В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > Fujitsu

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



Микросхемы Flash памяти

Flash память с напряжением питания 5 Вольта

Организация
(W x b)
Тип Время
выборки
max. (ns)
Время
цыкла
min. (ns)
Потребляемая
мощность
max.(mW)

Напряжение
питания
(V)

Корпуса
При
обращении
Standby SOP QFL TSOP SON
256Kx8 MBM29F002T-70
MBM29F002B-70
70 70 193 0.550 Read: 5.0±10%
Write: 5.0±10%
  32P 32P  
MBM29F002T-90
MBM29F002B-90
90 90
MBM29F002T-12
MBM29F002B-12
120 120
MBM29F002T-90-X
MBM29F002B-90-X
90 90 275 0.550   32P 32P
40P
 
MBM29F002T-12-X
MBM29F002B-12-X
120 120
MBM29F002ST-70
MBM29F002SB-70
70 70 193 0.550 Read: 5.0±10%
Write: 5.0±10%
    40P  
MBM29F002ST-90
MBM29F002SB-90
90 90
MBM29F002ST-12
MBM29F002SB-12
120 120
MBM29F002ST-90-X
MBM29F002SB-90-X
90 90 275 0.550
MBM29F002ST-12-X
MBM29F002SB-12-X
120 120
256Kx8
128Kx16
MBM29F200TA-70
MBM29F200BA-70
70 70 193
220
0.550 Read: 5.0±10%
Write: 5.0±10%
44P   48P  
MBM29F200TA-90
MBM29F200BA-90
90 90
MBM29F200TA-12
MBM29F002BA-12
120 120
MBM29F200TA-90-X
MBM29F002BA-90-X
90 90 275
300
MBM29F200TA-12-X
MBM29F002BA-12-X
120 120
512Kx8 MBM29F040C-70
BM29F040C-90
MBM29F040C-12
70
90
120
70
90
120
165 0.550 Read: 5.0±10%
Write: 5.0±10%
  32P 32P  
MBM29F040A-90-X
MBM29F040A-90-X
90
120
90
120
275
512Kx8
256Kx16
MBM29F400TA-70
MBM29F400BA-70
70 70 193
220
0.550 Read: 5.0±10%
Write: 5.0±10%
44P   48P  
MBM29F400TA-90
MBM29F400BA-90
90 90
MBM29F400TA-12
MBM29F400BA-12
120 120
MBM29F400TA-90-X
MBM29F400BA-90-X
90 90 275
300
MBM29F400TA-12-X
MBM29F400BA-12-X
120 120
1Mx8 MBM29F080-90 90 90 220 0.0275 Read: 5.0 ± 10%
Write: 5.0 ± 10%
44P   40P
48P
 
MBM29F080-12 120 120
MBM29F080-12-X 275
1Mx8
512Kx16
MBM29F800TA-70
MBM29F800BA-70

70 70 200
237*2
0.0263 Read: 5.0±10%
Write: 5.0±10%
44P   48P  
MBM29F800TA-90
MBM29F800BA-90
90 90 209
248
0.0275 Read: 5.0±10%
Write: 5.0±10%
MBM29F800TA-12
MBM29F800BA-12
120 120
2Mx8 MBM29F016-90 90 90 220 0.0275 Read: 5.0±10%
Write: 5.0±10%
    48P  
MBM29F016-12 120 120
MBM29F016-12-X 120 120 275
MBM29F016A-90 90 90 220
MBM29F016A-12 120 120
MBM29F017-90 90 90 Read: 5.0±10%
Write: 5.0±10%
    48P 40P
MBM29F017-12 120 120
MBM29F017A-90 90 90 48P  
MBM29F017A-12 120 120

Flash память с напряжением питания 3 Вольта

Организация
(W x b)
Тип Время
выборки
max. (ns)
Время
цыкла
min. (ns)
Потребляемая
мощность
max.(mW)
Напряжение
питания
(V)
Корпуса
При
обращении
Standby SOP QFL TSOP SON
256Kx8 MBM29LV002T-10
MBM29LV002B-10
100 100 108 0.018 Read:3.0-3.6
Write:3.0-3.6
    40P 40P
MBM29LV002T-12
MBM29LV002B-12
120 120 Read:2.7-3.6
Write:2.7-3.6
MBM29LV002T-12-X
MBM29LV002B-12-X
0.18
256Kx8
128Kx16
MBM29LV200T-10
MBM29LV200B-10
100 100 108
126
0.018 Read:3.0-3.6
Write:3.0-3.6
44P   48P  
MBM29LV200T-12
MBM29LV200B-12
120 120 Read:2.7-3.6
Write:2.7-3.6
MBM29LV200T-12-X
MBM29LV200B-12-X
0.18
512Kx8 MBM29LV004T10
MBM29LV004B-10
100 100 108 0.018 Read:3.0-3.6
Write:3.0-3.6
    40P 40P
46P
MBM29LV004T-12
MBM29LV004B-12
120 120 Read:2.7-3.6
Write:2.7-3.6
MBM29LV004T-12-X
MBM29LV004B-12-X
0.18
512Kx8
256Kx16
MBM29LV400T-10
MBM29LV400B-10
100 100 108
126
0.018 Read:3.0-3.6
Write:3.0-3.6
44P   48P 46P
MBM29LV400T-12
MBM29LV400T-12
120 120 Read:2.7-3.6
Write:2.7-3.6
512kx8 MBM29LV400T-12-X
MBM29LV400B-12-X
120 120 108 0.18 Read:2.7-3.6
Write:2.7-3.6
44P   48P 46P
1Mx8 MBM29LV008T-10
MBM29LV008B-10
100 100 108 0.018 Read:3.0-3.6
Write:3.0-3.6
    40P 46P
MBM29LV008T-12
MBM29LV008B-12
120 120 Read:2.7-3.6
Write:2.7-3.6
MBM29LV008T-12-X
MBM29LV008T-12-X
120 120 0.18
MBM29LV080-10 100 100 108 0.018 Read:3.0-3.6
Write:3.0-3.6
    40P 46P
MBM29LV080-12 120 120 Read:2.7-3.6
Write:2.7-3.6
MBM29LV080-12-X 120 120 0.18
1Mx8
512Kx16
MBM29LV800T-10
MBM29LV800B-10
100 100 108
126
0.018 Read:3.0-3.6
Write:3.0-3.6
44P   48P 46P
MBM29LV800T-12
MBM29LV800B-12
120 120 Read:2.7-3.6
Write:2.7-3.6
MBM29LV800T-12-X
MBM29LV800B-12-X
0.18
2Mx8 MBM29LV016T-12
MBM29LV016B-12
120 120 108 0.18 Read:2.7-3.6
Write:2.7-3.6
  40    
2Mx8
1Mx16
MBM29LV160T-12
MBM29LV160B-12
120 120 108 0.18 Read:2.7-3.6
Write:2.7-3.6
44P   48P 46P

 

Flash память с напряжением питания 2,5 и 2,7  Вольта

Организация
(W x b)
Тип Время
выборки
max. (ns)
Время
цыкла
min. (ns)
Потребляемая
мощность
max.(mW)
Напряжение
питания
(V)
Корпуса
При
обращении
Standby SOP QFL TSOP SON
1Mx8
512Kx16
MBM29LL800T-15
MBM29LL800B-15
150 150 30
45
0.003 Read:2.4-3.0
Write:2.4-3.0
    48P 46P
MBM29LL800T-15S
MBM29LL800B-15S
27
40.5
0.0027 Read:2.2-2.7
Write:2.2-2.7
MBM29DL800T-12
MBM29DL800B-12
120 120 27
40.5
0.0027 Read:2.5-3.3
Write:2.5-3.3
    Найти поставщиков вы можете перейдя по ссылке Каталог фирм микроэлектроники

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники