Поиск по сайту:

 

По базе:  
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > International Rectifier > MOSFET

реклама
 




Мероприятия:




Дискретные N-канальные силовые полевые МОП транзисторы технологии HEXFET® на напряжение 12-20 В

Типономинал Корпус Схема Polarity VBRdss (V) RDS(on) 2.7V (mohms) RDS(on) 4.5V (mohms) RDS(on) 10V (mohms) ID @ 25C (A) Id @ 100C (A) QG Typ QGD Typ Rth(JC) Мощность рассеяния (W)
IRF1302 TO-220AB DISCRETE N 20     4.0 180 130 79.0 31.0 0.65 230
IRF1302L TO-262 DISCRETE N 20     4.0 174 120 79.0 31.0 0.74 200
IRF1302S D2-Pak DISCRETE N 20     4.0 174 120 79.0 31.0 0.74 200
IRF1902 SO-8 DISCRETE N 20 170.0 85.0   4.2 3.4 5.0 1.8 20 2.5
IRF3704 TO-220AB DISCRETE N 20   13.5 9.0 64 54 19.0 6.4 1.7 90
IRF3704L TO-262 DISCRETE N 20   13.5 9.0 64 54 19.0 6.4 1.7 90
IRF3704S D2-Pak DISCRETE N 20   13.5 9.0 64 54 19.0 6.4 1.7 90
IRF3704Z TO-220AB DISCRETE N 20   11.1 7.9 67 47 8.7 2.3 2.65 57
IRF3704ZCL TO-262 DISCRETE N 20   11.1 7.9 67 47 8.7 2.3 2.65 57
IRF3704ZCS D2-Pak DISCRETE N 20   11.1 7.9 67 47 8.7 2.3 2.65 57
IRF3704ZL TO-262 DISCRETE N 20   11.1 7.9 67 47 8.7 2.3 2.65 57
IRF3704ZS D2-Pak DISCRETE N 20   11.1 7.9 67 47 8.7 2.3 2.65 57
IRF3706 TO-220AB DISCRETE N 20 22.0 10.5 8.5 77 54 23.0 5.5 1.7 88
IRF3706L TO-262 DISCRETE N 20 22.0 10.5 8.5 77 54 23.0 5.5 1.7 88
IRF3706S D2-Pak DISCRETE N 20 22.0 10.5 8.5 77 54 23.0 5.5 1.7 88
IRF3711 TO-220AB DISCRETE N 20   8.5 6.0 110 69 29.0 8.9 1.04 120
IRF3711L TO-262 DISCRETE N 20   8.5 6.0 110 69 29.0 8.9 1.04 120
IRF3711S D2-Pak DISCRETE N 20   8.5 6.0 110 69 29.0 8.9 1.04 120
IRF3711Z TO-220AB DISCRETE N 20   7.3 6.0 92 65 16.0 5.3 1.89 79
Типономинал Корпус Схема Polarity VBRdss (V) RDS(on) 2.7V (mohms) RDS(on) 4.5V (mohms) RDS(on) 10V (mohms) ID @ 25C (A) Id @ 100C (A)> QG Typ QGD Typ Rth(JC) Мощность рассеяния (W)
IRF3711ZCL TO-262 DISCRETE N 20   7.3 6.0 92 65 16.0 5.3 1.89 79
IRF3711ZCS D2-Pak DISCRETE N 20   7.3 6.0 92 65 16.0 5.3 1.89 79
IRF3711ZL TO-262 DISCRETE N 20   7.3 6.0 92 65 16.0 5.3 1.89 79
IRF3711ZS D2-Pak DISCRETE N 20   7.3 6.0 92 65 16.0 5.3 1.89 79
IRF3717 SO-8 DISCRETE N 20   5.7 4.4 20 16 22.0 7.3 50 2.5
IRF6601 DirectFET MT DISCRETE N 20   5.0 3.8 26 20 36.0 12.0 3 42
IRF6602 DirectFET MQ DISCRETE N 20   19.0 13.0 14 11.5 13.0 4.8 3 42
IRF6609 DirectFET MT DISCRETE N 20   2.6 2.0 31 25 46.0 15.0 1.4 89
IRF6620 DirectFET MX DISCRETE N 20   3.6 2.7 27 22 28.0 8.8 1.4 89
IRF6623 DirectFET ST DISCRETE N 20   9.7 5.7 16 13 11.0 4.0 3.0 42
IRF7401 SO-8 DISCRETE N 20 30.0 22.0   8.7 7 32.0 13.3 50 2.5
IRF7402 SO-8 DISCRETE N 20 50.0 35.0   6.8 5.4 14.0 6.3 50 2.5
IRF7456 SO-8 DISCRETE N 20 20.0 7.5 6.5 16 10 41.0 18.0 50 2.5
IRF7457 SO-8 DISCRETE N 20   10.5 7.0 15 12 28.0 10.0 50 2.5
IRF7459 SO-8 DISCRETE N 20 22.0 11.0 9.0 10 8 23.0 6.3 50 2.5
IRF7460 SO-8 DISCRETE N 20   14.0 10.0 10 8 19.0 6.0 50 2.5
IRF7475 SO-8 DISCRETE N 12 50.0 15.0   11 1.6 13.0 3.9 50 2.5
IRF7476 SO-8 DISCRETE N 12 30.0 8.0   15 12 26.0 11.0 50 2.5
IRF7601 Micro 8 DISCRETE N 20 50.0 35.0   5.7 4.6 14.0 6.3 70 1.8
IRF7607 Micro 8 DISCRETE N 20 45.0 30.0   6.5 5.2 22.0 3.5 70 1.8
Типономинал Корпус Схема Polarity VBRdss (V) RDS(on) 2.7V (mohms) RDS(on) 4.5V (mohms) RDS(on) 10V (mohms) ID @ 25C (A) Id @ 100C (A) QG Typ QGD Typ Rth(JC) Мощность рассеяния (W)
IRFR3704 D-Pak DISCRETE N 20   14.0 9.5 62 52 19.0 6.4 1.7 90
IRFR3704Z D-Pak DISCRETE N 20   11.4 8.4 60 42 9.3 2.7 3.1 48
IRFR3706 D-Pak DISCRETE N 20 23.0 11.0 9.0 75 53 23.0 5.5 1.7 88
IRFR3711 D-Pak DISCRETE N 20   8.5 6.5 110 69 29.0 8.9 1.04 120
IRFR3711Z D-Pak DISCRETE N 20   7.8 5.7 93 66 18.0 6.5 1.9 79
IRFU3704 I-Pak DISCRETE N 20   14.0 9.5 62 52 19.0 6.4 1.7 90
IRFU3704Z I-Pak DISCRETE N 20   11.4 8.4 60 42 9.3 2.7 3.1 48
IRFU3706 I-Pak DISCRETE N 20 23.0 11.0 9.0 75 53 23.0 5.5 1.7 88
IRFU3711 I-Pak DISCRETE N 20   8.5 6.5 110 69 29.0 8.9 1.04 120
IRFU3711Z I-Pak DISCRETE N 20   7.8 5.7 93 66 18.0 6.5 1.9 79
IRL3102 TO-220AB DISCRETE N 20   15.0   61 39 38.7 14.0 1.4 89
IRL3102S D2-Pak DISCRETE N 20   15.0   61 39 38.7 14.0 1.4 89
IRL3202 TO-220AB DISCRETE N 20   19.0   48 30 28.7 8.7 1.8 69
IRL3202S D2-Pak DISCRETE N 20   19.0   48 30 28.7 8.7 1.8 69
IRL3302 TO-220AB DISCRETE N 20   23.0   39 25 20.7 8.7 2.2 57
IRL3302S D2-Pak DISCRETE N 20   23.0   39 25 20.7 8.7 2.2 57
IRL3402 TO-220AB DISCRETE N 20   10.0   85 54 52.0 20.0 1.1 110
IRL3402S D2-Pak DISCRETE N 20   10.0   85 54 52.0 20.0 1.1 110
IRL3502 TO-220AB DISCRETE N 20   8.0   110 67 73.3 26.0 0.89 140
Типономинал Корпус Схема Polarity VBRdss (V) RDS(on) 2.7V (mohms) RDS(on) 4.5V (mohms) RDS(on) 10V (mohms) ID @ 25C (A) Id @ 100C (A) QG Typ QGD Typ Rth(JC) Мощность рассеяния (W)
IRL3502S D2-Pak DISCRETE N 20   8.0   110 67 73.3 26.0 0.89 140
IRL3714 TO-220AB DISCRETE N 20   28.0 20.0 35 29 6.5 2.9 3.5 43
IRL3714L TO-262 DISCRETE N 20   28.0 20.0 35 29 6.5 2.9 3.5 43
IRL3714S D2-Pak DISCRETE N 20   28.0 20.0 35 29 6.5 2.9 3.5 43
IRL3714Z TO-220AB DISCRETE N 20   26.0 16.0 36 25 4.8 1.7 4.3 35
IRL3714ZL TO-262 DISCRETE N 20   26.0 16.0 36 25 4.8 1.7 4.3 35
IRL3714ZS D2-Pak DISCRETE N 20   26.0 16.0 36 25 4.8 1.7 4.3 35
IRL3715 TO-220AB DISCRETE N 20   20.0 14.0 54 38 11.0 4.4 2.1 71
IRL3715L TO-262 DISCRETE N 20   20.0 14.0 54 38 11.0 4.4 2.1 71
IRL3715S D2-Pak DISCRETE N 20   20.0 14.0 54 38 11.0 4.4 2.1 71
IRL3715Z TO-220AB DISCRETE N 20   15.5 11.0 50 36 7.0 2.3 3.3 45
IRL3715ZCL TO-262 DISCRETE N 20   15.5 11.0 50 36 7.0 2.3 3.3 45
IRL3715ZCS D2-Pak DISCRETE N 20   15.5 11.0 50 36 7.0 2.3 3.3 45
IRL3715ZL TO-262 DISCRETE N 20   15.5 11.0 50 36 7.0 2.3 3.3 45
IRL3715ZS D2-Pak DISCRETE N 20   15.5 11.0 50 36 7.0 2.3 3.3 45
IRL3716 TO-220AB DISCRETE N 20   4.8 4.0 180 130 53.0 24.0 0.72 210
IRL3716L TO-262 DISCRETE N 20   4.8 4.0 180 130 53.0 24.0 0.72 210
IRL3716S D2-Pak DISCRETE N 20   4.8 4.0 180 130 53.0 24.0 0.72 210
IRLML2402 Micro 3/ SOT-23 DISCRETE N 20 350.0 250.0   1.2 0.95 2.6 1.1 230 0.54
Типономинал Корпус Схема Polarity VBRdss (V) RDS(on) 2.7V (mohms) RDS(on) 4.5V (mohms) RDS(on) 10V (mohms) ID @ 25C (A) Id @ 100C (A) QG Typ QGD Typ Rth(JC) Мощность рассеяния (W)
IRLML2502 Micro 3/ SOT-23 DISCRETE N 20 80.0 45.0   4.2 3.4 8.0 1.7 100 1.3
IRLMS1902 TSOP-6 (Micro 6) DISCRETE N 20 170.0 100.0   3.2 2.6 4.7 1.8 75 1.7
IRLMS2002 TSOP-6 (Micro 6) DISCRETE N 20 45.0 30.0   6.5 5.2 15.0 3.5 62.5 2.0
IRLR3714 D-Pak DISCRETE N 20   28.0 20.0 36 31 6.5 2.9 3.2 47
IRLR3714Z D-Pak DISCRETE N 20   25.0 15.0 37 26 4.7 1.7 4.28 35
IRLR3715 D-Pak DISCRETE N 20   20.0 14.0 54 38 11.0 4.4 2.1 71
IRLR3715Z D-Pak DISCRETE N 20   15.5 11.0 49 35 7.2 2.6 3.75 40
IRLR3717 D-Pak DISCRETE N 20   5.7 4.2 120 81 21.0 7.2 1.69 89
IRLR3802 D-Pak DISCRETE N 12 30.0 8.5   84 60 27.0 10.0 1.7 88
IRLU3714 I-Pak DISCRETE N 20   28.0 20.0 36 31 6.5 2.9 3.2 47
IRLU3714Z I-Pak DISCRETE N 20   25.0 15.0 37 26 4.7 1.7 4.28 35
IRLU3715 I-Pak DISCRETE N 20   20.0 14.0 54 38 11.0 4.4 2.1 71
IRLU3715Z I-Pak DISCRETE N 20   15.5 11.0 49 35 7.2 2.6 3.75 40
IRLU3717 I-Pak DISCRETE N 20   5.7 4.2 120 81 21.0 7.2 1.69 89
IRLU3802 I-Pak DISCRETE N 12 30.0 8.5   84 60 27.0 10.0 1.7 88
Polarity - полярность
V(BR)DSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток
RDS(on) (Static Drain-to-Source On-Resistance) - сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком
ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока
QG Typ (Total Gate Charge) - типичный совокупный заряд затвора
QGD Typ (Gate-to-Drain ("Miller") Charge) - типичный заряд затвор-сток (заряд "Миллера")
Rth(JC) (Maximum Thermal Resistance, Junction to Case) - максимальное температурное сопротивление переход-корпус
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы International Rectifier,

поставщики электронных компонентов





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (995) 900 6254. e-mail:info@eust.ru
©1998-2023 Рынок Микроэлектроники