В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > International Rectifier > MOSFET

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



Дискретные N-канальные силовые полевые МОП транзисторы технологии HEXFET® для поверхностного монтажа на напряжение 50-55 В

>
Типономинал Корпус Схема Polarity VBRdss (V) RDS(on) 4.5V (mohms) RDS(on) 10V (mohms) ID @ 25C (A) Id @ 100C (A) QG Typ QGD Typ Rth(JC) Мощность рассеяния (W)
IRF1010NS D2-Pak DISCRETE N 55   11.0 84 60 80.0 27.3 40 3.8
IRF1010ZS D2-Pak DISCRETE N 55   7.5 94 66 63.0 24.0 1.11 140
IRF1405S D2-Pak DISCRETE N 55   5.3 131 93 170.0 62.0 0.75 200
IRF1405ZS D2-Pak DISCRETE N 55   4.9 150 110 120.0 46.0 0.65 230
IRF2805S D2-Pak DISCRETE N 55   4.7 135 96 150.0 52.0 0.75 200
IRF3205S D2-Pak DISCRETE N 55   8.0 110 80 97.3 36.0 0.75 200
IRF3205ZS D2-Pak DISCRETE N 55   6.5 110 78 76.0 30.0 0.90 170
IRFL014N SOT-223 DISCRETE N 55   160.0 1.9 1.5 7.0 3.3 120 2.1
IRFL024N SOT-223 DISCRETE N 55   75.0 4.0 2.3 12.2 5.1 60 2.1
IRFL024Z SOT-223 DISCRETE N 55   57.5 5.1 4.1 9.1 3.9 45 2.8
IRFL4105 SOT-223 DISCRETE N 55   45.0 3.7 3 23.0 9.8 60 2.1
IRFR024N D-Pak DISCRETE N 55   75.0 16 10 13.3 5.1 3.3 38
IRFR1205 D-Pak DISCRETE N 55   27.0 37 23 43.3 18.0 1.8 69
IRFR2405 D-Pak DISCRETE N 55   16.0 56 40 70.0 19.0 1.4 110
IRFR2905Z D-Pak DISCRETE N 55   14.5 59 42 29.0 12.0 1.38 110
IRFR3505 D-Pak DISCRETE N 55   13.0 71 49 62.0 22.0 1.09 140
IRFR4105 D-Pak DISCRETE N 55   45.0 25 16 22.7 9.3 2.7 48
IRFR4105Z D-Pak DISCRETE N 55   24.5 30 21 18.0 7.0 3.12 48
IRFZ24NS D2-Pak DISCRETE N 55   70.0 17 12 13.3 5.1 3.3 45
IRFZ34NS D2-Pak DISCRETE N 55   40.0 29 20 2.0 9.3 2.2 68
Типономинал Корпус Схема Polarity VBRdss (V) RDS(on) 4.5V (mohms) RDS(on) 10V (mohms) ID @ 25C (A) Id @ 100C (A) QG Typ QGD Typ Rth(JC) Мощность рассеяния (W)
IRFZ44NS D2-Pak DISCRETE N 55   17.5 49 35 42.0 16.7 1.4 110
IRFZ44ZS D2-Pak DISCRETE N 55   13.9 51 36 29.0 12.0 1.87 80
IRFZ46NS D2-Pak DISCRETE N 55   16.5 53 37 48.0 17.3 1.3 120
IRFZ46ZS D2-Pak DISCRETE N 55   13.6 51 36 31.0 12.0 1.84 82
IRFZ48NS D2-Pak DISCRETE N 55   14.0 64 45 54.0 20.0 1.1 140
IRFZ48ZS D2-Pak DISCRETE N 55   11.0 61 43 43.0 16.0 1.64 91
IRL2505S D2-Pak DISCRETE N 55   8.0 104 74 86.7 44.7 0.75 200
IRL3705NS D2-Pak DISCRETE N 55   10.0 89 63 65.3 32.7 0.90 170
IRL3705ZS D2-Pak DISCRETE N 55 12.0 8.0 86 61 40.0 21.0 1.14 130
IRLL014N SOT-223 DISCRETE N 55 280.0 140.0 2.0 1.6 9.5 3.0 60 2.1
IRLL024N SOT-223 DISCRETE N 55 100.0 65.0 4.4 2.5 10.4 5.5 120 2.1
IRLL2705 SOT-223 DISCRETE N 55 65.0 40.0 3.8 3 32.0 9.7 60 2.1
IRLR024N D-Pak DISCRETE N 55 110.0 65.0 17 11 10.0 5.7 3.3 38
IRLR024Z D-Pak DISCRETE N 55 100.0 58.0 16 11 6.6 3.9 4.28 35
IRLR2705 D-Pak DISCRETE N 55 65.0 40.0 24 15 16.7 9.3 2.7 46
IRLR2905 D-Pak DISCRETE N 55 40.0 27.0 36 23 32.0 16.7 1.8 69
IRLR2905Z D-Pak DISCRETE N 55 22.5 13.5 60 43 23.0 12.0 1.38 110
IRLR3105 D-Pak DISCRETE N 55 43.0 37.0 25 18 13.3 6.0 2.65 57
IRLR3915 D-Pak DISCRETE N 55 17.0 14.0 61 43 61.0 17.0 1.3 120
IRLR4343 D-Pak DISCRETE N 55 65.0 50.0 26 19 28.0 9.5 1.9 79
Типономинал Корпус Схема Polarity VBRdss (V) RDS(on) 4.5V (mohms) RDS(on) 10V (mohms) ID @ 25C (A) Id @ 100C (A) QG Typ QGD Typ Rth(JC) Мощность рассеяния (W)
IRLZ24NS D2-Pak DISCRETE N 55 105.0 60.0 18 13 10.0 5.7 3.3 45
IRLZ34NS D2-Pak DISCRETE N 55 60.0 35.0 30 21 16.7 9.3 2.2 68
IRLZ44NS D2-Pak DISCRETE N 55 35.0 22.0 47 33 32.0 16.7 1.4 110
IRLZ44ZS D2-Pak DISCRETE N 55 22.5 13.5 51 36 24.0 12.0 1.87 80
Polarity - полярность
V(BR)DSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток
RDS(on) (Static Drain-to-Source On-Resistance) - сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком
ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока
QG Typ (Total Gate Charge) - типичный совокупный заряд затвора
QGD Typ (Gate-to-Drain ("Miller") Charge) - типичный заряд затвор-сток (заряд "Миллера")
Rth(JC) (Maximum Thermal Resistance, Junction to Case) - максимальное температурное сопротивление переход-корпус
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы International Rectifier,

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники