В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > International Rectifier > MOSFET

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



Дискретные N-канальные силовые полевые МОП транзисторы технологии HEXFET® на напряжение 600 В

Типономинал Корпус Схема Polarity VBRdss (V) RDS(on) 10V (mohms) ID @ 25C (A) Id @ 100C (A) QG Typ QGD Typ Rth(JC) Мощность рассеяния (W)
IRFB16N60L TO-220AB DISCRETE N 600 460.0 16 10 66.7 30.7 0.40 310
IRFB17N60K TO-220AB DISCRETE N 600 420.0 17 11 66.0 31.3 0.37 340
IRFB9N60A TO-220AB DISCRETE N 600 750.0 9.2 5.8 32.7 13.3 0.75 170
IRFBC20 TO-220AB DISCRETE N 600 4400.0 2.2 1.4 12.0 5.9 2.5 50
IRFBC20L TO-262 DISCRETE N 600 4400.0 2.2 1.4 12.0 5.9 2.5 50
IRFBC20S D2-Pak DISCRETE N 600 4400.0 2.2 1.4 12.0 5.9 2.5 50
IRFBC30 TO-220AB DISCRETE N 600 2200.0 3.6 2.3 20.7 11.3 1.7 74
IRFBC30A TO-220AB DISCRETE N 600 2200.0 3.6 2.3 15.3 7.3 1.7 74
IRFBC30AL TO-262 DISCRETE N 600 2200.0 3.6 2.3 15.3 7.3 1.7 74
IRFBC30AS D2-Pak DISCRETE N 600 2200.0 3.6 2.3 15.3 7.3 1.7 74
IRFBC30L TO-262 DISCRETE N 600 2200.0 3.6 2.3 20.7 11.3 1.7 74
IRFBC30S D2-Pak DISCRETE N 600 2200.0 3.6 2.3 20.7 11.3 1.7 74
IRFBC40A TO-220AB DISCRETE N 600 1200.0 6.1 3.9 28.0 13.3 1.3 96
IRFBC40AS D2-Pak DISCRETE N 600 1200.0 6.2 3.9 28.0 13.3 1.00 125
IRFBC40L TO-262 DISCRETE N 600 1200.0 6.2 3.9 40.0 20.0 1.00 130
IRFBC40S D2-Pak DISCRETE N 600 1200.0 6.2 3.9 40.0 20.0 1.00 130
IRFDC20 HEXDIP DISCRETE N 600 4400.0 0.32 0.21 12.0 5.9 120 1.3
IRFIB6N60A TO-220 FullPak (Iso) DISCRETE N 600 750.0 5.5 3.5 32.7 13.3 2.1 60
Типономинал Корпус Схема Polarity VBRdss (V) RDS(on) 10V (mohms) ID @ 25C (A) Id @ 100C (A) QG Typ QGD Typ Rth(JC) Мощность рассеяния (W)
IRFIBC20G TO-220 FullPak (Iso) DISCRETE N 600 4400.0 1.7 1.1 12.0 5.9 4.1 30
IRFIBC30G TO-220 FullPak (Iso) DISCRETE N 600 2200.0 2.5 1.6 20.7 11.3 3.6 35
IRFIBC40G TO-220 FullPak (Iso) DISCRETE N 600 1200.0 3.5 2.2 40.0 20.0 3.1 40
IRFIBC40GLC TO-220 FullPak (Iso) DISCRETE N 600 1200.0 4.0 39 26.0 12.7 3.1 40
IRFP15N60L TO-247AC DISCRETE N 600 460.0 15 9.7 66.7 30.7 0.44 280
IRFP21N60L TO-247AC DISCRETE N 600 320.0 21 13 50.0 42.7 0.38 330
IRFP22N60K TO-247AC DISCRETE N 600 280.0 22 14 100.0 50.7 0.34 370
IRFP26N60L TO-247AC DISCRETE N 600 250.0 26 17 180.0 85 0.27 470
IRFP27N60K TO-247AC DISCRETE N 600 220.0 27 18 120.0 57.3   500
IRFPC40 TO-247AC DISCRETE N 600 1200.0 6.8 4.3 40.0 20.0 0.83 150
IRFPC50 TO-247AC DISCRETE N 600 600.0 11 7 93.3 46.0 0.65 180
IRFPC50A TO-247AC DISCRETE N 600 580.0 11 7 46.7 18.7 0.65 180
IRFPC60 TO-247AC DISCRETE N 600 400.0 16 10 140.0 73.3 0.45 280
IRFPC60LC TO-247AC DISCRETE N 600 400.0 16 10 80.0 32.0 0.45 280
IRFPS29N60L Super 247 (TO-274AA) DISCRETE N 600 210.0 29 18 146.7 64.0 0.26 480
Типономинал Корпус Схема Polarity VBRdss (V) RDS(on) 10V (mohms) ID @ 25C (A) Id @ 100C (A) QG Typ QGD Typ Rth(JC) Мощность рассеяния (W)
IRFPS30N60K Super 247 (TO-274AA) DISCRETE N 600 190.0 30 19 146.7 73.3 0.28 450
IRFPS38N60L Super 247 (TO-274AA) DISCRETE N 600 150.0 38 24 213.3 106.7 0.22 540
IRFPS40N60K Super 247 (TO-274AA) DISCRETE N 600 130.0 40 24 220.0 100.0 0.22  
IRFR1N60A D-Pak DISCRETE N 600 7000.0 1.4 0.89 9.3 5.4 3.5 36
IRFRC20 D-Pak DISCRETE N 600 4400.0 2 1.3 12.0 5.9 3 42
IRFS9N60A D2-Pak DISCRETE N 600 750.0 9.2 5.8 32.7 13.3 0.75 170
IRFSL9N60A TO-262 DISCRETE N 600 750.0 9.2 5.8 32.7 13.3 0.75 170
IRFU1N60A I-Pak DISCRETE N 600 7.0 1.4 0.89 9.7 5.4 3.5 36
IRFUC20 I-Pak DISCRETE N 600 4400.0 2.0 1.3 12.0 5.9 3.0 42
Polarity - полярность
V(BR)DSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток
RDS(on) (Static Drain-to-Source On-Resistance) - сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком
ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока
QG Typ (Total Gate Charge) - типичный совокупный заряд затвора
QGD Typ (Gate-to-Drain ("Miller") Charge) - типичный заряд затвор-сток (заряд "Миллера")
Rth(JC) (Maximum Thermal Resistance, Junction to Case) - максимальное температурное сопротивление переход-корпус
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы International Rectifier,

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники