В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Компоненты > Fujitsu

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



MBM29DL16XTE/BE70, MBM29DL16XTE/BE90

КМОП флэш-память семейства SPANSION размером 16Мбит (2Mх8/1Мх16), питанием только 3,0В и поддержкой одновременности чтения/записи

Отличительные особенности:

  • Технология 0.23 мкм
  • Одновременность чтения/записи (разделение памяти на два банка)
    - Доступно несколько версий с различными размерами банков памяти
    - Главный процессор может начать программирование или стирание в одном банке, а затем без задержки и одновременно выполнять чтение из другого банка
    - Нулевая задержка между чтением и записью
    - Чтение во время стирания
    - Чтение во время программирования

Рабочие характеристики:

Наименование MBM29DL16XTE/BE70 MBM29DL16XTE/BE90
Макс. время доступа к адресу 70 нс 90 нс
Макс. время выбора микросхемы (CE) 70 нс 90 нс
Макс. время доступа на чтение (OE) 30 нс 35 нс
Напряжение питания 3.0В +0.6В/-0.3В
  • Чтение, программирование и стирание при одном напряжении питания 3,0В
    - Минимизирует требования к системному питанию
  • Совместимость с командами стандарта JEDEC
    - Использует те же команды программирования, что и ЭППЗУ
  • Совместимость по расположению выводов со стандартом JEDEC, распространенного по всему миру
    - 48-выводной корпус TSOP1 (суффикс корпуса: TN - нормальный тип изгиба выводов, TR - обратный тип изгиба выводов)
    - 48-выводной корпус FBGA (суффикс корпуса: PBT)
  • Минимум 100 тысяч циклов программирования/стирания
  • Высокие рабочие характеристики
    - Максимальное время доступа 70 нс
  • Архитектура посекторного стирания
    - Восемь секторов по 4 кслова и 31 сектор по 32 кслова в словном режиме
    - Восемь секторов по 8 кбайт и 31 сектор по 64 кбайта в байтном режиме
    - Любое сочетание секторов может быть одновременно стерто. Также поддерживается полное стирание памяти
  • Архитектура с сектором загрузочного кода
  • Область скрытого ПЗУ
    - 64 кбайт скрытого ПЗУ, доступ с помощью новой командной последовательности "HiddenROM Enable"
    - Прошитый и защищенный в производственных условиях электронный серийный номер
  • Вход WP/ACC
    - при подаче низкого уровня активизируется защита загрузочных секторов, независимо от того снята или установлена групповая защита секторов
    - при подаче уровня VACC увеличивается скорость записи
  • Встроенные алгоритмы Embedded Erase *
    - автоматическое предварительное программирование и стирание памяти или любого сектора
  • Встроенные алгоритмы Embedded Program *
    - автоматическая запись и проверка данных по заданному адресу
  • Опрос данных и переключающийся бит для детекции завершения цикла программирования или стирания
  • Выход готов/занято (RY/BY)
    - Аппаратный метод для детекции завершения цикла программирования или стирания
  • Автоматический режим выключения
    - После стабилизации адреса микросхема автоматически переходит в экономичный режим
  • Прерывание записи, когда VCC 2,5В
  • Приостановка/возобновление программирования
    - Приостанавливает программирование для чтения данных в любом другом секторе в пределах одной микросхемы памяти
  • Приостановка/возобновление стирания
    - Приостанавливает стирание для чтения данных и/или программирования в любом другом секторе в пределах одной микросхемы памяти
  • Групповая защита секторов
    - Аппаратный метод защиты от программирования или стирания любого сочетания групп секторов
  • Команда для установки групповой защиты
  • Режим быстрого программирования за счет сокращения командной последовательности
  • Временное снятие групповой защиты сектора
    - Временное снятие групповой защиты сектора через вывод сброса RESET
  • Интерфейс, совместимый с CFI (интерфейс стандартной флэш-памяти)

* : Embedded Erase и Embedded Program

- торговые марки компании Advanced MicroDevices, Inc.

Структурная схема:

Структурная схема MBM29DL16XTE/BE

Условное графическое обозначение:

Условное графическое обозначение MBM29DL16XTE/BE

Расположение выводов:

Расположение выводов MBM29DL16XTE/BE

Общее описание:

MBM29DL16XTE/BE - флэш-память размером 16 Мбит, питанием только 3,0В и организацией памяти 2Мбайта по 8 бит или 1Мслово по 16 бит в каждом. MBM29DL16XTE/BE выпускается в 48-выводных корпусах TSOP 1 и FBGA. Микросхемы рассчитаны на внутрисистемное программирование при стандартном напряжении питания VCC=3В. Для выполнения записи или стирания нет необходимости прикладывать напряжение программирования VPP=12В и VCC=5В. Микросхемы также могут программироваться с помощью стандартных программаторов ЭППЗУ.

Память MBM29DL16XTE/BE организована в виде двух банков: банк 1 и банк 2. Это позволяет раздельно функционировать двум массивам памяти. Таким образом, данные стандартные 3В-ые микросхемы флэш-памяти компании Fujitsu позволяют считывать данные из незанятого банка памяти без каких-либо дополнительных задержек в процессе одновременного выполнения записи (программирование или стирание) в другом банке.

В микросхемах MBM29DL16XTE/BE реализована новая концепция, которая получила название "Архитектура банков переменных размеров". В соответствии с этой концепцией микросхемы MBM29DL16XTE/BE выпускаются с различной конфигурацией банка 1/банка 2: 0.5 Мбит/15.5 Мбит, 2 Мбит/14 Мбит, 4 Мбит/12 Мбит, 8 Мбит/8 Мбит.

Стандартная память MBM29DL16XTE/BE предлагает времена доступа 70 нс и 90 нс, что позволяет микропроцессору работать с ней без состояний задержки. Для исключения возможности повреждения содержимого шины микросхемы управляются раздельными сигналами: CE -выбор микросхемы, WE - разрешение записи и OE- разрешение вывода (чтение).

Микросхемы MBM29DL16XTE/BE совместимы по расположению выводов и командам программирования со стандартом JEDEC применительно к ЭППЗУ. Команды записываются в командный регистр с помощью стандартной временной диаграммы записи микропроцессора. Содержимое регистра используется в качестве исходных данных для внутреннего цифрового автомата, который управляет схемой стирания и программирования. С помощью циклов записи выполняется фиксация необходимых для программирования и стирания адреса и данных. Чтение данных выполняется подобно флэш-памяти и ЭППЗУ с питанием 5.0В и 12.0В.

MBM29DL16XTE/BE программируются путем выполнения последовательности команд программирования. Этим вызывается встроенный алгоритм программирования, который автоматически управляет длительностями импульсов программирования и проверяет состояние ячеек. Обычно программирование и проверка каждого сектора выполняется около 0,5 сек. Стирание выполняется путем выполнения командной последовательности стирания. Этим инициируется встроенный алгоритм стирания, который автоматически программирует массив памяти, если перед выполнением операции стирания в нем были запрограммированные ячейки. В процессе стирания микросхема автоматически задает длительность импульса стирания и проверяет состояние ячеек.

Типичное время стирания и проверки сектора равно 1 секунде (если предварительно полностью было выполнено программирование). Архитектура микросхем также отличается возможностью посекторного стирания. Разделение памяти на секторы позволяет стирать или перепрограммировать один сектор без повреждения данных в остальных секторах. Производитель поставляет MBM29DL16XTE/BE в стертом состоянии.

Микросхемы рассчитаны на работу от одного источника питания 3.0В, как при чтении, так и при записи. Внутренне сгенерированные и стабилизированные напряжения используются для программирования и стирания. Детектор снижения напряжения VCC автоматически прерывает операцию записи при исчезновении питания. Завершение программирования или стирания детектируется путем опроса линии данных DQ7, с помощью переключающегося бита на линии DQ6 или с помощью выхода RY/BY (готов/занято). Сразу после завершения цикла программирования или стирания микросхема автоматически переходит в режим чтения.

Флэш-технология компании Fujitsu объединяет многолетний опыт компании в создании ЭППЗУ и ЭСППЗУ, который позволил достичь максимальных уровней качества, надежности и себестоимости. Микросхемы памяти MBM29DL16XTE/BE электрически стирают весь кристалл или все биты сектора одновременно с помощью FN-туннелирования (название метода в честь его создателей Fowler и Nordhiem). Побайтное/пословное программирование выполняется путем горячей инжекции электронов, аналогичной механизму программирования в ЭППЗУ.

Описание выводов:

Наименование вывода Описание
A19..A0, A-1 Адресные входы
DQ15..DQ0 Ввод/вывод данных
CE Выбор микросхемы
OE Разрешение чтения
WE Разрешение записи
RESET Вывод аппаратного сброса/ временное снятие групповой защиты секторов
RY/BY Выход готов/занято
BYTE Выбор 8-разр. или 16-разр. режима
WP/ACC Аппаратная защита от записи/ ускорение программирования
VSS Общий
VCC Напряжение питания
NC Вывод внутренне не подключен

Информация для заказа:

Код заказа Размеры банков Корпус Время доступа, нс Загрузочный сектор
MBM29DL161TE-70TN Банк1: 0,5Мбит (8 секторов х 8кбайт/4кслова)
Банк 2: 15,5 Мбит (31 сектор х 64 кбайт/32 кслова)
48-выв. TSOP (нормальный изгиб) 70 Верхний сектор
MBM29DL161TE-90TN 90
MBM29DL161TE-70TR 48-выв. TSOP (обратный изгиб) 70
MBM29DL161TE-90TR 90
MBM29DL161TE-70PBT 48-выв. FBGA 70
MBM29DL161TE-90PBT 90
MBM29DL161BE-70TN 48-выв. TSOP (нормальный изгиб) 70 Нижний сектор
MBM29DL161BE-90TN 90
MBM29DL161BE-70TR 48-выв. TSOP (обратный изгиб) 70
MBM29DL161BE-90TR 90
MBM29DL161BE-70PBT 48-выв. FBGA 70
MBM29DL161BE-90PBT 90
MBM29DL162TE-70TN Банк1: 2 Мбит (8 секторов х 8кбайт/4кслова + 3 х 64 кбайт/32кслова)
Банк 2: 14 Мбит (28 х 64 кбайт/32 кслова)
48-выв. TSOP (нормальный изгиб) 70 Верхний сектор
MBM29DL162TE-90TN 90
MBM29DL162TE-70TR 48-выв. TSOP (обратный изгиб) 70
MBM29DL162TE-90TR 90
MBM29DL162TE-70PBT 48-выв. FBGA 70
MBM29DL162TE-90PBT 90
MBM29DL162BE-70TN 48-выв. TSOP (нормальный изгиб) 70 Нижний сектор
MBM29DL162BE-90TN 90
MBM29DL162BE-70TR 48-выв. TSOP (обратный изгиб) 70
MBM29DL162BE-90TR 90
MBM29DL162BE-70PBT 48-выв. FBGA 70
MBM29DL162BE-90PBT 90
MBM29DL163TE-70TN Банк1: 4 Мбит (8 х 8кбайт/4кслова + 7 х 64 кбайт/32кслова)
Банк 2: 12 Мбит (24 х 64 кбайт/32 кслова)
48-выв. TSOP (нормальный изгиб) 70 Верхний сектор
MBM29DL163TE-90TN 90
MBM29DL163TE-70TR 48-выв. TSOP (обратный изгиб) 70
MBM29DL163TE-90TR 90
MBM29DL163TE-70PBT 48-выв. FBGA 70
MBM29DL163TE-90PBT 90
MBM29DL163BE-70TN 48-выв. TSOP (нормальный изгиб) 70 Нижний сектор
MBM29DL163BE-90TN 90
MBM29DL163BE-70TR 48-выв. TSOP (обратный изгиб) 70
MBM29DL163BE-90TR 90
MBM29DL163BE-70PBT 48-выв. FBGA 70
MBM29DL163BE-90PBT 90
MBM29DL164TE-70TN Банк1: 8 Мбит (8 х 8кбайт/4кслова + 15 х 64 кбайт/32кслова)
Банк 2: 8 Мбит (16 х 64 кбайт/32 кслова)
48-выв. TSOP (нормальный изгиб) 70 Верхний сектор
MBM29DL164TE-90TN 90
MBM29DL164TE-70TR 48-выв. TSOP (обратный изгиб) 70
MBM29DL164TE-90TR 90
MBM29DL164TE-70PBT 48-выв. FBGA 70
MBM29DL164TE-90PBT 90
MBM29DL164BE-70TN 48-выв. TSOP (нормальный изгиб) 70 Нижний сектор
MBM29DL164BE-90TN 90
MBM29DL164BE-70TR 48-выв. TSOP (обратный изгиб) 70
MBM29DL164BE-90TR 90
MBM29DL164BE-70PBT 48-выв. FBGA 70
MBM29DL164BE-90PBT 90

Документация:

  1100 Kb Engl Описание микросхем
    Найти поставщиков вы можете перейдя по ссылке Каталог фирм микроэлектроники

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники