В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > Hynix > Память

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



HY27(U/S)SXX561M

256 Мбитная NAND Flash память

Характеристики:

  • NAND FLASH память большого объема
        - Эффективное по стоимости решение для приложений хранения больших массивов данных
  • NAND интерфейс
        - Ширина шины x8 или x16
        - Мультиплексирование шины адреса/данных
        - Совместимость по выводам с микросхемами памяти различного объема
  • Напряжение питания
        - 3.3 В приборы: VCC = от 2.7 до 3.6 В: HY27USXX561M
        - 1.8 В приборы: VCC = от 1.7 до 1.95 В: HY27SSXX561M
  • Блочная организация памяти
        - 256 Мбит = 528 байт x 32 страницы x 2 048 блоков
  • Размер страницы
        - x8 приборы: (512 + 16 резервных) байт: HY27US08561M
        - x16 приборы: (256 + 8 резервных) слов: HY27US16561M
  • Размер блока
        - x8 приборы: (16 КБ + 512 резервных) байт
        - x16 приборы: (8 КБ + 256 резервных) слов
  • Постраничное чтение/запись
        - Произвольный доступ: 10 мкс (макс)
        - Последовательная выборка: 50 нс (мин)
        - Время записи страницы: 200 мкс (тип)
  • Режим обратного копирования
        - Высокоскоростное копирование без внешней буферизации
  • Кэширование при записи
        - Внутренний кэш-регистр для повышения пропускной способности при записи
  • Быстрое стирание блоков
        - Время стирания блока: 2 мс (тип)
  • Регистр состояния
  • Электронная подпись
  • Опция игнорирования сигнала активизации микросхемы
        - Простой интерфейс с микроконтроллером
  • После включения автоматическая установка для чтения нулевой страницы
        - Поддержка загрузки из NAND памяти
        - Автоматическая загрузка памяти
  • Опция заводского номера
  • Аппаратная защита данных
        - Блокировка записи/стирания при изменении напряжения питания
  • Целостность данных
        - 100 000 циклов записи/стирания
        - Хранение данных более 10 лет
  • Корпусное исполнение
        - HY27US (08/16) 561M-T (P): 48 контактный 12x20x1.2 мм TSOP1
        - HY27US (08/16) 561M-T (с выводами)
        - HY27US (08/16) 561M-ТР (без выводов)
        - HY27US08561M-V (P): 48 контактный 12 x 17 x 0.7 мм WSOP1
        - HY27US08561M-V (с выводами)
        - HY27US08561M-VP (без выводов)
        - HY27 (U/S) S (08/16) 561M-F (P): 63 контактный 9.0x11x1.0 мм FBGA
        - HY27US (08/16) 561M-F (с выводами)
        - HY27US (08/16) 561M-FP (без выводов)
        - HY27SS (08/16) 561M-F (с выводами)
        - HY27SS (08/16) 561M-FP (без выводов)

Блок- схема:

Общее описание:

HY27(U/S)SXX561M - семейство энергонезависимой Flash памяти, построенной по NAND технологии. Приборы работают от 3.3 и 1.8 В питания. В зависимости от ширины шины (x8 или x16), приборы имеют размер страницы 528 байт (512 + 16 резервных) или 264 слова (256 + 8 резервных).

Шина адреса мультиплексируется с линиями ввода/вывода данных на x8 или x16 разрядную шину. Такой интерфейс позволяет уменьшить количество используемых выводов и обеспечить совместимость по выводам микросхем с различным объемом памяти.

Каждый блок может записываться и стираться более 100 000 раз. Для повышения срока службы NAND Flash памяти рекомендуется использовать код коррекции ошибок (ЕСС). Микросхемы имеют вывод аппаратной защиты от записи/стирания.

Приборы имеют выход с открытым стоком сигнала занятости Ready/Busy, который может использоваться для определения состояния контроллера записи/стирания/чтения (PER). Выход с открытым стоком позволяет подключать выходы индикации занятости от нескольких микросхем при помощи одного подтягивающего резистора к одному выводу микроконтроллера.

Для оптимизации обслуживания дефектных блоков имеется команда Copy Back. Если операция записи страницы не прошла, то можно записать данные в другую страницу без дополнительной пересылки данных.

Все микросхемы имеют встроенную кэш-память, которая позволяет повысить скорость записи больших объемов данных. Данные можно загружать в кэш-память уже тогда, когда предыдущие данные еще находятся в буфере страницы и записываются непосредственно в память.

Приборы доступны в следующих корпусах:

  • 48-TSOP1 (12 x 20 x 1.2 мм)
  • 48-WSOP1 (12 x 17 x 0.7 мм)
  • 63-FBGA (9.0 x 11 x 1.0 мм, 6 x 8 шариковых контактов с шагом 0.8 мм)

У микросхем семейства NAND Flash памяти имеется три опции:

- Automatic Page 0 Read after Power-up -Автоматическая установка для чтения нулевой страницы, что позволяет микроконтроллеру принимать загрузочный код с нулевой страницы.

- Chip Enable Dont Care - Опция игнорирования сигнала выбора чипа, которая позволяет микроконтроллеру непосредственно загружать код, так как изменение состояния вывода выбора чипа в течение времени ожидания не прервет операцию считывания.

- Serial Number - Опция заводского номера, которая позволяет идентифицировать приборы. Опция серийного номера является опцией не для всеобщего использования (NDA) и поэтому в данном техническом описании не раскрывается. Для получения информации необходимо заключить договор о неразглашении с ближайшим офисом компании HYNIX.

Документация:

  656Kb Engl Описание микросхемы
    Найти поставщиков вы можете перейдя по ссылке Каталог фирм микроэлектроники

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники