Дискретные N-канальные силовые полевые МОП транзисторы технологии HEXFET® на напряжение 450 В
| Типономинал |
Корпус |
Схема |
Polarity |
VBRdss (V) |
RDS(on) 10V (mohms) |
ID @ 25C (A) |
Id @ 100C (A) |
QG Typ |
QGD Typ |
Rth(JC) |
Мощность рассеяния (W) |
 IRFI734G |
TO-220 FullPak (Iso) |
DISCRETE |
N |
450 |
1200.0 |
3.4 |
2.1 |
30.0 |
16.0 |
3.6 |
35 |
| IRFI744G |
TO-220 FullPak (Iso) |
DISCRETE |
N |
450 |
630.0 |
4.9 |
3.1 |
53.3 |
27.3 |
3.1 |
40 |
| IRFP344 |
TO-247AC |
DISCRETE |
N |
450 |
630.0 |
9.5 |
6 |
53.3 |
27.3 |
0.83 |
150 |
| IRFP354 |
TO-247AC |
DISCRETE |
N |
450 |
350.0 |
14 |
9.1 |
106.7 |
55.3 |
0.65 |
190 |
- Polarity - полярность
- V(BR)DSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток
- RDS(on) (Static Drain-to-Source On-Resistance) - сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком
- ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока
- QG Typ (Total Gate Charge) - типичный совокупный заряд затвора
- QGD Typ (Gate-to-Drain ("Miller") Charge) - типичный заряд затвор-сток (заряд "Миллера")
- Rth(JC) (Maximum Thermal Resistance, Junction to Case) - максимальное температурное сопротивление переход-корпус
|
