Дискретные N-канальные силовые полевые МОП транзисторы технологии HEXFET® на напряжение 150 В

Типономинал	Корпус	Схема	Polarity	VBRdss (V)	RDS(on) 10V (mohms)	ID @ 25C (A)	Id @ 100C (A)	QG Typ	QGD Typ	Rth(JC)	Мощность рассеяния (W)
IRF3315	TO-220AB	DISCRETE	N	150	70.0	21	15	63.3	31.3	1.6	94
IRF3315L	TO-262	DISCRETE	N	150	82.0	21	15	63.3	31.3	1.6	94
IRF3315S	D2-Pak	DISCRETE	N	150	82.0	21	15	63.3	31.3	1.6	94
IRF3415	TO-220AB	DISCRETE	N	150	42.0	43	30	133.3	65.3	0.75	200
IRF3415L	TO-262	DISCRETE	N	150	42.0	43	30	133.3	65.3	0.75	200
IRF3415S	D2-Pak	DISCRETE	N	150	42.0	43	30	133.3	65.3	0.75	3.8
IRF3515L	TO-262	DISCRETE	N	150	45.0	41	29	71.3	43.3	0.75	200
IRF3515S	D2-Pak	DISCRETE	N	150	45.0	41	29	71.3	43.3	0.75	200
IRF5802	TSOP-6 (Micro 6)	DISCRETE	N	150	1200.0	0.9	0.7	4.5	2.4	62.5	2.0
IRF7451	SO-8	DISCRETE	N	150	90.0	3.6	2.8	28.0	13.0	50	2.5
IRF7465	SO-8	DISCRETE	N	150	280.0	1.9	1.5	10.0	5.0	50	2.5
IRF7494	SO-8	DISCRETE	N	150	44.0	5.2	3.7	36.0	13.0	50	3.0
IRFB23N15D	TO-220AB	DISCRETE	N	150	90.0	23	17	37.0	19.0	1.1	3.8
IRFB33N15D	TO-220AB	DISCRETE	N	150	56.0	33	24	60.0	27.0	0.90	3.8
IRFB41N15D	TO-220AB	DISCRETE	N	150	45.0	41	29	72.0	35.0	0.75	200
IRFB52N15D	TO-220AB	DISCRETE	N	150	32.0	60	43	60.0	28.0	0.47	320
Типономинал	Корпус	Схема	Polarity	VBRdss (V)	RDS(on) 10V (mohms)	ID @ 25C (A)	Id @ 100C (A)	QG Typ	QGD Typ	Rth(JC)	Мощность рассеяния (W)
IRFB61N15D	TO-220AB	DISCRETE	N	150	32.0	60	42	95.0	45.0	0.45	330
IRFIB41N15D	TO-220 FullPak (Iso)	DISCRETE	N	150	45.0	41	29	72.0	35.0	0.75	200
IRFL4315	SOT-223	DISCRETE	N	150	185.0	2.6	2.1	12.0	6.8	45	2.8
IRFP3415	TO-247AC	DISCRETE	N	150	42.0	43	30	133.3	65.3	0.75	200
IRFPS3815	Super 247 (TO-274AA)	DISCRETE	N	150	15.0	105	74	260.0	153.3	0.34	441
IRFR13N15D	D-Pak	DISCRETE	N	150	180.0	14	9.8	19.0	9.4	1.75	86
IRFR18N15D	D-Pak	DISCRETE	N	150	125.0	18	13	28.0	14.0	1.4	110
IRFR24N15D	D-Pak	DISCRETE	N	150	95.0	24	17	30.0	17.0	1.1	140
IRFS23N15D	D2-Pak	DISCRETE	N	150	90.0	23	17	37.0	19.0	1.1	3.8
IRFS33N15D	D2-Pak	DISCRETE	N	150	56.0	33	24	60.0	27.0	0.90	3.8
IRFS41N15D	D2-Pak	DISCRETE	N	150	45.0	41	29	72.0	35.0	0.75	200
IRFS52N15D	D2-Pak	DISCRETE	N	150	32.0	60	43	60.0	28.0	0.47	320
IRFSL23N15D	TO-262	DISCRETE	N	150	90.0	23	17	37.0	19.0	1.1	3.8
IRFSL33N15D	TO-262	DISCRETE	N	150	56.0	33	24	60.0	27.0	0.90	3.8
IRFSL41N15D	TO-262	DISCRETE	N	150	45.0	41	29	72.0	35.0	0.75	200
IRFSL52N15D	TO-262	DISCRETE	N	150	32.0	60	43	60.0	28.0	0.47	320
IRFU13N15D	I-Pak	DISCRETE	N	150	180.0	14	9.8	19.0	9.4	1.75	86
IRFU18N15D	I-Pak	DISCRETE	N	150	125.0	18	13	28.0	14.0	1.4	110
IRFU24N15D	I-Pak	DISCRETE	N	150	95.0	24	17	30.0	17.0	1.1	140
Типономинал	Корпус	Схема	Polarity	VBRdss (V)	RDS(on) 10V (mohms)	ID @ 25C (A)	Id @ 100C (A)	QG Typ	QGD Typ	Rth(JC)	Мощность рассеяния (W)
IRL3215	TO-220AB	DISCRETE	N	150	166.0	12	8.5	20.7	14.0	1.9	80
IRLI3615	TO-220 FullPak (Iso)	DISCRETE	N	150	85.0 (95.0 для 4.5В)	14	9.8	93.3	35.3	3.3	45

Polarity - полярность

V(BR)DSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток

RDS(on) (Static Drain-to-Source On-Resistance) - сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком

ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока

QG Typ (Total Gate Charge) - типичный совокупный заряд затвора

QGD Typ (Gate-to-Drain ("Miller") Charge) - типичный заряд затвор-сток (заряд "Миллера")

Rth(JC) (Maximum Thermal Resistance, Junction to Case) - максимальное температурное сопротивление переход-корпус

---

---

Главная - Микросхемы - DOC - ЖКИ - Источники питания - Электромеханика - Интерфейсы - Программы - Применения - Статьи