В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > International Rectifier > MOSFET

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



Дискретные N-канальные силовые полевые МОП транзисторы технологии HEXFET® на напряжение 75-80 В

Типономинал Корпус Схема Polarity VBRdss (V) RDS(on) 2.7V (mohms) RDS(on) 4.5V (mohms) RDS(on) 10V (mohms) ID @ 25C (A) Id @ 100C (A) QG Typ QGD Typ Rth(JC) Мощность рассеяния (W)
IRF1312 TO-220AB DISCRETE N 80     10.0 95 67 93.0 34.0 0.73 210
IRF1312L TO-262 DISCRETE N 80     10.0 95 67 93.0 34.0 0.73 210
IRF1312S D2-Pak DISCRETE N 80     10.0 95 67 93.0 34.0 0.73 210
IRF1407 TO-220AB DISCRETE N 75     7.8 130 70 160.0 54.0 0.45 330
IRF1407L TO-262 DISCRETE N 75     7.8 100 70 160.0 54.0 0.75 200
IRF1407S D2-Pak DISCRETE N 75     7.8 100 70 160.0 54.0 0.75 200
IRF1607 TO-220AB DISCRETE N 75     7.5 142 100 210.0 73.0 0.40 380
IRF2807 TO-220AB DISCRETE N 75     13.0 82 58 106.7 36.7 0.75 200
IRF2807L TO-262 DISCRETE N 75     13.0 82 58 106.7 36.7 0.75 200
IRF2807S D2-Pak DISCRETE N 75     13.0 82 58 106.7 36.7 0.75 200
IRF2807Z TO-220AB DISCRETE N 75     9.4 89 63 71.0 28.0 0.90 170
IRF2807ZL TO-262 DISCRETE N 75     9.4 89 63 71.0 28.0 0.90 170
IRF2807ZS D2-Pak DISCRETE N 75     9.4 89 63 71.0 28.0 0.90 170
IRF3007 TO-220AB DISCRETE N 75     12.6 80 56 89.0 30.0 0.74 200
IRF3007L TO-262 DISCRETE N 75     12.6 62 44 89.0 30.0 1.25 120
IRF3007S D2-Pak DISCRETE N 75     12.6 62 44 89.0 30.0 1.25 120
IRF3808 TO-220AB DISCRETE N 75     7.0 140 97 150.0 50.0 0.45 330
IRF3808L TO-262 DISCRETE N 75     7.0 105   150.0 50.0 0.75 200
IRF3808S D2-Pak DISCRETE N 75     7.0 105 75 150.0 50.0 0.75 200
IRF7488 SO-8 DISCRETE N 80     29.0 6.3 1.6 38.0 12.0 50 2.5
Типономинал Корпус Схема Polarity VBRdss (V) RDS(on) 2.7V (mohms) RDS(on) 4.5V (mohms) RDS(on) 10V (mohms) ID @ 25C (A) Id @ 100C (A) QG Typ QGD Typ Rth(JC) Мощность рассеяния (W)
IRF7493 SO-8 DISCRETE N 80     15.0 9.2 5.8 31.0 12.0 50 2.5
IRFP2907 TO-247AC DISCRETE N 75     4.5 177 125 410.0 140.0 0.45 330
IRFR2407 D-Pak DISCRETE N 75     26.0 42 29 74.0 22.0 1.4 110
IRFR3518 D-Pak DISCRETE N 80     29.0 38 27 37.0 12.0 1.4 110
IRFU2407 I-Pak DISCRETE N 75     26.0 42 29 74.0 22.0 1.4 110
IRFU3518 I-Pak DISCRETE N 80     29.0 38 27 37.0 12.0 1.4 110
IRLR2908 D-Pak DISCRETE N 80   30.0 28.0 39 28 22.0 11.0 1.3 120
IRLU2908 I-Pak DISCRETE N 80   30.0 28.0 39 28 22.0 11.0 1.3 120
Polarity - полярность
V(BR)DSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток
RDS(on) (Static Drain-to-Source On-Resistance) - сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком
ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока
QG Typ (Total Gate Charge) - типичный совокупный заряд затвора
QGD Typ (Gate-to-Drain ("Miller") Charge) - типичный заряд затвор-сток (заряд "Миллера")
Rth(JC) (Maximum Thermal Resistance, Junction to Case) - максимальное температурное сопротивление переход-корпус
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы International Rectifier,

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники