В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > International Rectifier > MOSFET

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



Дискретные N-канальные силовые полевые МОП транзисторы технологии HEXFET® на напряжение 800 В

Типономинал Корпус Схема Polarity VBRdss (V) RDS(on) 10V (mohms) ID @ 25C (A) Id @ 100C (A) QG Typ QGD Typ Rth(JC) Мощность рассеяния (W)
IRFBE20 TO-220AB DISCRETE N 800 6500.0 1.8 1.2 25.3 14.0 2.3 54
IRFBE30 TO-220AB DISCRETE N 800 3000.0 4.1 2.6 52.0 30.0 2.0 125
IRFBE30L TO-262 DISCRETE N 800 3000.0 4.1 2.6 52.0 30.0 1.00 125
IRFBE30S D2-Pak DISCRETE N 800 3000.0 4.1 2.6 52.0 30.0 1.00 125
IRFIBE20G TO-220 FullPak (Iso) DISCRETE N 800 6500.0 1.4 0.86 25.3 14.0 4.1 30
IRFIBE30G TO-220 FullPak (Iso) DISCRETE N 800 3000.0 2.1 1.4 52.0 32.0 3.6 35
IRFPE30 TO-247AC DISCRETE N 800 3000.0 4.1 2.6 52.0 32.0 1.00 125
IRFPE40 TO-247AC DISCRETE N 800 2000.0 5.4 3.4 86.7 48.0 0.83 150
IRFPE50 TO-247AC DISCRETE N 800 1200.0 7.8 4.9 133.3 73.3 0.65 190
Polarity - полярность
V(BR)DSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток
RDS(on) (Static Drain-to-Source On-Resistance) - сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком
ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока
QG Typ (Total Gate Charge) - типичный совокупный заряд затвора
QGD Typ (Gate-to-Drain ("Miller") Charge) - типичный заряд затвор-сток (заряд "Миллера")
Rth(JC) (Maximum Thermal Resistance, Junction to Case) - максимальное температурное сопротивление переход-корпус
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы International Rectifier,

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники