Дискретные N-канальные силовые полевые МОП транзисторы технологии HEXFET® на напряжение 1000 В
| Типономинал |
Корпус |
Схема |
Polarity |
VBRdss (V) |
RDS(on) 10V (mohms) |
ID @ 25C (A) |
Id @ 100C (A) |
QG Typ |
QGD Typ |
Rth(JC) |
Мощность рассеяния (W) |
 IRFBG20 |
TO-220AB |
DISCRETE |
N |
1000 |
11000.0 |
1.4 |
0.86 |
25.3 |
14.7 |
2.3 |
54 |
| IRFBG30 |
TO-220AB |
DISCRETE |
N |
1000 |
5000.0 |
3.1 |
2 |
53.3 |
28.0 |
1.00 |
125 |
| IRFPG30 |
TO-247AC |
DISCRETE |
N |
1000 |
5000.0 |
3.1 |
2 |
53.3 |
28.0 |
1.00 |
125 |
| IRFPG40 |
TO-247AC |
DISCRETE |
N |
1000 |
3500.0 |
4.3 |
2.7 |
80.0 |
43.3 |
0.83 |
150 |
| IRFPG50 |
TO-247AC |
DISCRETE |
N |
1000 |
2000.0 |
6.1 |
3.9 |
126.7 |
73.3 |
0.65 |
190 |
- Polarity - полярность
- V(BR)DSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток
- RDS(on) (Static Drain-to-Source On-Resistance) - сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком
- ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока
- QG Typ (Total Gate Charge) - типичный совокупный заряд затвора
- QGD Typ (Gate-to-Drain ("Miller") Charge) - типичный заряд затвор-сток (заряд "Миллера")
- Rth(JC) (Maximum Thermal Resistance, Junction to Case) - максимальное температурное сопротивление переход-корпус
|
