В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > International Rectifier > MOSFET

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



Дискретные N-канальные силовые полевые МОП транзисторы технологии HEXFET® на напряжение 650 В

Типономинал Корпус Схема Polarity VBRdss (V) RDS(on) 10V (mohms) ID @ 25C (A) Id @ 100C (A) QG Typ QGD Typ Rth(JC) Мощность рассеяния (W)
IRFB9N65A TO-220AB DISCRETE N 650 930.0 8.5 5.4 32.0 12.7 0.75 167
IRFIB5N65A TO-220 FullPak (Iso) DISCRETE N 650 930.0 5.1 3.2 32.0 12.7 2.1 60
Polarity - полярность
V(BR)DSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток
RDS(on) (Static Drain-to-Source On-Resistance) - сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком
ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока
QG Typ (Total Gate Charge) - типичный совокупный заряд затвора
QGD Typ (Gate-to-Drain ("Miller") Charge) - типичный заряд затвор-сток (заряд "Миллера")
Rth(JC) (Maximum Thermal Resistance, Junction to Case) - максимальное температурное сопротивление переход-корпус
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы International Rectifier,

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники