В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > International Rectifier > MOSFET

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



Дискретные N-канальные силовые полевые МОП транзисторы технологии HEXFET® на напряжение 250 В

Типономинал Корпус Схема Polarity VBRdss (V) RDS(on) 10V (mohms) ID @ 25C (A) Id @ 100C (A) QG Typ QGD Typ Rth(JC) Мощность рассеяния (W)
IRC634 TO-220 5-Pin (HEXSense) DISCRETE N 250 450.0 8.1 5.1 41.0 22.0 1.7 74
IRC644 TO-220 5-Pin (HEXSense) DISCRETE N 250 280.0 14 8.5 65.0 32.0 1.00 125
IRF614S D2-Pak DISCRETE N 250 2000.0 2.7 1.7 5.5 3.0 3.5 36
IRF624 TO-220AB DISCRETE N 250 1100.0 4.4 2.8 9.3 5.2 2.5 50
IRF624S D2-Pak DISCRETE N 250 1100.0 4.4 2.8 9.3 5.2 2.5 50
IRF634 TO-220AB DISCRETE N 250 450.0 8.1 5.1 27.3 14.7 1.7 74
IRF634N TO-220AB DISCRETE N 250 435.0 8 5.6 22.7 10.7 1.7 88
IRF634NL TO-262 DISCRETE N 250 435.0 8 5.6 22.7 10.7 1.7 88
IRF634NS D2-Pak DISCRETE N 250 435.0 8 5.6 22.7 10.7 1.7 88
IRF634S D2-Pak DISCRETE N 250 450.0 8.1 5.1 27.3 14.7 1.7 74
IRF644 TO-220AB DISCRETE N 250 280.0 14 8.5 45.3 23.3 1.00 125
IRF644N TO-220AB DISCRETE N 250 240.0 14 9.9 36.0 17.3 1.00 150
IRF644NL TO-262 DISCRETE N 250 240.0 14 9.9 36.0 17.3 1.00 150
IRF644NS D2-Pak DISCRETE N 250 240.0 14 9.9 36.0 17.3 1.00 150
IRF644S D2-Pak DISCRETE N 250 280.0 14 8.5 45.3 23.3 1.00 125
IRF7453 SO-8 DISCRETE N 250 230.0 2.2 1.8 25.0 11.0 50 2.5
IRFD214 HEXDIP DISCRETE N 250 2000.0 0.57 0.32 5.5 3.0 120 1.3
Типономинал Корпус Схема Polarity VBRdss (V) RDS(on) 10V (mohms) ID @ 25C (A) Id @ 100C (A) QG Typ QGD Typ Rth(JC) Мощность рассеяния (W)
IRFD224 HEXDIP DISCRETE N 250 1100.0 0.76 0.43 9.3 5.2 120 1.3
IRFI614G TO-220 FullPak (Iso) DISCRETE N 250 2000.0 2.1 1.3 5.5 3.0 5.5 23
IRFI624G TO-220 FullPak (Iso) DISCRETE N 250 1100.0 3.4 2.2 9.3 5.2 4.1 30
IRFI634G TO-220 FullPak (Iso) DISCRETE N 250 450.0 5.6 3.5 27.3 14.7 3.6 32
IRFI644G TO-220 FullPak (Iso) DISCRETE N 250 280.0 7.9 5 45.3 23.3 3.1 40
IRFL214 SOT-223 DISCRETE N 250 2000.0 0.79 0.5 5.5 3.0 60 2.0
IRFP244 TO-247AC DISCRETE N 250 280.0 15 9.7 42.0 26.0 0.83 150
IRFP254 TO-247AC DISCRETE N 250 140.0 23 15 93.3 47.3 0.65 190
IRFP254N TO-247AC DISCRETE N 250 125.0 23 16 66.7 29.3 0.68 220
IRFP264 TO-247AC DISCRETE N 250 75.0 38 24 140.0 65.3 0.45 280
IRFR214 D-Pak DISCRETE N 250 2000.0 2.2 1.4 5.5 3.0 5 25
IRFR224 D-Pak DISCRETE N 250 1100.0 3.8 2.4 9.3 5.2 3 42
IRFU214 I-Pak DISCRETE N 250 2000.0 2.2 1.4 5.5 3.0 5.0 25
IRFU224 I-Pak DISCRETE N 250 1100.0 3.8 2.4 9.3 5.2 3.0 42
Polarity - полярность
V(BR)DSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток
RDS(on) (Static Drain-to-Source On-Resistance) - сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком
ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока
QG Typ (Total Gate Charge) - типичный совокупный заряд затвора
QGD Typ (Gate-to-Drain ("Miller") Charge) - типичный заряд затвор-сток (заряд "Миллера")
Rth(JC) (Maximum Thermal Resistance, Junction to Case) - максимальное температурное сопротивление переход-корпус
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы International Rectifier,

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники