MBM29DL16XTE/BE70, MBM29DL16XTE/BE90

Структурная схема:

Условное графическое обозначение:

Расположение выводов:

Общее описание:

MBM29DL16XTE/BE - флэш-память размером 16 Мбит, питанием только 3,0В и организацией памяти 2Мбайта по 8 бит или 1Мслово по 16 бит в каждом. MBM29DL16XTE/BE выпускается в 48-выводных корпусах TSOP 1 и FBGA. Микросхемы рассчитаны на внутрисистемное программирование при стандартном напряжении питания VCC=3В. Для выполнения записи или стирания нет необходимости прикладывать напряжение программирования VPP=12В и VCC=5В. Микросхемы также могут программироваться с помощью стандартных программаторов ЭППЗУ.

Память MBM29DL16XTE/BE организована в виде двух банков: банк 1 и банк 2. Это позволяет раздельно функционировать двум массивам памяти. Таким образом, данные стандартные 3В-ые микросхемы флэш-памяти компании Fujitsu позволяют считывать данные из незанятого банка памяти без каких-либо дополнительных задержек в процессе одновременного выполнения записи (программирование или стирание) в другом банке.

В микросхемах MBM29DL16XTE/BE реализована новая концепция, которая получила название "Архитектура банков переменных размеров". В соответствии с этой концепцией микросхемы MBM29DL16XTE/BE выпускаются с различной конфигурацией банка 1/банка 2: 0.5 Мбит/15.5 Мбит, 2 Мбит/14 Мбит, 4 Мбит/12 Мбит, 8 Мбит/8 Мбит.

Стандартная память MBM29DL16XTE/BE предлагает времена доступа 70 нс и 90 нс, что позволяет микропроцессору работать с ней без состояний задержки. Для исключения возможности повреждения содержимого шины микросхемы управляются раздельными сигналами: CE -выбор микросхемы, WE - разрешение записи и OE- разрешение вывода (чтение).

Микросхемы MBM29DL16XTE/BE совместимы по расположению выводов и командам программирования со стандартом JEDEC применительно к ЭППЗУ. Команды записываются в командный регистр с помощью стандартной временной диаграммы записи микропроцессора. Содержимое регистра используется в качестве исходных данных для внутреннего цифрового автомата, который управляет схемой стирания и программирования. С помощью циклов записи выполняется фиксация необходимых для программирования и стирания адреса и данных. Чтение данных выполняется подобно флэш-памяти и ЭППЗУ с питанием 5.0В и 12.0В.

MBM29DL16XTE/BE программируются путем выполнения последовательности команд программирования. Этим вызывается встроенный алгоритм программирования, который автоматически управляет длительностями импульсов программирования и проверяет состояние ячеек. Обычно программирование и проверка каждого сектора выполняется около 0,5 сек. Стирание выполняется путем выполнения командной последовательности стирания. Этим инициируется встроенный алгоритм стирания, который автоматически программирует массив памяти, если перед выполнением операции стирания в нем были запрограммированные ячейки. В процессе стирания микросхема автоматически задает длительность импульса стирания и проверяет состояние ячеек.

Типичное время стирания и проверки сектора равно 1 секунде (если предварительно полностью было выполнено программирование). Архитектура микросхем также отличается возможностью посекторного стирания. Разделение памяти на секторы позволяет стирать или перепрограммировать один сектор без повреждения данных в остальных секторах. Производитель поставляет MBM29DL16XTE/BE в стертом состоянии.

Микросхемы рассчитаны на работу от одного источника питания 3.0В, как при чтении, так и при записи. Внутренне сгенерированные и стабилизированные напряжения используются для программирования и стирания. Детектор снижения напряжения VCC автоматически прерывает операцию записи при исчезновении питания. Завершение программирования или стирания детектируется путем опроса линии данных DQ7, с помощью переключающегося бита на линии DQ6 или с помощью выхода RY/BY (готов/занято). Сразу после завершения цикла программирования или стирания микросхема автоматически переходит в режим чтения.

Флэш-технология компании Fujitsu объединяет многолетний опыт компании в создании ЭППЗУ и ЭСППЗУ, который позволил достичь максимальных уровней качества, надежности и себестоимости. Микросхемы памяти MBM29DL16XTE/BE электрически стирают весь кристалл или все биты сектора одновременно с помощью FN-туннелирования (название метода в честь его создателей Fowler и Nordhiem). Побайтное/пословное программирование выполняется путем горячей инжекции электронов, аналогичной механизму программирования в ЭППЗУ.

Описание выводов:

Информация для заказа:

Документация:

1100 Kb Engl Описание микросхем

---

Главная - Микросхемы - DOC - ЖКИ - Источники питания - Электромеханика - Интерфейсы - Программы - Применения - Статьи