Поиск по сайту:

 

По базе:  
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > International Rectifier > MOSFET

реклама
 




Мероприятия:




Дискретные N-канальные силовые полевые МОП транзисторы технологии HEXFET® на напряжение 40 В

Типономинал Корпус Схема Polarity VBRdss (V) RDS(on) 2.7V (mohms) RDS(on) 4.5V (mohms) RDS(on) 10V (mohms) ID @ 25C (A) Id @ 100C (A) QG Typ QGD Typ Rth(JC) Мощность рассеяния (W)
IRF1104 TO-220AB DISCRETE N 40     9.0 100 71 62.0 20.0 0.90 170
IRF1104L TO-262 DISCRETE N 40     9.0 100 71 62.0 10.0 0.90 170
IRF1104S D2-Pak DISCRETE N 40     9.0 100 71 62.0 10.0 0.90 170
IRF1404 TO-220AB DISCRETE N 40     4.0 162 115 160.0 42.0 0.75 200
IRF1404L TO-262 DISCRETE N 40     4.0 162 115 160.0 42.0 0.75 200
IRF1404S D2-Pak DISCRETE N 40     4.0 162 115 160.0 42.0 0.75 200
IRF1404Z TO-220AB DISCRETE N 40     3.7 190 130 100.0 42.0 0.65 220
IRF1404ZL TO-262 DISCRETE N 40     3.7 190 130 100.0 42.0 0.65 220
IRF1404ZS D2-Pak DISCRETE N 40     3.7 190 130 100.0 42.0 0.65 220
IRF2204 TO-220AB DISCRETE N 40     3.6 210 150 130.0 39.0 0.45 330
IRF2204L D2-Pak DISCRETE N 40     3.6 170 120 130.0 39.0 0.75 200
IRF2204S D2-Pak DISCRETE N 40     3.6 170 120 130.0 39.0 0.75 200
IRF2804 TO-220AB DISCRETE N 40     2.3 280 200 160.0 66.0 0.45 330
IRF2804L TO-262 DISCRETE N 40     2.3 280 200 160.0 66.0 0.45 330
IRF2804S D2-Pak DISCRETE N 40     2.3 280 200 160.0 66.0 0.45 330
IRF4104 TO-220AB DISCRETE N 40     5.5 120 84 68.0 27.0 1.05 140
IRF4104L TO-262 DISCRETE N 40     5.5 120 84 68.0 27.0 1.05 140
IRF4104S D2-Pak DISCRETE N 40     5.5 120 84 68.0 27.0 1.05 140
IRF7468 SO-8 DISCRETE N 40   17.0 15.5 9.0 7 23.0 6.7 50 2.5
IRF7469 SO-8 DISCRETE N 40   21.0 17.0 9.0 7.3 15.0 5.0 50 2.5
Типономинал Корпус Схема Polarity VBRdss (V) RDS(on) 2.7V (mohms) RDS(on) 4.5V (mohms) RDS(on) 10V (mohms) ID @ 25C (A) Id @ 100C (A) QG Typ QGD Typ Rth(JC) Мощность рассеяния (W)
IRF7470 SO-8 DISCRETE N 40 30.0 15.0 13.0 11 9 29.0 8.0 50 2.5
IRF7471 SO-8 DISCRETE N 40   16.0 13.0 10.0 8.3 21.0 8.2 50 2.5
IRF7484 SO-8 DISCRETE N 40     10.0 14 11 69.0 16.0 50 2.5
IRF7484Q SO-8 DISCRETE N 40       14 11 69.0 16.0 50 2.5
IRF7842 SO-8 DISCRETE N 40   5.9 5.0 18 14 33.0 10.0 50 2.5
IRFBA1404P Super 220 (TO-273AA) DISCRETE N 40     3.7 206 145 160.0 42.0 0.50 300
IRFR3504 D-Pak DISCRETE N 40     9.2 87 61 48.0 13.0 1.09 140
IRFR3504Z D-Pak DISCRETE N 40     9.0 77 54 30.0 12.0 1.66 90
IRFR4104 D-Pak DISCRETE N 40     5.5 119 84 59.0 24.0 1.05 140
IRFU3504 I-Pak DISCRETE N 40     9.2 87 61 71.0 20.0 1.09 140
IRFU3504Z I-Pak DISCRETE N 40     9.0 77 54 30.0 12.0 1.66 90
IRFU4104 I-Pak DISCRETE N 40     5.5 119 84 59.0 24.0 1.05 140
IRL1004 TO-220AB DISCRETE N 40   9.0 6.5 130 92 66.7 28.7 0.75 200
IRL1004L TO-262 DISCRETE N 40   9.0 6.5 110 80 66.7 28.7 1.00 150
IRL1004S D2-Pak DISCRETE N 40   9.0 6.5 110 80 66.7 28.7 1.00 150
IRL1104 TO-220AB DISCRETE N 40   12.0 8.0 104 74 45.3 22.0 0.90 167
IRL1104L TO-262 DISCRETE N 40   12.0 8.0 104 74 45.3 22.7 0.90 167
IRL1104S D2-Pak DISCRETE N 40   12.0 8.0 104 74 45.3 22.7 0.90 167
IRL1404 TO-220AB DISCRETE N 40     4.0 160 110 93.3 40.0 0.75 200
IRL1404L TO-262 DISCRETE N 40     4.0 160 110 93.3 40.0 0.75 3.8
Типономинал Корпус Схема Polarity VBRdss (V) RDS(on) 2.7V (mohms) RDS(on) 4.5V (mohms) RDS(on) 10V (mohms) ID @ 25C (A) Id @ 100C (A) QG Typ QGD Typ Rth(JC) Мощность рассеяния (W)
IRL1404S D2-Pak DISCRETE N 40     4.0 160 110 93.3 40.0 0.75 3.8
IRL1404Z TO-220AB DISCRETE N 40   5.0 3.1 200 140 75.0 40.0 0.65 230
IRL1404ZL TO-262 DISCRETE N 40   5.0 3.1 200 140 75.0 40.0 0.65 230
IRL1404ZS D2-Pak DISCRETE N 40   5.0 3.1 200 140 75.0 40.0 0.65 230
IRLBA1304P Super 220 (TO-273AA) DISCRETE N 40   6.5 4.0 185 130 93.3 52.7 0.50 300
IRLBD59N04E D2-Pak 5-Lead DISCRETE N 40     18.0 59 41 33.3 12.0 1.12 130
Polarity - полярность
V(BR)DSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток
RDS(on) (Static Drain-to-Source On-Resistance) - сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком
ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока
QG Typ (Total Gate Charge) - типичный совокупный заряд затвора
QGD Typ (Gate-to-Drain ("Miller") Charge) - типичный заряд затвор-сток (заряд "Миллера")
Rth(JC) (Maximum Thermal Resistance, Junction to Case) - максимальное температурное сопротивление переход-корпус
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы International Rectifier,

поставщики электронных компонентов





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (995) 900 6254. e-mail:info@eust.ru
©1998-2023 Рынок Микроэлектроники