В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > International Rectifier > MOSFET

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



Дискретные N-канальные силовые полевые МОП транзисторы технологии HEXFET® для поверхностного монтажа на напряжение 100 В

Типономинал Корпус Схема Polarity VBRdss (V) RDS(on) 4.5V (mohms) RDS(on) 10V (mohms) ID @ 25C (A) Id @ 100C (A) QG Typ QGD Typ Rth(JC) Мощность рассеяния (W)
IRF1310NS D2-Pak DISCRETE N 100   36.0 42 30 73.3 38.7 0.95 3.8
IRF3710S D2-Pak DISCRETE N 100   23.0 57 40 86.7 28.0 0.75 3.8
IRF3710ZS D2-Pak DISCRETE N 100   18.0 59 42 82.0 27.0 0.92 160
IRF510S D2-Pak DISCRETE N 100   540.0 5.6 4 5.5 2.5 3.5 43
IRF520NS D2-Pak DISCRETE N 100   200.0 9.5 6.7 16.7 7.3 3.2 47
IRF520VS D2-Pak DISCRETE N 100   165.0 9.6 6.8 14.7 4.7 3.4 44
IRF530NS D2-Pak DISCRETE N 100   90.0 17 12 24.7 4.8 1.9 3.8
IRF540NS D2-Pak DISCRETE N 100   44.0 33 23 47.3 14.0 1.1 3.8
IRF540ZS D2-Pak DISCRETE N 100   26.5 36 25 42.0 15.0 1.64 92
IRF7452 SO-8 DISCRETE N 100   60.0 4.5 3.6 33.0 16.0 50 2.5
IRF7473 SO-8 DISCRETE N 100   26.0 6.9 5.7 61.0 19.0 50 2.5
IRF7490 SO-8 DISCRETE N 100   39.0 5.4 4.3 37.0 10.0 50 2.5
IRF7495 SO-8 DISCRETE N 100   22.0 7.3 4.6 34.0 11.7 50 2.5
IRF8010S D2-Pak DISCRETE N 100   15.0 80 57 81.0 26.0 0.57 260
IRFL110 SOT-223 DISCRETE N 100   540.0 1.5 0.96 5.5 2.5 60 2.0
IRFL4310 SOT-223 DISCRETE N 100   200.0 1.6 1.3 17.0 7.8 60 2.1
IRFR110 D-Pak DISCRETE N 100   540.0 4.3 2.7 5.5 2.5 5 25
IRFR120N D-Pak DISCRETE N 100   210.0 9.1 5.8 16.7 7.3 3.2 39
IRFR120Z D-Pak DISCRETE N 100   190.0 8.7 6.1 6.9 3.1 4.28 35
IRFR3410 D-Pak DISCRETE N 100   39.0 31 22 37.0 11.0 1.4 110
Типономинал Корпус Схема Polarity VBRdss (V) RDS(on) 4.5V (mohms) RDS(on) 10V (mohms) ID @ 25C (A) Id @ 100C (A) QG Typ QGD Typ Rth(JC) Мощность рассеяния (W)
IRFR3411 D-Pak DISCRETE N 100   44.0 32 23 48.0 14.0 1.2 130
IRFR3412 D-Pak DISCRETE N 100   25.0 48 34 59.0 17.0 1.05 140
IRFR3710Z D-Pak DISCRETE N 100   18.0 56 39 69.0 25.0 1.05 140
IRFR3910 D-Pak DISCRETE N 100   115.0 15 9.5 29.3 14.0 2.4 52
IRFR3911 D-Pak DISCRETE N 100   115.0 14 9.5 21.0 6.6 2.7 56
IRFS4710 D2-Pak DISCRETE N 100   14.0 75 53 110.0 40.0 0.74 200
IRFS59N10D D2-Pak DISCRETE N 100   25.0 59 42 76.0 36.0 0.50 200
IRL2910S D2-Pak DISCRETE N 100   26.0 55 39 93.3 54.0 0.75 3.8
IRL520NS D2-Pak DISCRETE N 100   180.0 10 7.1 13.3 6.7 3.1 3.8
IRL530NS D2-Pak DISCRETE N 100 150.0 100.0 17 12 22.7 13.3 1.9 3.8
IRL540NS D2-Pak DISCRETE N 100 63.0 44.0 36 26 49.3 25.3 1.1 3.8
IRLL110 SOT-223 DISCRETE N 100 760.0   1.5 0.93 4.1 2.2 60 3.1
IRLR110 D-Pak DISCRETE N 100 760.0   4.3 2.7 4.1 2.2 5 25
IRLR120N D-Pak DISCRETE N 100 265.0 185.0 11 6.9 13.3 6.7 3.2 39
IRLR3410 D-Pak DISCRETE N 100 155.0 105.0 15 9.5 22.7 13.3 2.4 52
Polarity - полярность
V(BR)DSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток
RDS(on) (Static Drain-to-Source On-Resistance) - сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком
ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока
QG Typ (Total Gate Charge) - типичный совокупный заряд затвора
QGD Typ (Gate-to-Drain ("Miller") Charge) - типичный заряд затвор-сток (заряд "Миллера")
Rth(JC) (Maximum Thermal Resistance, Junction to Case) - максимальное температурное сопротивление переход-корпус
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы International Rectifier,

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники