В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > Hynix > Память > Flash

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



HY27S(U)S08561M

Последовательная 256 Мбит (32Mx8 бит) NAND Flash память

Отличительные особенности:

  • 8- кратная шина ввода-вывода
        - NAND интерфейс
        - Объединенные шины адреса и данных
  • Напряжение питания
        - 1.8 В напряжение питания ядра при программировании, считывании и стирании
  • Постраничное считывание/программирование
        - 512 байтный (+16 отдельных байт) буфер страниц
        - Синхронное чтение страницы
        - Время доступа к случайному адресу не более 10 мкс
        - Время доступа к следующему за текущим адресу не менее 50 нс
        - Типовое время программирования страницы 200 мкс
  • Обратное копирование страниц
        - Быстрое копирование данных без внешней буферизации
  • Кэш программы
        - Встроенный (512+16) байтный буфер, позволяющий увеличить скорость потока программирования
  • Быстрое стирание блоков
        - Размер блока: (16K+512) байт
        - Типовое время стирания блока 2 мс
  • Массив ячеек памяти
        - (512+16) байт X 32 страницы X 2048 блока
  • Электронная подпись
        - Код изготовителя: ADh
        - Код прибора: 36h у 1.8 В памяти
        - Код прибора: 76h у 3.0 В памяти
  • Регистр состояния
  • Аппаратная защита данных
        - Прибор блокируется при изменениях на линии питания
        - Вывод WP#
  • Сохранность данных
        - Максимальное количество циклов программирования/стирания - 100К
        - Срок хранения данных при отключенном питании не менее 10 лет
  • Функция игнорирования сигнала СЕ
  • Автоматическое считывание нулевой страницы после подачи питания

Блок- схема :

Расположение выводов:

Общее описание:

HY27S (U) S08561M - 32Mx8 битная память, состоящая из 8M отдельных ячеек.

Прибор выпускается в модификациях с 1.8 или 3.0 В питанием.

NAND ячейки памяти являются самым эффективным решением для хранения больших объемов информации.

Память разделена на блоки, которые могут быть стерты независимо, что позволяет сохранять новые данные при стирании старых.

Прибор содержит 2048 блоков, объединенных в 32 страницы, содержащиеся в двух NAND структурах 16 последовательно соединенных Flash ячеек.

В режиме программирования 528-байтовая страница записывается за 200 мкс, а стирание 16 КБайтового блока производится за 2 мс.

Время считывания слова в цикле составляет 50 нс.

Выводы I/O предназначены для адресации и ввода/вывода команд и данных.

Такой интерфейс позволяет снизить количество используемых выводов и упростить использование микросхем с различным объемом памяти (при этом не требуется переразводить плату).

Ввод команд, данных и адреса синхронизируется сигналами на входах CE#, WE#, ALE и CLE.

Встроенный контроллер стирания/записи автоматизирует весь алгоритм стирания/программирования микросхемы вплоть до формирования сигналов синхронизации и, при необходимости, проверки сохраненных данных.

При помощи сигнала на входе WP# можно заблокировать изменение данных.

Выход с открытым стоком RB# вырабатывает сигнал, показывающий состояние прибора при всех операциях. В системе с несколькими микросхемами памяти выводы RB# могут быть запараллелены.

Даже системы, работающие в режиме интенсивной записи/чтения, могут использовать память HY27S(U)S08561M при применении алгоритма отказоустойчивого кодирования.

Кроме того, имеется функция игнорирования сигнала CE#. Она позволяет напрямую загружать данные из NAND Flash памяти в микроконтроллер, при этом изменение состояния сигнала на выводе CE# не останавливает операцию чтения.

Функция обратного копирования позволяет оптимизировать управление дефектными блоками: при неудачной записи страницы данные могут быть напрямую записаны в другую страницу того же массива, при этом нет необходимости формирования сдвига адресов.

Функция кэширования записи позволяет записывать данные в кэш память даже в тот момент, когда еще происходит копирование данных из регистра в сам массив памяти. Такой конвейер позволяет повысить пропускную способность при записи длинных файлов данных.

HY27S(U)S08561M выпускается в 48 выводных TSOP1 (12 x 20 мм), WSOP1 (12 x 17 мм) и TBGA (15 x 8.5 мм) корпусах.

Документация:

  785Kb Engl Описание
    Найти поставщиков вы можете перейдя по ссылке Каталог фирм микроэлектроники

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники