Поиск по сайту:

 

По базе:  
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > International Rectifier > MOSFET

реклама
 




Мероприятия:




Дискретные N-канальные силовые полевые МОП транзисторы технологии HEXFET® на напряжение 200 В

Типономинал Корпус Схема Polarity VBRdss (V) RDS(on) 4.5V (mohms) RDS(on) 10V (mohms) ID @ 25C (A) Id @ 100C (A) QG Typ QGD Typ Rth(JC) Мощность рассеяния (W)
IRC630 TO-220 5-Pin (HEXSense) DISCRETE N 200   400.0 9 5.7 43.0 23.0 1.7 74
IRC640 TO-220 5-Pin (HEXSense) DISCRETE N 200   180.0 18 11 70.0 39.0 1.00 125
IRF5801 TSOP-6 (Micro 6) DISCRETE N 200   2200.0 0.6 0.48 3.9 2.2 62.5 2.0
IRF610 TO-220AB DISCRETE N 200   1500.0 3.3 2.1 5.5 3.0 3.5 36
IRF610S D2-Pak DISCRETE N 200   1500.0 3.3 2.1 5.5 3.0 3.5 36
IRF620 TO-220AB DISCRETE N 200   800.0 5.2 3.3 9.3 5.3 2.5 50
IRF620S D2-Pak DISCRETE N 200   800.0 5.2 3.3 9.3 5.3 2.5 50
IRF630N TO-220AB DISCRETE N 200   300.0 9.5 6.8 23.3 11.3 1.83 82
IRF630NL TO-262 DISCRETE N 200   300.0 9.5 6.8 23.3 11.3 1.83 82
IRF630NS D2-Pak DISCRETE N 200   300.0 9.5 6.8 23.3 11.3 1.83 82
IRF640N TO-220AB DISCRETE N 200   150.0 18 13 44.7 22.0 1.00 150
IRF640NL TO-262 DISCRETE N 200   150.0 18 13 44.7 22.0 1.00 150
IRF640NS D2-Pak DISCRETE N 200   150.0 18 13 44.7 22.0 1.00 150
IRF7450 SO-8 DISCRETE N 200   170.0 2.5 1.7 26.0 12.0 50 3.0
IRF7464 SO-8 DISCRETE N 200   730.0 1.2 1 9.5 4.6 50 2.5
IRF7492 SO-8 DISCRETE N 200   79.0 3.7 3 39.0 15.0 50 2.5
IRFB17N20D TO-220AB DISCRETE N 200   170.0 16 12 33.0 16.0 1.1 140
IRFB23N20D TO-220AB DISCRETE N 200   100.0 24 17 57.0 27.0 0.90 170
IRFB260N TO-220AB DISCRETE N 200   40.0 56 40 150.0 67.0 0.40 380
Типономинал Корпус Схема Polarity VBRdss (V) RDS(on) 4.5V (mohms) RDS(on) 10V (mohms) ID @ 25C (A) Id @ 100C (A) QG Typ QGD Typ Rth(JC) Мощность рассеяния (W)
IRFB31N20D TO-220AB DISCRETE N 200   82.0 31 22 70.0 33.0 0.75 200
IRFB38N20D TO-220AB DISCRETE N 200   54.0 44 32 60.0 28.0 0.47 320
IRFB42N20D TO-220AB DISCRETE N 200   55.0 42.6 30 91.0 43.0 0.50 300
IRFBA90N20D Super 220 (TO-273AA) DISCRETE N 200   23.0 98 71 160.0 75.0 0.23
IRFD210 HEXDIP DISCRETE N 200   1500.0 0.6 0.38 5.5 3.0 120 1.3
IRFD220 HEXDIP DISCRETE N 200   800.0 0.8 0.5 9.3 5.3 120 1.3
IRFI620G TO-220 FullPak (Iso) DISCRETE N 200   800.0 4.1 2.6 9.3 5.3 4.1 30
IRFI630G TO-220 FullPak (Iso) DISCRETE N 200   400.0 5.9 3.7 28.7 15.3 3.6 32
IRFI640G TO-220 FullPak (Iso) DISCRETE N 200   180.0 9.8 6.2 46.7 26.0 3.1 40
IRFL210 SOT-223 DISCRETE N 200   1500.0 0.96 0.6 5.5 3.0 60 2.0
IRFP240 TO-247AC DISCRETE N 200   180.0 20 12 46.7 26.0 0.83 150
IRFP250N TO-247AC DISCRETE N 200   75.0 30 21 82.0 38.0 0.70 214
IRFP260N TO-247AC DISCRETE N 200   40.0 49 35 156.0 73.3 0.50 300
IRFR13N20D D-Pak DISCRETE N 200   235.0 14 9.5 25.0 12.0 1.4 110
IRFR210 D-Pak DISCRETE N 200   1500.0 2.6 1.7 5.5 3.0 5 25
IRFR220N D-Pak DISCRETE N 200   600.0 5 3.5 15.0 6.1 3.5 43
IRFR9N20D D-Pak DISCRETE N 200   380.0 9.4 6.7 18.0 9.0 1.75 86
IRFS17N20D D2-Pak DISCRETE N 200   170.0 16 12 33.0 16.0 1.1 140
IRFS23N20D D2-Pak DISCRETE N 200   100.0 24 17 57.0 27.0 0.90 170
Типономинал Корпус Схема Polarity VBRdss (V) RDS(on) 4.5V (mohms) RDS(on) 10V (mohms) ID @ 25C (A) Id @ 100C (A) QG Typ QGD Typ Rth(JC) Мощность рассеяния (W)
IRFS31N20D D2-Pak DISCRETE N 200   82.0 31 22 70.0 33.0 0.75 200
IRFS38N20D D2-Pak DISCRETE N 200   54.0 44 32 60.0 28.0 0.47 320
IRFSL17N20D TO-262 DISCRETE N 200   170.0 16 12 33.0 16.0 1.1 140
IRFSL23N20D TO-262 DISCRETE N 200   100.0 24 17 57.0 27.0 0.90 170
IRFSL31N20D TO-262 DISCRETE N 200   82.0 31 22 70.0 33.0 0.75 200
IRFSL38N20D TO-262 DISCRETE N 200   54.0 44 32 60.0 28.0 0.47 320
IRFSL42N20D TO-262 DISCRETE N 200   55.0 42.6 30 103.0 48.0 0.50 300
IRFU13N20D I-Pak DISCRETE N 200   235.0 14 9.5 25.0 12.0 1.4 110
IRFU210 I-Pak DISCRETE N 200   1500.0 2.6 1.7 5.5 3.0 5 25
IRFU220N I-Pak DISCRETE N 200   600.0 5 3.5 15.0 6.1 3.5 43
IRFU9N20D I-Pak DISCRETE N 200   380.0 9.4 6.7 18.0 9.0 1.75 86
IRL620 TO-220AB DISCRETE N 200 1000.0   5.2 3.3 10.7 6.4 2.5 50
IRL620S D2-Pak DISCRETE N 200 1000.0   5.2 3.3 10.7 6.4 2.5 50
IRL630 TO-220AB DISCRETE N 200 500.0   9 5.7 26.7 16.0 1.7 74
IRL630S D2-Pak DISCRETE N 200 500.0   9 5.7 26.7 16.0 1.7 74
IRL640 TO-220AB DISCRETE N 200 270.0   17 11 44.0 25.3 1.00 125
IRL640S D2-Pak DISCRETE N 200 270.0   17 11 44.0 25.3 1.00 125
IRLI620G TO-220 FullPak (Iso) DISCRETE N 200 1000.0   4.1 2.6 10.7 6.4 4.1 30
IRLI630G TO-220 FullPak (Iso) DISCRETE N 200 500.0   5.9 3.7 26.7 16.0 3.6 32
IRLI640G TO-220 FullPak (Iso) DISCRETE N 200 270.0   9.8 6.2 44.0 25.3 3.1 40
Polarity - полярность
V(BR)DSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток
RDS(on) (Static Drain-to-Source On-Resistance) - сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком
ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока
QG Typ (Total Gate Charge) - типичный совокупный заряд затвора
QGD Typ (Gate-to-Drain ("Miller") Charge) - типичный заряд затвор-сток (заряд "Миллера")
Rth(JC) (Maximum Thermal Resistance, Junction to Case) - максимальное температурное сопротивление переход-корпус
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы International Rectifier,

поставщики электронных компонентов





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (995) 900 6254. e-mail:info@eust.ru
©1998-2023 Рынок Микроэлектроники