TO-220AB DISCRETE P -100 117.0 -23 -16 64.7 34.0 1.1 140
IRF9540NL TO-262 DISCRETE P -100 117.0 -23 -16 64.7 34.0 1.1 140
IRF9540NS D2-Pak DISCRETE P -100 117.0 -23 -16 64.7 34.0 1.1 3.8
IRFD9110 HEXDIP DISCRETE P -100 1200.0 -.7 -0.49 5.8 2.7 120 1.3
IRFD9120 HEXDIP DISCRETE P -100 600.0 -1 -0.7 12.0 6.0 120 1.3
IRFI9530G TO-220 FullPak (Iso) DISCRETE P -100 300.0 -7.7 -5.4 25.3 14.0 3.6 38
IRFIP9140 TO-247 DISCRETE P -100   -15          
Типономинал Корпус Схема Polarity VBRdss (V) RDS(on) 10V (mohms) ID @ 25C (A) Id @ 100C (A) QG Typ QGD Typ Rth(JC) Мощность рассеяния (W)
IRFL9110 SOT-223 DISCRETE P -100 1200.0 -1.1 -0.69 5.8 2.7 60 2.0
IRFP9140N TO-247AC DISCRETE P -100 117.0 -21 -15 64.7 34.0 1.3 120
IRFR5410 D-Pak DISCRETE P -100 205.0 13 8.2 38.7 21.3 1.9 66
IRFR9110 D-Pak DISCRETE P -100 1200.0 -3.1 -2 5.8 2.7 5 25
IRFR9120 D-Pak DISCRETE P -100 600.0 -5.6 -3.6 12.0 6.0 3 42
IRFR9120N D-Pak DISCRETE P -100 480.0 -6.5 -4.1 18.0 10.0 3.2 39
IRFU5410 I-Pak DISCRETE P -100 205.0 -13 -8.2 38.7 21.3 1.9 66
IRFU9110 I-Pak DISCRETE P -100 1200.0 -3.1 -2 5.8 2.7 5.0 25
IRFU9120N I-Pak DISCRETE P -100 480.0 -6.5 -4.1 18.0 10.0 3.2 39
Polarity - полярность
V(BR)DSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток
RDS(on) (Static Drain-to-Source On-Resistance) - сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком
ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока
QG Typ (Total Gate Charge) - типичный совокупный заряд затвора
QGD Typ (Gate-to-Drain ("Miller") Charge) - типичный заряд затвор-сток (заряд "Миллера")
Rth(JC) (Maximum Thermal Resistance, Junction to Case) - максимальное температурное сопротивление переход-корпус
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы International Rectifier,

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники