Поиск по сайту:

 

По базе:  
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > International Rectifier > MOSFET

реклама
 




Мероприятия:




Дискретные N-канальные силовые полевые МОП транзисторы технологии HEXFET® для поверхностного монтажа на напряжение 25-30 В

Типономинал Корпус Схема Polarity VBRdss (V) RDS(on) 2.7V (mohms) RDS(on) 4.5V (mohms) RDS(on) 10V (mohms) ID @ 25C (A) Id @ 100C (A) QG Typ QGD Typ Rth(JC) Мощность рассеяния (W)
IRF1503S D2-Pak DISCRETE N 30     3.3 190 130 130.0 41.0 0.75 200
IRF3707S D2-Pak DISCRETE N 30   17.0 12.5 62 52 19.0 6.3 1.73 87
IRF3707ZCS D2-Pak DISCRETE N 30   12.5 9.5 59 42 9.7 3.4 2.65 57
IRF3707ZS D2-Pak DISCRETE N 30   12.5 9.5 59 42 55.0 3.4 2.65 57
IRF3708S D2-Pak DISCRETE N 30 29.0 13.5 12.0 62 52 24.0 5.8 1.73 87
IRF3709S D2-Pak DISCRETE N 30   10.5 9.0 90 57 27.0 9.7 1.04 120
IRF3709ZCS D2-Pak DISCRETE N 30   7.8 6.3 87 62 17.0 6.0 1.89 79
IRF3709ZS D2-Pak DISCRETE N 30   7.8 6.3 87 62 17.0 6.0 1.89 79
IRF6603 DirectFET MT DISCRETE N 30   5.5 3.4 28 22 86.0 19.0 3 42
IRF6604 DirectFET MQ DISCRETE N 30   13.0 11.5 15 12.5 20.0 7.0 3.0 42
IRF6607 DirectFET MT DISCRETE N 30   4.4 3.3 27 22 50.0 16.0 3.0 42
IRF6608 DirectFET ST DISCRETE N 30   11.0 9.0 11.8 9.4 15.0 4.9 3.0 42
IRF6612 DirectFET MX DISCRETE N 30   4.4 3.3 24 19 30.0 10.0 1.4 89
IRF6617 DirectFET ST DISCRETE N 30   10.3 8.1 14 11 11.0 4.0 3.0 42
IRF6618 DirectFET MT DISCRETE N 30   3.4 2.2 29 23 46.0 15.0 1.4 89
IRF7201 SO-8 DISCRETE N 30   50.0 30.0 7.0 5.6 19.0 6.3 50 2.5
IRF7403 SO-8 DISCRETE N 30   35.0 22.0 8.5 5.4 38.0 12.0 50 2.5
IRF7413 SO-8 DISCRETE N 30   18.0 11.0 13 9.2 44.0 9.2 50 2.5
IRF7413A SO-8 DISCRETE N 30   20.0 13.5 12 8.4 52.0 16.0 50 2.5
IRF7413Z SO-8 DISCRETE N 30   13.0 10.0 13 10 9.5 3.0 50 2.5
Типономинал Корпус Схема Polarity VBRdss (V) RDS(on) 2.7V (mohms) RDS(on) 4.5V (mohms) RDS(on) 10V (mohms) ID @ 25C (A) Id @ 100C (A) QG Typ QGD Typ Rth(JC) Мощность рассеяния (W)
IRF7455 SO-8 DISCRETE N 30 20.0 9.0 7.5 15 10 37.0 13.0 50 2.5
IRF7458 SO-8 DISCRETE N 30     9.0 14 11 39.0 8.7 50 2.5
IRF7463 SO-8 DISCRETE N 30 20.0 9.5 8.0 13 10 34.0 13.0 50 2.5
IRF7466 SO-8 DISCRETE N 30   17.0 15.0 10 8 16.0 5.3 50 2.5
IRF7467 SO-8 DISCRETE N 30 35.0 13.5 15.0 10 8 21.0 5.8 50 2.5
IRF7477 SO-8 DISCRETE N 30   10.0 8.5 14   25.0 8.2 50 2.5
IRF7603 Micro 8 DISCRETE N 30   600.0 35.0 5.6 4.5 18.0 5.6 70 1.8
IRF7805 SO-8 DISCRETE N 30   11.0   13 10 22.0 1.4 50 2.5
IRF7805A SO-8 DISCRETE N 30   11.0   13 10 22.0 1.4 50 2.5
IRF7805Z SO-8 DISCRETE N 30   8.7 6.8 16 12 18.0 6.2 50 2.5
IRF7807 SO-8 DISCRETE N 30   25.0   8.3 6.6 12.0 2.9 50 2.5
IRF7807A SO-8 DISCRETE N 30   25.0   6.6 6.6 12.0 2.9 50 2.5
IRF7807V SO-8 DISCRETE N 30   25.0   8.3 6.6 9.5 2.4 50 2.5
IRF7807Z SO-8 DISCRETE N 30   18.2 13.8 11 8.7 7.2 2.7 50 2.5
IRF7809A SO-8 DISCRETE N 30   12.0   14.5 14.2 19.0 4.5 50 2.5
IRF7809AV SO-8 DISCRETE N 30   9.0   13.3 15.8 41.0 12.0 35 2.5
IRF7811A SO-8 DISCRETE N 28   12.0   11.4 11.2 19.0 4.5 50 2.5
IRF7811AV SO-8 DISCRETE N 30   14.0   14 13 17.0 5.1 35 3.5
IRF7811W SO-8 DISCRETE N 30   12.0   14 13 15.6 4.1 40 3.1
IRF7821 SO-8 DISCRETE N 30   12.5 9.1 13.6 11 9.3 2.9 50 2.5
Типономинал Корпус Схема Polarity VBRdss (V) RDS(on) 2.7V (mohms) RDS(on) 4.5V (mohms) RDS(on) 10V (mohms) ID @ 25C (A) Id @ 100C (A) QG Typ QGD Typ Rth(JC) Мощность рассеяния (W)
IRF7822 SO-8 DISCRETE N 30   6.5   18 12.5 44.0 9.0 40 3.1
IRF7828 SO-8 DISCRETE N 30   12.5   13.6 11 9.3 2.9 50 2.5
IRF7831 SO-8 DISCRETE N 30   4.4 3.6 21 17 40.0 11.0 50 2.5
IRF7832 SO-8 DISCRETE N 30   4.8 4.0 20 16 34.0 12.0 50 2.5
IRF7834 SO-8 DISCRETE N 30   5.5 4.5 19 16 29.0 9.8 50 2.5
IRF8113 SO-8 DISCRETE N 30   7.4 6.0 16.6 13.3 24.0 8.5 50 2.5
IRF9410 SO-8 DISCRETE N 30   50.0 30.0 7 5.8 18.0 4.9 50 2.5
IRFR3303 D-Pak DISCRETE N 30     31.0 33 21 19.3 8.7 2.2 57
IRFR3707 D-Pak DISCRETE N 30   17.5 13.0 61 51 19.0 6.3 1.73 87
IRFR3707Z D-Pak DISCRETE N 30   12.5 9.5 56 39 9.6 3.5 3.0 50
IRFR3708 D-Pak DISCRETE N 30 30.0 14.0 12.5 61 51 24.0 5.8 1.73 87
IRFR3709Z D-Pak DISCRETE N 30   8.2 6.5 86 61 17.0 5.7 1.9 79
IRL2203NS D2-Pak DISCRETE N 30   10.0 7.0 116 82 40.0 22.0 0.90 170
IRL2703S D2-Pak DISCRETE N 30   600.0 400.0 24 17 10.0 6.2 3.3 45
IRL3103S D2-Pak DISCRETE N 30   16.0 12.0 64 45 22.0 11.3 1.4 110
IRL3303S D2-Pak DISCRETE N 30   40.0 26.0 38 27 17.3 5.9 2.2 68
IRL3713S D2-Pak DISCRETE N 30   4.0 3.0 200 170 75.0 37.0 0.75 200
IRL3803S D2-Pak DISCRETE N 30   9.0 6.0 140 98 93.3 52.0 0.75 200
IRL3803VS D2-Pak DISCRETE N 30   7.5 5.5 140 110 50.7 23.3 0.74 200
IRL7833S D2-Pak DISCRETE N 30   4.5 3.8 150 110 32.0 13.0 1.04 140
Типономинал Корпус Схема Polarity VBRdss (V) RDS(on) 2.7V (mohms) RDS(on) 4.5V (mohms) RDS(on) 10V (mohms) ID @ 25C (A) Id @ 100C (A) QG Typ QGD Typ Rth(JC) Мощность рассеяния (W)
IRL8113S D2-Pak DISCRETE N 30   7.1 6.0 105 74 23.0 8.3 1.32 110
IRLL2703 SOT-223 DISCRETE N 30   70.0 45.0 5.5 3.1 9.3 5.1 120 2.1
IRLL3303 SOT-223 DISCRETE N 30   45.0 31.0 4.6 3.7 34.0 10.0 60 2.1
IRLML2803 Micro 3/ SOT-23 DISCRETE N 30   400.0 250.0 1.2 0.93 3.3 1.1 230 0.54
IRLMS1503 TSOP-6 (Micro 6) DISCRETE N 30   200.0 100.0 3.2 2.6 6.4 1.9 75 1.7
IRLR2703 D-Pak DISCRETE N 30   65.0 45.0 22 14 10.0 6.2 3.3 38
IRLR3103 D-Pak DISCRETE N 30   24.0 19.0 46 29 33.3 18.7 1.8 69
IRLR3303 D-Pak DISCRETE N 30   45.0 31.0 33 21 17.3 10.0 2.2 57
IRLR7807Z D-Pak DISCRETE N 30   18.2 13.8 43 30 7.0 2.7 3.75 40
IRLR7811W D-Pak DISCRETE N 30   12.0 10.0 64 45 21.0 6.6 2.1 71
IRLR7821 D-Pak DISCRETE N 30   12.5 10.0 65 47 10.0 2.5 2.0 75
IRLR7833 D-Pak DISCRETE N 30   5.5 4.5 140 98 38.0 14.0 1.05 140
IRLR7843 D-Pak DISCRETE N 30   4.0 3.3 161 113 34.0 12.0 1.05 140
IRLR8103V D-Pak DISCRETE N 30   10.5 9.0 89 61 27.0 9.7 1.4 89
IRLR8113 D-Pak DISCRETE N 30   7.4 6.0 94 67 22.0 6.8 1.69 89
IRLR8203 D-Pak DISCRETE N 30   9.0 6.8 110 76 33.0 17.0 1.09 140
IRLR8503 D-Pak DISCRETE N 30   18.0 16.0 49 34 15.0 4.1 2.0 62
SI4410DY SO-8 DISCRETE N 30   20.0 13.5 10 8 30.0 6.5 50 2.5
SI4420DY SO-8 DISCRETE N 30   13.0 9.0 12.5 10 52.0 12.0 50 2.5
Polarity - полярность
V(BR)DSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток
RDS(on) (Static Drain-to-Source On-Resistance) - сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком
ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока
QG Typ (Total Gate Charge) - типичный совокупный заряд затвора
QGD Typ (Gate-to-Drain ("Miller") Charge) - типичный заряд затвор-сток (заряд "Миллера")
Rth(JC) (Maximum Thermal Resistance, Junction to Case) - максимальное температурное сопротивление переход-корпус
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы International Rectifier,

поставщики электронных компонентов





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (995) 900 6254. e-mail:info@eust.ru
©1998-2023 Рынок Микроэлектроники