В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > International Rectifier > MOSFET

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



Дискретные N-канальные силовые полевые МОП транзисторы технологии HEXFET® на напряжение 25-30 В

Типономинал Корпус Схема Polarity VBRdss (V) RDS(on) 2.7V (mohms) RDS(on) 4.5V (mohms) RDS(on) 10V (mohms) ID @ 25C (A) Id @ 100C (A) QG Typ QGD Typ Rth(JC) Мощность рассеяния (W)
IRF1503 D2-Pak DISCRETE N 30     3.3 240 170 130.0 41.0 0.45 330
IRF1503L TO-262 DISCRETE N 30     3.3 190 130 130.0 41.0 0.75 200
IRF3703 TO-220AB DISCRETE N 30     2.8 210 100 209.0 42.0 0.65 230
IRF3707 TO-220AB DISCRETE N 30   17.0 12.5 62 52 19.0 6.3 1.73 87
IRF3707L TO-262 DISCRETE N 30   17.0 12.5 62 52 19.0 6.3 1.73 87
IRF3707Z TO-220AB DISCRETE N 30   12.5 9.5 59 42 55.0 3.4 2.65 57
IRF3707ZCL TO-262 DISCRETE N 30   12.5 9.5 59 42 9.7 3.4 2.65 57
IRF3707ZL TO-262 DISCRETE N 30   12.5 9.5 59 42 55.0 3.4 2.65 57
IRF3708 TO-220AB DISCRETE N 30 29.0 13.5 12.0 62 52 24.0 5.8 1.73 87
IRF3708L TO-262 DISCRETE N 30 29.0 13.5 12.0 62 52 24.0 5.8 1.73 87
IRF3709 TO-220AB DISCRETE N 30   10.5 9.0 90 57 27.0 9.7 1.04 120
IRF3709L TO-262 DISCRETE N 30   10.5 9.0 90 57 27.0 9.7 1.04 120
IRF3709Z TO-220AB DISCRETE N 30   7.8 6.3 87 62 17.0 6.0 1.89 79
IRF3709ZCL TO-262 DISCRETE N 30   7.8 6.3 87 62 17.0 6.0 1.89 79
IRF3709ZL TO-262 DISCRETE N 30   7.8 6.3 87 62 17.0 6.0 1.89 79
IRFP3703 TO-247AC DISCRETE N 30     2.8 210 100 209.0 42.0 0.65 230
IRFU3303 I-Pak DISCRETE N 30     31.0 33 21 29.0 13.0 2.2 57
IRFU3707 I-Pak DISCRETE N 30   17.5 13.0 61 51 19.0 6.3 1.73 87
IRFU3707Z I-Pak DISCRETE N 30   12.5 9.5 56 39 9.6 3.5 3.0 50
Типономинал Корпус Схема Polarity VBRdss (V) RDS(on) 2.7V (mohms) RDS(on) 4.5V (mohms) RDS(on) 10V (mohms) ID @ 25C (A) Id @ 100C (A) QG Typ QGD Typ Rth(JC) Мощность рассеяния (W)
IRFU3708 I-Pak DISCRETE N 30 30.0 14.0 12.5 61 51 24.0 5.8 1.73 87
IRFU3709 I-Pak DISCRETE N 30   10.5 9.0 90 57 27.0 9.7 1.04 120
IRFU3709Z I-Pak DISCRETE N 30   8.2 6.5 86 61 17.0 5.7 1.9 79
IRL2203N TO-220AB DISCRETE N 30   10.0 7.0 100 71 40.0 22.0 1.2 130
IRL2203NL TO-262 DISCRETE N 30   10.0 7.0 116 82 40.0 22.0 0.90 170
IRL2703 TO-220AB DISCRETE N 30   600.0 400.0 24 17 10.0 6.2 3.3 45
IRL3103 TO-220AB DISCRETE N 30   16.0 12.0 56 40 22.0 11.3 1.8 83
IRL3103L TO-262 DISCRETE N 30   16.0 12.0 64 45 22.0 11.3 1.4 110
IRL3303 TO-220AB DISCRETE N 30   40.0 26.0 34 24 17.3 10.0 2.7 56
IRL3303L TO-262 DISCRETE N 30   40.0 26.0 38 27 17.3 5.9 2.2 68
IRL3713 TO-220AB DISCRETE N 30   4.0 3.0 200 170 75.0 37.0 0.75 200
IRL3713L TO-262 DISCRETE N 30   4.0 3.0 200 170 75.0 37.0 0.75 200
IRL3803 TO-220AB DISCRETE N 30   9.0 6.0 120 83 93.3 52.0 1.00 150
IRL3803L TO-262 DISCRETE N 30   9.0 6.0 140 98 93.3 52.0 0.75 200
IRL3803V TO-220AB DISCRETE N 30   7.5 5.5 140 110 50.7 23.3 0.74 200
IRL3803VL TO-262 DISCRETE N 30   7.5 5.5 140 110 50.7 23.3 0.74 200
IRL7833 TO-220AB DISCRETE N 30   4.5 3.8 150 110 32.0 13.0 1.04 140
IRL7833L TO-262 DISCRETE N 30   4.5 3.8 150 110 32.0 13.0 1.04 140
IRL8113 TO-220AB DISCRETE N 30   7.1 6.0 105 74 23.0 8.3 1.32 110
Типономинал Корпус Схема Polarity VBRdss (V) RDS(on) 2.7V (mohms) RDS(on) 4.5V (mohms) RDS(on) 10V (mohms) ID @ 25C (A) Id @ 100C (A) QG Typ QGD Typ Rth(JC) Мощность рассеяния (W)
IRL8113L TO-262 DISCRETE N 30   7.1 6.0 105 74 23.0 8.3 1.32 110
IRLBA3803/P Super 220 (TO-273AA) DISCRETE N 30   9.0 5.0 179 126 93.3 52.0 0.55 270
IRLBA3803P Super 220 (TO-273AA) DISCRETE N 30   9.0 5.0 179 126 93.3 52.0 0.55 270
IRLI2203N TO-220 FullPak (Iso) DISCRETE N 30   10.0 7.0 61 43 73.3 38.0 3.2 47
IRLI3803 TO-220 FullPak (Iso) DISCRETE N 30   9.0 6.0 67 47 93.3 52.0 3.1 48
IRLU2703 I-Pak DISCRETE N 30   65.0 45.0 22 14 10.0 6.2 3.3 38
IRLU3103 I-Pak DISCRETE N 30   24.0 19.0 46 29 33.3 18.7 1.8 69
IRLU3303 I-Pak DISCRETE N 30   45.0 31.0 33 21 17.3 10.0 2.2 57
IRLU7807Z I-Pak DISCRETE N 30   18.2 13.8 43 30 7.0 2.7 3.75 40
IRLU7821 I-Pak DISCRETE N 30   12.5 10.0 65 47 10.0 2.5 2.0 75
IRLU7833 I-Pak DISCRETE N 30   5.5 4.5 140 98 38.0 14.0 1.05 140
IRLU7843 I-Pak DISCRETE N 30   4.0 3.3 161 113 34.0 12.0 1.05 140
IRLU8113 I-Pak DISCRETE N 30   7.4 6.0 94 67 22.0 6.8 1.69 89
IRLU8203 I-Pak DISCRETE N 30   9.0 6.8 110 76 33.0 17.0 1.09 140
Polarity - полярность
V(BR)DSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток
RDS(on) (Static Drain-to-Source On-Resistance) - сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком
ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока
QG Typ (Total Gate Charge) - типичный совокупный заряд затвора
QGD Typ (Gate-to-Drain ("Miller") Charge) - типичный заряд затвор-сток (заряд "Миллера")
Rth(JC) (Maximum Thermal Resistance, Junction to Case) - максимальное температурное сопротивление переход-корпус
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы International Rectifier,

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники