В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > International Rectifier > MOSFET

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



IRF6608

Мощный полевой МОП транзистор технологии HEXFET (гексагональная ячейка) в корпусе DirectFET

Отличительные особенности:

  • Напряжение сток-исток – 30 В
  • Сопротивление открытого канала (при Uзи=10 В) – 9 мОм
  • Заряд затвора – 16 нКл
  • Постоянный ток стока (при Tокр.среды=25°С) – 13 А
  • Диапазон рабочих температур – от -40°С до +150°С
  • Специализированный для решения определенных задач
  • Идеальное решение для преобразователей напряжения для питания ядра процессоров
  • Малые потери на переходе
  • Плоский корпус (< 0,7 мм)
  • Охлаждение с обеих сторон корпуса
  • Совместим с существующими технологиями поверхностного монтажа

Расположение выводов IRF6608:

Расположение выводов IRF6608

Корпус IRF6608:

Корпус IRF6608

Общее описание:

Транзистор IRF6608 сочетает в себе достоинства передовой технологии HEXFET® с прогрессивным корпусом DirectFET™, что позволяет достичь наименьшего сопротивления открытого канала в корпусе, аналогичном по площади корпусу MICRO-8 и высотой всего 0,7 мм. Корпус DirectFET совместим с существующим геометрическим расположением, применяемым в источниках питания, с технологическим оборудованием, используемым для изготовления печатных плат и с различными способами пайки – газообразной, инфракрасной или конвекционной. Корпус DirectFET позволяет охлаждать кристалл с обеих сторон для улучшения отвода тепла в источниках питания, что уменьшает и без того рекордно низкое тепловое сопротивление еще на 80%.

IRF6608 имеет сбалансированное сопротивление открытого канала и заряд затвора, что в сочетании со сверхнизкой индуктивностью корпуса позволяет минимизировать потери на переключение и паразитную проводимость. Уменьшение суммарных потерь делает этот прибор идеальным выбором для преобразователей напряжения, используемых для питания последних моделей процессоров, работающих на гиперчастотах. IRF6608 был оптимизирован по параметрам, критически важным для синхронных импульсных преобразователей, таким как сопротивление открытого канала и заряд затвора, чтобы достичь минимальных потерь при работе этого транзистора в качестве управляющего.

Документация:

  163kB Engl Полное описание транзистора IRF6608 фирмы International Rectifier
    Получить консультации и преобрести компоненты вы сможете у официальных поставщиков фирмы International Rectifier,

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники