|
Поиск по сайту: |
|
По базе: |
![]() |
| Главная страница > Компоненты > International Rectifier > MOSFET | |||||||||
|
|
|||||||||||
IRF7495Силовой полевой транзистор технологии HEXFET® в корпусе SO-8Отличительные особенности:
Область применения:
Расположение выводов IRF7495:
Корпус IRF7495:
Общее описание: IRF7495 – это полевой n-канальный МОП транзистор, имеющий допустимое напряжение сток-исток 100 В и разработанный специально для применения в полумостовой или мостовой схеме преобразователя в стандартном диапазоне напряжений питания телекоммуникационной аппаратуры (от 36В до 75 В). Он имеет примерно на 17% лучший совокупный показатель производительности, состоящий из сопротивления открытого канала, заряда затвора и добротности этого заряда по сравнению с конкурентами. Новая технология от International Rectifier, предусматривающая специальные канавки на кристалле, существенно улучшает вышеупомянутые параметры, в результате повышается общая производительность преобразователя и достигается снижение температуры кристалла транзистора на 10°С по сравнению с ближайшими конкурентами. Это улучшение производительности особенно заметно, когда транзистор используется в качестве ключа в первичном каскаде преобразователя напряжения с шины 48 В. Меньшая температура p-n перехода означает большую надежность, столь важную в современной телекоммуникационной и сетевой инфраструктуре. Документация:
Главная - Микросхемы - DOC - ЖКИ - Источники питания - Электромеханика - Интерфейсы - Программы - Применения - Статьи |
|||||||||||