В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > International Rectifier > MOSFET

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



Дискретные N-канальные силовые полевые МОП транзисторы технологии HEXFET® на напряжение 100 В

Типономинал Корпус Схема Polarity VBRdss (V) RDS(on) 4.5V (mohms) RDS(on) 10V (mohms) ID @ 25C (A) Id @ 100C (A) QG Typ QGD Typ Rth(JC) Мощность рассеяния (W)
IRC530 TO-220 5-Pin (HEXSense) DISCRETE N 100   160.0 14 10 26.0 11.0 1.7 88
IRC540 TO-220 5-Pin (HEXSense) DISCRETE N 100   77.0 28 20 69.0 37.0 1.00 150
IRF1310N TO-220AB DISCRETE N 100   36.0 42 30 73.3 38.7 0.95 160
IRF1310NL TO-262 DISCRETE N 100   36.0 42 30 73.3 38.7 0.95 160
IRF3710 TO-220AB DISCRETE N 100   23.0 57 40 86.7 28.0 0.75 200
IRF3710L TO-262 DISCRETE N 100   23.0 57 40 86.7 28.0 0.75 200
IRF3710Z TO-220AB DISCRETE N 100   18.0 59 42 82.0 27.0 0.92 160
IRF3710ZL TO-262 DISCRETE N 100   18.0 59 42 82.0 27.0 0.92 160
IRF510 TO-220AB DISCRETE N 100   540.0 5.6 4 5.5 2.5 3.5 43
IRF520N TO-220AB DISCRETE N 100   200.0 9.7 6.8 16.7 7.3 3.1 48
IRF520V TO-220AB DISCRETE N 100   165.0 9.6 6.8 14.7 4.7 3.4 44
IRF520VL TO-262 DISCRETE N 100   165.0 9.6 6.8 14.7 4.7 3.4 44
IRF530N TO-220AB DISCRETE N 100   90.0 17 12 24.7 4.8 1.9 79
IRF530NL TO-262 DISCRETE N 100   90.0 17 12 24.7 4.8 1.9 79
IRF540N TO-220AB DISCRETE N 100   44.0 33 23 47.3 14.0 1.1 140
IRF540NL TO-262 DISCRETE N 100   44.0 33 23 47.3 14.0 1.1 140
Типономинал Корпус Схема Polarity VBRdss (V) RDS(on) 4.5V (mohms) RDS(on) 10V (mohms) ID @ 25C (A) Id @ 100C (A) QG Typ QGD Typ Rth(JC) Мощность рассеяния (W)
IRF540Z TO-220AB DISCRETE N 100   26.5 36 25 42.0 15.0 1.64 92
IRF540ZL TO-262 DISCRETE N 100   26.5 36 25 42.0 15.0 1.64 92
IRF8010 TO-220AB DISCRETE N 100   15.0 80 57 81.0 26.0 0.57 260
IRF8010L TO-262 DISCRETE N 100   15.0 80 57 81.0 26.0 0.57 260
IRFB4710 TO-220AB DISCRETE N 100   14.0 75 53 110.0 40.0 0.74 200
IRFB59N10D TO-220AB DISCRETE N 100   25.0 59 42 76.0 36.0 0.75 200
IRFD110 HEXDIP DISCRETE N 100   540.0 1.0 0.71 5.5 2.5 120 1.3
IRFD120 HEXDIP DISCRETE N 100   270.0 1.3 0.94 10.7 5.1 120 1.3
IRFI1310N TO-220 FullPak (Iso) DISCRETE N 100   36.0 22 16 80.0 38.7 3.3 45
IRFI520N TO-220 FullPak (Iso) DISCRETE N 100   200.0 7.2 5.1 16.7 7.3 5.5 27
IRFI540N TO-220 FullPak (Iso) DISCRETE N 100   52.0 18 13 62.7 28.7 3.6 42
IRFP140N TO-247AC DISCRETE N 100   52.0 27 19 62.7 28.7 1.6 94
IRFP150N TO-247AC DISCRETE N 100   36.0 39 28 73.3 38.7 1.1 140
IRFP150V TO-247AC DISCRETE N 100   24.0 46 32 86.7 28.7 1.1 140
IRFP3710 TO-247AC DISCRETE N 100   250.0 51 36 66.7 17.3 0.83 180
IRFP4710 TO-247AC DISCRETE N 100   14.0 72 51 110.0 40.0 0.81 190
IRFPS3810 Super 247 (TO-274AA) DISCRETE N 100   9.0 141 99 260.0 160.0 0.34 441
Типономинал Корпус Схема Polarity VBRdss (V) RDS(on) 4.5V (mohms) RDS(on) 10V (mohms) ID @ 25C (A) Id @ 100C (A) QG Typ QGD Typ Rth(JC) Мощность рассеяния (W)
IRFSL4710 TO-262 DISCRETE N 100   14.0 75 53 110.0 40.0 0.74 200
IRFSL59N10D TO-262 DISCRETE N 100   25.0 59 42 76.0 36.0 0.75 200
IRFU110 I-Pak DISCRETE N 100   540.0 4.3 2.7 5.5 2.5 5 25
IRFU120N I-Pak DISCRETE N 100   210.0 9.1 5.8 16.7 7.3 3.2 39
IRFU120Z I-Pak DISCRETE N 100   190.0 8.7 6.1 6.9 3.1 4.28 35
IRFU3410 I-Pak DISCRETE N 100   39.0 31 22 37.0 11.0 1.4 110
IRFU3411 I-Pak DISCRETE N 100   44.0 32 23 48.0 14.0 1.2 130
IRFU3412 I-Pak DISCRETE N 100   25.0 48 34 59.0 17.0 1.05 140
IRFU3710Z I-Pak DISCRETE N 100   18.0 56 39 69.0 25.0 1.05 140
IRFU3910 I-Pak DISCRETE N 100   115.0 15 9.5 29.3 14.0 2.4 52
IRFU3911 I-Pak DISCRETE N 100   115.0 14 9.5 21.0 6.6 2.7 56
IRL2910 TO-220AB DISCRETE N 100   260.0 48 34 93.3 54.0 0.75 200
IRL2910L TO-262 DISCRETE N 100   26.0 55 39 93.3 54.0 0.75 190
IRL520N TO-220AB DISCRETE N 100   180.0 10 7.1 13.3 6.7 3.1 48
IRL520NL TO-262 DISCRETE N 100   180.0 10 7.1 13.3 6.7 3.1 48
IRL530N TO-220AB DISCRETE N 100 150.0 100.0 17 12 22.7 13.3 1.9 79
IRL530NL TO-262 DISCRETE N 100 150.0 100.0 17 12 22.7 13.3 1.9 79
IRL540N TO-220AB DISCRETE N 100 63.0 44.0 36 26 49.3 25.3 1.1 140
IRL540NL TO-262 DISCRETE N 100 63.0 44.0 36 26 49.3 25.3 1.1 140
IRLD110 HEXDIP DISCRETE N 100 760.0   1 0.7 4.1 2.2 120 1.3
Типономинал Корпус Схема Polarity VBRdss (V) RDS(on) 4.5V (mohms) RDS(on) 10V (mohms) ID @ 25C (A) Id @ 100C (A) QG Typ QGD Typ Rth(JC) Мощность рассеяния (W)
IRLD120 HEXDIP DISCRETE N 100 380.0   1.3 0.94 8.0 4.7 120 1.3
IRLI2910 TO-220 FullPak (Iso) DISCRETE N 100 40.0 26.0 27 19 93.3 54.0 3.1 48
IRLI520N TO-220 FullPak (Iso) DISCRETE N 100 260.0 180.0 7.7 5.4 13.3 6.7 5.5 27
IRLI530N TO-220 FullPak (Iso) DISCRETE N 100 150.0 100.0 11 7.8 22.7 13.3 4.5 33
IRLI540N TO-220 FullPak (Iso) DISCRETE N 100 63.0 44.0 20 14 49.3 25.3 3.6 42
IRLU120N I-Pak DISCRETE N 100 265.0 185.0 11 6.9 13.3 6.7 3.2 39
IRLU3410 I-Pak DISCRETE N 100 155.0 105.0 15 9.5 22.7 13.3 2.4 52
Polarity - полярность
V(BR)DSS (Drain-to-Source Breakdown Voltage) - напряжение пробоя сток-исток
RDS(on) (Static Drain-to-Source On-Resistance) - сопротивление по постоянному току во включенном состоянии между стоком и истоком
ID (Continuous Drain Current) - продолжительный ток стока
QG Typ (Total Gate Charge) - типичный совокупный заряд затвора
QGD Typ (Gate-to-Drain ("Miller") Charge) - типичный заряд затвор-сток (заряд "Миллера")
Rth(JC) (Maximum Thermal Resistance, Junction to Case) - максимальное температурное сопротивление переход-корпус
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы International Rectifier,

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники