Дискретные N-канальные силовые полевые МОП транзисторы технологии HEXFET® для поверхностного монтажа на напряжение 50-55 В

Типономинал	Корпус	Схема	Polarity	VBRdss (V)	RDS(on) 4.5V (mohms)	RDS(on) 10V (mohms)	ID @ 25C (A)	Id @ 100C (A)	QG Typ	QGD Typ	Rth(JC)	Мощность рассеяния (W)
IRF1010NS	D2-Pak	DISCRETE	N	55		11.0	84	60	80.0	27.3	40	3.8
IRF1010ZS	D2-Pak	DISCRETE	N	55		7.5	94	66	63.0	24.0	1.11	140
IRF1405S	D2-Pak	DISCRETE	N	55		5.3	131	93	170.0	62.0	0.75	200
IRF1405ZS	D2-Pak	DISCRETE	N	55		4.9	150	110	120.0	46.0	0.65	230
IRF2805S	D2-Pak	DISCRETE	N	55		4.7	135	96	150.0	52.0	0.75	200
IRF3205S	D2-Pak	DISCRETE	N	55		8.0	110	80	97.3	36.0	0.75	200
IRF3205ZS	D2-Pak	DISCRETE	N	55		6.5	110	78	76.0	30.0	0.90	170
IRFL014N	SOT-223	DISCRETE	N	55		160.0	1.9	1.5	7.0	3.3	120	2.1
IRFL024N	SOT-223	DISCRETE	N	55		75.0	4.0	2.3	12.2	5.1	60	2.1
IRFL024Z	SOT-223	DISCRETE	N	55		57.5	5.1	4.1	9.1	3.9	45	2.8
IRFL4105	SOT-223	DISCRETE	N	55		45.0	3.7	3	23.0	9.8	60	2.1
IRFR024N	D-Pak	DISCRETE	N	55		75.0	16	10	13.3	5.1	3.3	38
IRFR1205	D-Pak	DISCRETE	N	55		27.0	37	23	43.3	18.0	1.8	69
IRFR2405	D-Pak	DISCRETE	N	55		16.0	56	40	70.0	19.0	1.4	110
IRFR2905Z	D-Pak	DISCRETE	N	55		14.5	59	42	29.0	12.0	1.38	110
IRFR3505	D-Pak	DISCRETE	N	55		13.0	71	49	62.0	22.0	1.09	140
IRFR4105	D-Pak	DISCRETE	N	55		45.0	25	16	22.7	9.3	2.7	48
IRFR4105Z	D-Pak	DISCRETE	N	55		24.5	30	21	18.0	7.0	3.12	48
IRFZ24NS	D2-Pak	DISCRETE	N	55		70.0	17	12	13.3	5.1	3.3	45
IRFZ34NS	D2-Pak	DISCRETE	N	55		40.0	29	20	2.0	9.3	2.2	68
Типономинал	Корпус	Схема	Polarity	VBRdss (V)	RDS(on) 4.5V (mohms)	RDS(on) 10V (mohms)	ID @ 25C (A)	Id @ 100C (A)	QG Typ	QGD Typ	Rth(JC)	Мощность рассеяния (W)
IRFZ44NS	D2-Pak	DISCRETE	N	55		17.5	49	35	42.0	16.7	1.4	110
IRFZ44ZS	D2-Pak	DISCRETE	N	55		13.9	51	36	29.0	12.0	1.87	80
IRFZ46NS	D2-Pak	DISCRETE	N	55		16.5	53	37	48.0	17.3	1.3	120
IRFZ46ZS	D2-Pak	DISCRETE	N	55		13.6	51	36	31.0	12.0	1.84	82
IRFZ48NS	D2-Pak	DISCRETE	N	55		14.0	64	45	54.0	20.0	1.1	140
IRFZ48ZS	D2-Pak	DISCRETE	N	55		11.0	61	43	43.0	16.0	1.64	91
IRL2505S	D2-Pak	DISCRETE	N	55		8.0	104	74	86.7	44.7	0.75	200
IRL3705NS	D2-Pak	DISCRETE	N	55		10.0	89	63	65.3	32.7	0.90	170
IRL3705ZS	D2-Pak	DISCRETE	N	55	12.0	8.0	86	61	40.0	21.0	1.14	130
IRLL014N	SOT-223	DISCRETE	N	55	280.0	140.0	2.0	1.6	9.5	3.0	60	2.1
IRLL024N	SOT-223	DISCRETE	N	55	100.0	65.0	4.4	2.5	10.4	5.5	120	2.1
IRLL2705	SOT-223	DISCRETE	N	55	65.0	40.0	3.8	3	32.0	9.7	60	2.1
IRLR024N	D-Pak	DISCRETE	N	55	110.0	65.0	17	11	10.0	5.7	3.3	38
IRLR024Z	D-Pak	DISCRETE	N	55	100.0	58.0	16	11	6.6	3.9	4.28	35
IRLR2705	D-Pak	DISCRETE	N	55	65.0	40.0	24	15	16.7	9.3	2.7	46
IRLR2905	D-Pak	DISCRETE	N	55	40.0	27.0	36	23	32.0	16.7	1.8	69
IRLR2905Z	D-Pak	DISCRETE	N	55	22.5	13.5	60	43	23.0	12.0	1.38	110
IRLR3105	D-Pak	DISCRETE	N	55	43.0	37.0	25	18	13.3	6.0	2.65	57
IRLR3915	D-Pak	DISCRETE	N	55	17.0	14.0	61	43	61.0	17.0	1.3	120
IRLR4343	D-Pak	DISCRETE	N	55	65.0	50.0	26	19	28.0	9.5	1.9	79
Типономинал	Корпус	Схема	Polarity	VBRdss (V)	RDS(on) 4.5V (mohms)	RDS(on) 10V (mohms)	ID @ 25C (A)	Id @ 100C (A)	QG Typ	QGD Typ	Rth(JC)	Мощность рассеяния (W)
IRLZ24NS	D2-Pak	DISCRETE	N	55	105.0	60.0	18	13	10.0	5.7	3.3	45
IRLZ34NS	D2-Pak	DISCRETE	N	55	60.0	35.0	30	21	16.7	9.3	2.2	68
IRLZ44NS	D2-Pak	DISCRETE	N	55	35.0	22.0	47	33	32.0	16.7	1.4	110
IRLZ44ZS	D2-Pak	DISCRETE	N	55	22.5	13.5	51	36	24.0	12.0	1.87	80

Polarity - полярность

V(BR)DSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток

RDS(on) (Static Drain-to-Source On-Resistance) - сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком

ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока

QG Typ (Total Gate Charge) - типичный совокупный заряд затвора

QGD Typ (Gate-to-Drain ("Miller") Charge) - типичный заряд затвор-сток (заряд "Миллера")

Rth(JC) (Maximum Thermal Resistance, Junction to Case) - максимальное температурное сопротивление переход-корпус

---

---

Главная - Микросхемы - DOC - ЖКИ - Источники питания - Электромеханика - Интерфейсы - Программы - Применения - Статьи