В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > International Rectifier > MOSFET

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



Дискретные N-канальные силовые полевые МОП транзисторы технологии HEXFET® на напряжение 400 В

Типономинал Корпус Схема Polarity VBRdss (V) RDS(on) 10V (mohms) ID @ 25C (A) Id @ 100C (A) QG Typ QGD Typ Rth(JC) Мощность рассеяния (W)
IRC730 TO-220 5-Pin (HEXSense) DISCRETE N 400 1000.0 5.5 3.5 38.0 22.0 1.00 74
IRC740 TO-220 5-Pin (HEXSense) DISCRETE N 400 550.0 10 6.3 66.0 33.0 1.00 125
IRF710 TO-220AB DISCRETE N 400 3600.0 2 1.2 11.3 5.7 3.5 36
IRF710S D2-Pak DISCRETE N 400 3600.0 2 1.2 11.3 5.7 3.5 36
IRF720 TO-220AB DISCRETE N 400 1800.0 3.3 2.1 13.3 7.3 2.5 50
IRF720S D2-Pak DISCRETE N 400 1800.0 3.3 2.1 13.3 7.3 2.5 50
IRF730 TO-220AB DISCRETE N 400 1000.0 5.5 3.3 25.3 14.7 1.7 74
IRF730A TO-220AB DISCRETE N 400 1000.0 5.5 3.5 14.7 6.2 1.7 74
IRF730AL TO-262 DISCRETE N 400 1000.0 5.5 3.5 14.7 6.2 1.7 74
IRF730AS D2-Pak DISCRETE N 400 1000.0 5.5 3.5 14.7 6.2 1.7 74
IRF730S D2-Pak DISCRETE N 400 1000.0 5.5 3.3 14.7 6.2 1.7 74
IRF740 TO-220AB DISCRETE N 400 550.0 10 6.3 42.0 21.3 1.00 125
IRF740A TO-220AB DISCRETE N 400 550.0 10 6.3 24.0 10.7 1.00 125
IRF740AL TO-262 DISCRETE N 400 550.0 10 6.3 24.0 10.7 1.00 125
IRF740AS D2-Pak DISCRETE N 400 550.0 10 6.3 24.0 10.7 1.00 125
IRF740S D2-Pak DISCRETE N 400 550.0 10 6.3 42.0 21.3 1.00 125
Типономинал Корпус Схема Polarity VBRdss (V) RDS(on) 10V (mohms) ID @ 25C (A) Id @ 100C (A) QG Typ QGD Typ Rth(JC) Мощность рассеяния (W)
IRFD310 HEXDIP DISCRETE N 400 3600.0 0.42 0.23 11.3 5.7 120 1.3
IRFD320 HEXDIP DISCRETE N 400 1800.0 .60 0.33 13.3 7.3 120 1.3
IRFI720G TO-220 FullPak (Iso) DISCRETE N 400 1800.0 2.6 1.7 13.3 7.3 4.1 30
IRFI730G TO-220 FullPak (Iso) DISCRETE N 400 1000.0 3.7 2.3 25.3 14.7 3.6 32
IRFI740G TO-220 FullPak (Iso) DISCRETE N 400 550.0 5.4 3.4 44.0 22.0 3.1 40
IRFI740GLC TO-220 FullPak (Iso) DISCRETE N 400 550.0 6.0 39 26.0 12.7 3.1 40
IRFP340 TO-247AC DISCRETE N 400 550.0 11 6.9 41.3 20.0 0.83 150
IRFP350 TO-247AC DISCRETE N 400 400.0 16 10 100.0 53.3 0.65 190
IRFP350LC TO-247AC DISCRETE N 400 300.0 18 70 50.7 24.0 0.65 190
IRFP360 TO-247AC DISCRETE N 400 200.0 23 14 140.0 73.3 0.45 280
IRFP360LC TO-247AC DISCRETE N 400 200.0 23 14 73.3 30.0 0.45 280
IRFR310 D-Pak DISCRETE N 400 3600.0 1.7 1.1 8.0 4.3 5 25
IRFR320 D-Pak DISCRETE N 400 1800.0 3.1 2 13.3 7.3 3 42
IRFU310 I-Pak DISCRETE N 400 3600.0 1.7 1.1 8.0 4.3 5.0 25
IRFU320 I-Pak DISCRETE N 400 1800.0 3.1 2 13.3 7.3 3.0 42
Polarity - полярность
V(BR)DSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток
RDS(on) (Static Drain-to-Source On-Resistance) - сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком
ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока
QG Typ (Total Gate Charge) - типичный совокупный заряд затвора
QGD Typ (Gate-to-Drain ("Miller") Charge) - типичный заряд затвор-сток (заряд "Миллера")
Rth(JC) (Maximum Thermal Resistance, Junction to Case) - максимальное температурное сопротивление переход-корпус
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы International Rectifier,

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники