В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Обзоры по фирмам > Atmel > Память > DataFlash

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



Часто задаваемые вопросы по DataFlash

Области применения


1. В документации на память DataFlash я не могу найти идентификационные коды производителя и продукции. Как я могу идентифицировать данную память?
2. Я не смог найти вывод RDY/BUSY/ у микросхем в 8-выводных корпусах. Как можно иначе проверить состояние RDY/BUSY у таких микросхем?
3. Выпускает ли Atmel 5В-ые версии DataFlash? Совместимы ли входы 3В-ой DataFlash с 5В-ыми уровнями?
4. Что произойдет, если во время программирования или стирания исчезнет питание?
5. Какую функцию выполняет вывод SER/PAR/ у микросхемы AT45DB642 DataFlash? Какие преимущества выполнения переключений между двумя этими портами?
6. Чем отличаются режимы работы SPI 3 и неактивного высокого уровня clk, а также режимы SPI 0 и неактивного низкого уровня clk?
7. Чем отличаются версии DataFlash с суффиксом "В" и без него?
8. Можно ли использовать команду автоматической перезаписи страницы для изменения нескольких байт в пределах страницы или нескольких страниц данных в произвольном порядке?
9. Можно ли изменить несколько байт в памяти DataFlash без стирания страницы?
10. В моей системы присутствуют шумы. Может это неблагоприятно повлиять на работу DataFlash?
11. Я обратил внимание, что длительности программирования и стирания у AT45DB321C существенно выше, чем у AT45DB321B. В чем причина данных отличий?
12. Совместимы ли карты DataFlash с картами MMC?
13. Возможно соединение вместе нескольких выходов RDY/Busy/? Допустимо ли оставить данный вывод неподключенным?
14. В чем разницы между выводами с обозначением NC и DC?
15. Можно ли соединить выводы SI и SO вместе?
16. Как можно предотвратить непреднамеренную запись в DataFlash в процессе подачи питания?
17. Нужен ли на входе WP/ подтягивающий резистор? Можно его оставить неподключенным?
18. Для чего предназначен вывод WP/?
19. Как измеряется потребляемый ток Icc? В чем разница между Icc и Isb? Почему для Isb приводятся два разных значения?
20. Доступ к DataFlash можно осуществлять сразу после подачи питания или имеются какие-либо временные ограничения, вызванные задержкой при появлении напряжения?
21. В чем разница между сохранностью данных и износостойкостью?
22. Мне нужно сбросить DataFlash в процессе программирования и стирания. Требует ли вывод RESET/ подтягивающий резистор к плюсу питания? Можно оставить данный вывод неподключенным?
23. Что такое время восстановления после сброса?
24. Как долго нужно удерживать вывод RESET/ в активном состоянии для сброса DataFlash?
25. Если я сбрасываю микросхему с помощью вывода RESET/, как это повлияет на содержимое буферов СОЗУ?
26. Что произойдет с данными, записываемыми во флэш-память, если я сброшу микросхему с помощью вывода RESET/?
27. Нужно ли обновлять каждую страницу сектора DataFlash в пределах каждых 10 тыс. суммарных операций стирания/программирования, если содержимое флэш-памяти обновляется в последовательном порядке?
28. Что означает стертое и запрограммированное состояние?
29. Почему размер страницы и буфера равен 264 байтам, а не 256, как обычно принято?
30. Нужно ли мне предусмотреть порт SPI в системе для подключения к DataFlash?
31. Можно ли заполнять буферы DataFlash, когда выполняется программирование основной памяти?
32. Чем отличается DataFlash от стандартной флэш-памяти памяти?

Корпуса

33. Что означает "green package"?

Доступность

34. Где можно найти программный пакет для Data Flash (DFSS)?
35. Выпускает ли Atmel микросхемы DataFlash в корпусах без содержания свинца? Как обозначают корпусные исполнения без содержания свинца?
36. Выпускает ли Atmel микросхемы DataFlash в экологически безопасных корпусах ("green package")? Как обозначаются экологически безопасные корпуса (без содержания свинца и галоидных соединений)?
37. Где я могу получить карту кристалла для микросхем энергонезависимой памяти?

Общие вопросы

38. Мой программатор не поддерживает некоторые микросхемы и корпуса. Что мне делать?
39. Рекомендует ли Atmel использовать программаторы только определенного производителя? Где можно найти полный перечень программаторов?
40. Можно ли заказать микросхемы, запрограммированные моим кодом?
41. Чем отличается энергозависимая память от энергонезависимой?
42. Чем отличаются коммерческие, расширенные коммерческие и промышленные версии микросхем?


Области применения

1.
Q:
В документации на память DataFlash я не могу найти идентификационные коды производителя и продукции. Как я могу идентифицировать данную память?
A: Флэш-память AT45DBxxxB и AT45DB642 не содержат идентификационные коды производителя и продукции. Идентификацию данных микросхем можно выполнить с помощью разрядов 5, 4, 3 и 2 регистра статуса. В более новых микросхемах, например, AT45DB321C функция идентификации по кодам производителя и продукции поддерживается.
    Начало -->

2.
Q:
Я не смог найти вывод RDY/BUSY/ у микросхем в 8-выводных корпусах. Как можно иначе проверить состояние RDY/BUSY у таких микросхем?
A:Вывод RDY/BUSY/ отсутствует у микросхем, выпускаемых в 8-выводных корпусах SOIC, CASON и MLF. Пользователь может использовать 7-ой разряд регистра статуса для проверки состояния RDY/BUSY (готов/занят) в процессе программирования или стирания. Равенство 7-ого разряда 1 означает незанятость микросхемы и готовность принять следующую команду. Равенство этого бита 0 означает нахождение микросхемы в состоянии "занято".
    Начало -->

3.
Q:
Выпускает ли Atmel 5В-ые версии DataFlash? Совместимы ли входы 3В-ой DataFlash с 5В-ыми уровнями?
A: Atmel больше не выпускает 5В-ые версии памяти DataFlash. Однако 3В-ая DataFlash может использоваться в 5В-ой системе. Все входы DataFlash совместимы с 5В-ыми уровнями, в т.ч. входы SI, SCK, CS/, Reset, WP/. Но напряжение питания (Vcc) микросхемы DataFlash должно быть в пределах 2.7В..3.6В. Дополнительную информацию по подключению DataFlash в 5В-ой системе можно найти в рекомендациях по применению "Применение микросхем памяти DataFlash с питанием 3 В в 5-вольтовых системах".
    Начало -->

4.
Q:
Что произойдет, если во время программирования или стирания исчезнет питание?
A: Зависит от момента исчезновения питания. Возможно несколько сценариев:

  1. В процессе программирования страницы возможно некорректное программирование некоторых бит в странице.
  2. В процессе стирания страницы или блока возможно неполное стирание бит в странице или блоке.
  3. Данные в непрограммируемой странице останутся неизменными.
  4. Данные в странице или блоке, которые не подвергаются стиранию, также останутся неизменными.

    Начало -->

5.
Q:
Какую функцию выполняет вывод SER/PAR/ у микросхемы AT45DB642 DataFlash? Какие преимущества выполнения переключений между двумя этими портами?
A: DataFlash AT45DB642 может быть настроена на работу с последовательным портом или параллельным портом с помощью входа выбора последовательного/параллельного интерфейса (SER/PAR). При подаче высокого уровня на вход SER/PAR выбирается последовательный порт (SI и SO) для передачи всех данных, а выводы параллельного порта (I/O7 - I/O0) будут в высокоимпедансном состоянии. Любые данные, присутствующие на линиях параллельного порта, когда SER/PAR=1, будут игнорироваться. Если на вход SER/PAR подать низкий уровень, то для передачи всех данных будет использоваться параллельный порт, а вывод SO последовательного порта перейдет в высокоимпедансное состояние. Когда SER/PAR = 0 все данные на входе SI будут игнорироваться.

Переключение между последовательным портом и параллельным портом может быть выполнено в любой момент времени с учетом выполнения следующих условий:

  • Вход CS/ должен быть в высоком состоянии в момент переключения между портами.
  • Должны быть выдержаны требования по длительностям tSPH (время удержания SER/PAR/) и tSPS (время установки SER/PAR/).

Наличие обоих портов, последовательного и параллельного, у DataFlash позволяет подключиться к двум шинам, связанных с разными процессорами. Преимуществом переключений между последовательным и параллельным портом является возможность запуска внутренней самосинхронизирующейся операции, как, например, стирание и программирование с помощью одного порта, a параллельную операцию, как, например, чтение или запись буфера инициировать с помощью другого порта.


    Начало -->

6.
Q:
Чем отличаются режимы работы SPI 3 и неактивного высокого уровня clk, а также режимы SPI 0 и неактивного низкого уровня clk?
A: Режим SPI 3 отличается от режима с высоким неактивным уровнем clk только в загружаемом коде операции. А в остальном все действия совпадают: данные выводятся по падающему фронту того же такта clk в процессе чтения; 65-ому такту clk в процессе непрерывного считывания массива или страницы основной памяти, 41-му такту clk в процессе чтения буфера и 9-му такту clk в процессе считывания регистра статуса.

Режим SPI 0 отличается от режима с неактивным низким уровнем clk при выводе данных. В процессе чтения данные в режиме SPI 0 выводятся на такт ранее по сравнению с режимом неактивного низкого уровня clk. Например, при непрерывном считывании массива или страницы основной памяти данные выводятся по падающему фронту 64-го такта clk в режиме SPI 0 и по падающему фронту 65-такта clk в режиме неактивного низкого уровня clk.

Режимы SPI 0 и 3 поддерживаются в последних поколениях DataFlash с новым набором кодов операций. Режимы с неактивным высоким и низким уровнем clk также поддерживаются у последних представителей DataFlash с использованием тех же кодов операций, что и ранее.


    Начало -->

7.
Q:
Чем отличаются версии DataFlash с суффиксом "В" и без него?
A: Микросхемы AT45DBxxxB являются заменами микросхем без суффикса B. Рекомендуется использовать только микросхемы AT45DBxxxB (за исключением AT45DB642, которая выпускается только в таком исполнении, без "B"). AT45DBxxxB отличаются меньшими размерами кристалла. Ниже приведены прочие отличия двух версий.

B-версии поддерживают дополнительные особенности, например, непрерывное считывание памяти, стирание страницы и стирание блока.

Функция непрерывного считывания памяти позволяет считывать последовательный поток данных из микросхем с помощью только тактового сигнала; дополнительная адресная информация или сигналы управления в этом случае не требуются.

Команда стирания блока облегчает стирание группы из 8 страниц за один подход.

Микросхемы AT45DBxxxB также поддерживают новые коды операций для режимов чтения SPI 0 и SPI 3. Режим SPI 3 и режим с неактивным высоким уровнем clk отличаются только загружаемым кодом операции. Вы можете использовать любой из этих режимов и данные будут выводиться по тому же фронту clk при выполнении любой операции чтения.

Режим SPI 0 отличается от режима с неактивным низким уровнем clk при выводе данных. В процессе чтения данные в режиме SPI 0 выводятся на такт ранее по сравнению с режимом с неактивным низким уровнем clk. Например, в процессе непрерывного считывания массива или страницы основной памяти в режиме SPI 0 данные выводятся по падающему фронту 64-го такта clk, а в режиме с неактивным низким уровнем clk данные выводятся по падающему фронту 65-го такта.

Обратите внимание, что, несмотря на поддержку новых функций, микросхемы AT45DBxxxB на 100% обратно-совместимы с версиями без суффикса B.


    Начало -->

8.
Q:
Можно ли использовать команду автоматической перезаписи страницы для изменения нескольких байт в пределах страницы или нескольких страниц данных в произвольном порядке?
A: Команду "Автоматическая перезапись страницы" полезно использовать только при перезаписи содержимого массива памяти DataFlash в произвольном порядке. Иными словами, при записи страниц не в последовательном порядке. Она не позволяет модифицировать несколько байт в пределах страницы или нескольких страниц данных. Ее можно использовать для обновления данных (перезапись тех же данных в страницу) в пределах массива памяти DataFlash, если несколько байт внутри страницы или нескольких страниц данных были модифицированы ранее в произвольном порядке.

Вы можете использовать любую из следующих операций для изменения данных в нескольких разных страницах массива памяти DataFlash.

  • Программирование данных из буфера в страницу основной памяти со встроенным стиранием. Здесь данные, записанные в 1-ый или 2-ой буфер, программируются в основную память.
  • Программирование страницы основной памяти через буфер. Данная операция является сочетанием записи буфера и программирования из буфера страницы основной памяти со встроенным стиранием. Здесь данные вначале помещаются в буфер через вывод SI, а затем программируются в заданную страницу основной памяти.
  • Имеется возможность реализовать операцию "чтение-модификация-запись", если вначале выполнить передачу содержимого страницы основной памяти в буфер. После этого с помощью операций записи буфера или нескольких записей буфера возможно изменение данных. Сразу после завершения всех изменений инициируется программирование из буфера в страницу основной памяти со встроенным стиранием. Таким образом, данные помещаются обратно в заданную страницу основной памяти.

    Начало -->

9.
Q:
Можно ли изменить несколько байт в памяти DataFlash без стирания страницы?
A: Пользователь не может изменить отдельные байты страницы без ее стирания. Операции программирования нескольких страниц без их стирания не рекомендуются. Иными словами, изменение байт внутри страницы с "1" на "0" в процессе выполнения программирования нескольких страниц без стирания первой страницы не рекомендуется. Если поступить таким образом, то существует потенциальная возможность нарушения данных. Предотвратить это можно путем строго выполнения правила: сначала стираем страницу, а потом ее программируем.

Для изменения данных в различных страницах массива памяти DataFlash рекомендуется выполнение следующей последовательности операций:

  • Выполнение операции чтение-модификация-запись, для чего вначале копируем страницу основной памяти в буфер.
  • Выполнение операции записи в буфер или нескольких записей в буфер для изменения данных. После изменения данных выполняется операция программирования буфера в страницу основной памяти со встроенным стиранием, что приводит к возврату страницы с модифицированными байтами в заданной страницу основной памяти.

    Начало -->

10.
Q:
В моей системы присутствуют шумы. Может это неблагоприятно повлиять на работу DataFlash?
A: DataFlash является синхронизированным устройством, которое использует сигнал синхронизации (SCK) для управления работой микросхемы. Последовательная DataFlash поддерживает только широко используемые режимы SPI 0 и 3. С помощью данных режимов по нарастающему фронту SCK данные вводятся, а по падающему - выводятся.

Если на сигнале SCK будет наложен шум, то помеха может быть воспринята как ложный фронт синхронизации. Таким образом, данные будут зафиксированы по ложному фронту синхронизации. В итоге это приведет к некорректной работе DataFlash. Следовательно, пользователь должен гарантировать отсутствие шума в сигнале SC, а также на Vcc, CS/ и SI. Сигнал SCK должен монотонно нарастать с низкого уровня к высокому и обратно, с высокого к низкому.

Минимизировать уровень шума на выводах SCK, CS/ и SI можно путем добавления к ним емкости 100 пФ. В зависимости от системных требований пользователь может варьировать номиналами данных конденсаторов. В зависимости от уровня шума на линии Vcc могут использоваться фильтрующие конденсаторы номиналом 1мкФ, 0.1 мкФ и 0.01 мкФ. Если в сигналах SCK, Vcc, CS/ и SI шум будет отсутствовать, то DataFlash будет функционировать корректно.


    Начало -->

11.
Q:
Я обратил внимание, что длительности программирования и стирания у AT45DB321C существенно выше, чем у AT45DB321B. В чем причина данных отличий?
A: AT45DB321C использует адапативный алгоритм, который существенно улучшает износостойкость памяти по сравнению с AT45DB321B. Адаптивный алгоритм автоматически проверяет делостность данных после каждой операции стирания и программирования, т.о. пользователю не нужно самостоятельно проходить через данные проверочные шаги. Это снижает сложность программы и загрузку процессора. Адаптивный алгоритм также предотвращает ячейки памяти от чрезмерной частоты программирования и стирания. Таким образом, за счет выполнения указанных дополнительных шагов адоптивным алгоритмом длительность стирания AT45DB321C больше чем у AT45DB321B.
    Начало -->

12.
Q:
Совместимы ли карты DataFlash с картами MMC?
A:Карты DataFlash имеют ту же форму, что и карты MMC. Но эти карты не могут программироваться по протоколу карт MMC. Карты DataFlash совместимы с протоколом SPI и поддерживают режимы SPI 0 и 3.
    Начало -->

13.
Q:
Возможно соединение вместе нескольких выходов RDY/Busy/? Допустимо ли оставить данный вывод неподключенным?
A: Вывод RDY/Busy/ - выход с открытым стоком, который принимает низкий уровень, когда микросхема занята выполнением внутренней самосинхронизируемой операции. Вы можете соединить выходы RDY/Busy/ нескольких DataFlash вместе. В этом случае образуется схема монтажного ИЛИ, что означает установку низкого уровня, когда любой из выходов RDY/Busy/ примет низкий уровень, и установку высокого уровня, когда на всех выходах RDY/Busy/ установлен высокий уровень. Выход RDY/Busy/, если он используется, должен быть подключен к внешнему подтягивающему к плюсу питания резистору (1 кОм). Если в приложении используется программный опрос содержимого бита RDY/Busy/ в регистре статуса, то вывод RDY/Busy/ можно оставить неподключенным.
    Начало -->

14.
Q:
В чем разницы между выводами с обозначением NC и DC?
A: NC - вывод, который не имеет внутреннего подключения к кристаллу и может быть оставлен неподключенным или подключен к внешнему сигналу. В отличие от этого вывод DC может иметь внутреннее подключение к кристаллу, поэтому, его нельзя ни к чему подключать. Подключение вывода DC к линии питания или сигнальной линии может повлиять на работоспособность микросхемы.
    Начало -->

15.
Q:
Можно ли соединить выводы SI и SO вместе?
A: Да, т.к. выводы SI и SO активны в разные моменты времени, то пользователь может предусмотреть как ввод данных, так и чтение данных через одну шину.
    Начало -->

16.
Q:
Как можно предотвратить непреднамеренную запись в DataFlash в процессе подачи питания?
A: Для предотвращения непреднамеренной записи в процессе подачи питания вход RESET/ необходимо удерживать в низком состоянии до стабилизации напряжения Vcc на уровне равном или выше минимального напряжения, указанного в документации на микросхему. Вход защиты от записи также может использоваться для защиты от непреднамеренной записи. Если вывод WP/ у AT45DBxxxB и AT45DB642 имеет низкий уровень, то блокируется перепрограммирование первых 256 страниц основной памяти. В более новых микросхемах, например, AT45DB321C, вход WP/ может использоваться в паре с регистром защиты секторов для защиты индивидуальных секторов или всей памяти.
    Начало -->

17.
Q:
Нужен ли на входе WP/ подтягивающий резистор? Можно его оставить неподключенным?
A: DataFlash поддерживает возможность надежного хранения критичной, редко-обновляемой информации, если использовать вход защиты от записи WP/. Если на вход WP/ подан низкий уровень, то блокируется перепрограммирование первых 256 страниц основной памяти. Существует только один способ перепрограммирования первых 256 страниц данных: вначале подать высокий уровень на вход WP/, а затем использовать команды программирования, приведенные в документации на микросхему. Редко-изменяемая информация может храниться в защищенной области. На примере автоответчика, защищенные области могут использоваться для хранения такой информации, как подсказки голосового меню, информация по дате/времени, конфиденциальные данные или коэффициенты таблицы преобразования. Вход WP/ имеет внутреннее подтягивание к плюсу; следовательно, если функция защиты от записи не используется, то вход WP/ можно оставить неподключенным.
    Начало -->

18.
Q:
Для чего предназначен вывод WP/?
A: WP/ - вход защиты от записи, который позволяет надежно хранить в DataFlash критичную, редко-обновляемую информацию. Если на вход WP/ подан низкий уровень, то этим блокируется доступ к первым 256 страницам массива памяти, и они далее не могут быть перепрограммированы. Перепрограммирование возможно только в случае, если на вход защиты подать высокий уровень, а затем ввести команды программирования, приведенные в документации на микросхему. Редко-изменяемая информация может храниться в защищенной области. На примере автоответчика, защищенные области могут использоваться для хранения такой информации, как подсказки голосового меню, информация по дате/времени, конфиденциальные данные или коэффициенты таблицы преобразования. Вход WP/ имеет внутреннее подтягивание к плюсу; следовательно, если функция защиты от записи не используется, то вход WP/ можно оставить неподключенным.
    Начало -->

19.
Q:
Как измеряется потребляемый ток Icc? В чем разница между Icc и Isb? Почему для Isb приводятся два разных значения?
A: Icc - потребляемый микросхемой ток, измеренный в режиме чтения. Icc зависит от частоты изменения адреса. В документации приведено значение Icc для частоты изменения адреса 5МГц, т.е. адрес изменяется каждые 200 нс. При более низких частотах изменения адреса измеренный ток Icc будет ниже. Isb - потребляемый микросхемой ток в дежурном режиме, когда на вход CE/ подан высокий логический уровень. В документации приводятся два его значения Isb1 и Isb2. Isb1 - потребление в дежурном режиме для КМОП-входов, а Isb2 - потребление в дежурном режиме для ТТЛ - входов.
    Начало -->

20.
Q:
Доступ к DataFlash можно осуществлять сразу после подачи питания или имеются какие-либо временные ограничения, вызванные задержкой при появлении напряжения?
A: После подачи напряжения питания и стабилизации напряжения Vcc на уровне равном или выше минимального напряжения питания, указанного в документации, система должна выдержать 20 мс до начала работы с DataFlash.
    Начало -->

21.
Q:
В чем разница между сохранностью данных и износостойкостью?
A: Сохранность данных - способность микросхемы помнить запрограммированные данные. Сохранность определяет целостность хранимых данных в функции времени. Износостойкость определяет максимальное количество циклов записи (программирование/стирание), которые могут быть выполнены применительно к байту или сектору данных.
    Начало -->

22.
Q:
Мне нужно сбросить DataFlash в процессе программирования и стирания. Требует ли вывод RESET/ подтягивающий резистор к плюсу питания? Можно оставить данный вывод неподключенным?
A: Вы не должны сбрасывать DataFlash в процессе программирования и стирания, т.к это может привести к нарушению содержимого программируемой или стираемой страницы. Микросхема содержит встроенную схему сброса при подаче питания, поэтому, управлять выводом RESET в процессе подачи питания нет необходимости. Кроме того, на входе RESET предусмотрен внутренний подтягивающий резистор, поэтому, если функция внешнего сброса не используется, то вывод RESET можно оставить неподключенным.
    Начало -->

23.
Q:
Что такое время восстановления после сброса?
A: Время восстановления после сброса - промежуток времени с момента установления высокого уровня на выводе RESET/ до момента, когда подачей низкого уровня на вывод CS/ можно осуществить доступ к микросхеме. Время восстановления после сброса равно 1 мкс.
    Начало -->

24.
Q:
Как долго нужно удерживать вывод RESET/ в активном состоянии для сброса DataFlash?
A: Вывод RESET/ необходимо удерживать не менее 10 мкс в активном состоянии для сброса DataFlash.
    Начало -->

25.
Q:
Если я сбрасываю микросхему с помощью вывода RESET/, как это повлияет на содержимое буферов СОЗУ?
A: Содержимое буферов статического ОЗУ не изменится, если напряжение питания будет в допустимых пределах.
    Начало -->

26.
Q:
Что произойдет с данными, записываемыми во флэш-память, если я сброшу микросхему с помощью вывода RESET/?
A: Если микросхема сбрасывается с помощью входа Reset/, то прекращается выполнение любой текущей операции стирания или программирования. Если прекращение данных операций возникнет прежде, чем истечет документированное время на их выполнение, то корректность стирания или программирования не гарантируется.
    Начало -->

27.
Q:
Нужно ли обновлять каждую страницу сектора DataFlash в пределах каждых 10 тыс. суммарных операций стирания/программирования, если содержимое флэш-памяти обновляется в последовательном порядке?
A: Для улучшения перепрограммируемости DataFlash в приложениях с интенсивной частотой записи и где запись выполняется не циклически и не в последовательном порядке должны быть учтены следующие соображения. К приложениям с интенсивной частотой записи может быть отнесено любое приложение, в котором несколько тысяч суммарных операций перепрограммирования (стирание/программирование) выполняются в течение жизненного цикла микросхемы. Если операции перепрограммирования выполняются циклически, в последовательном порядке, то не нужно принимать специальных мер. Если страницы флэш-памяти обновляются/перезаписываются, начиная с определенной страницы и далее по порядку программируются следующие страницы, после чего цикл повторяется с той же первоначальной страницы, то в системном микроконтроллере или микропроцессоре не нужно предусматривать дополнительные алгоритмы. Однако, если операции перепрограммирования возникают произвольным образом, когда любое количество страниц обновляется в произвольном порядке, то система должна гарантировать, что каждая страница сектора DataFlash обновляется (новыми данными) или регенерируется (теми же данными) хотя бы раз в пределах каждых суммарных 10 тысяч операций стирания/программирования в других страницах в этом же секторе. Для регенерации страницы удобно использовать команду автоматической перезаписи страницы. Эта команда объединяет действие двух команд: копирование страницы основной памяти в буфер и программирование из буфера в страницу основной памяти со встроенным стиранием. При использовании команды автоматической перезаписи страницы пользователю достаточно указать только адрес перезаписываемой страницы.
    Начало -->

28.
Q:
Что означает стертое и запрограммированное состояние?
A: Для Data Flash стертое состояние означает "1", а запрограммированное - "0".
    Начало -->

29.
Q:
Почему размер страницы и буфера равен 264 байтам, а не 256, как обычно принято?
A: Это сделано для разработчиков, которым необходимо в каждой странице памяти иметь 8 дополнительных байт для хранениях данных, используемых алгоритмом детекции и исправления ошибок (EDC), или связанной управляющей информации, например, указатели, флаги и др. Информация, хранящаяся в дополнительных 8 байтах каждой страницы, может использоваться микроконтроллером или процессором для определения того, как использовать хранимые в связанной странице данные. Если в этом нет необходимости, то пользователь может задействовать все 264 байта всех страниц для хранения данных.
    Начало -->

30.
Q:
Нужно ли мне предусмотреть порт SPI в системе для подключения к DataFlash?
A: Микросхемы DataFlash могут использоваться совместно с любым типом микроконтроллера, но за счет поддержки интерфейсом DataFlash режимов SPI 0 и 3 наиболее просто связать микросхему с микроконтроллерами, содержащими интерфейс SPI, популярность которых в последнее время возрастает.
    Начало -->

31.
Q:
Можно ли заполнять буферы DataFlash, когда выполняется программирование основной памяти?
A: DataFlash содержит два двунаправленных буферных статических ОЗУ (за исключением AT45DB011B, у которой только один буфер) для повышения скорости потока данных, поступающего в микросхему и обратно. Наличие двух буферов позволяет принимать новые данные в свободный буфер, когда идет программирование во флэш-память из заполненного буфера.
    Начало -->

32.
Q:
Чем отличается DataFlash от стандартной флэш-памяти памяти?
A: DataFlash идеально подходит для приложений с хранением голоса, изображений и данных в цифровом виде, особенно где требуется малая потребляемая мощность. Ее малый размер страницы (264 байта) предоставляет пользователю повышенный уровень гибкости и упрощает процесс изменения данных. Кроме того, DataFlash содержит последовательный интерфейс, который снимает ограничения по объему памяти и разрядности данных. Для подключения DataFlash требуется только 7 сигналов. За счет этого упрощается разводка печатной платы, увеличивается системная надежность и снижается уровень излучаемых шумов. В состав DataFlash входит два двунаправленных буфера на статическом ОЗУ, которые способствуют повышению скорости передаваемого потока данных. Использование двух буферов позволяет еще больше повысить производительность, если во время программирования флэш-памяти из одного буфера загружать новые данные для последующего программирования в другой буфер.
    Начало -->

Корпуса

33.
Q:
Что означает "green package"?
A: "green package" - корпус без содержания свинца и совместимый с требованиями RoHS.
    Начало -->

Доступность

34.
Q:
Где можно найти программный пакет для Data Flash (DFSS)?
A: В программный пакет для Data Flash входит исходный код, написанный на Си, для микросхем DataFlash. Он распространяется свободно для клиентов Atmel. Для получения DFSS пользователю необходимо принять условия лицензионного соглашения. Для этого нужно обратиться в локальное торговое представительство Atmel с просьбой предоставить копию лицензионного соглашения, а затем отправить подписанную копию по факсу (408) 487-2799. Сразу после получения подписанного лицензионного соглашения Atmel отправит DFSS по электронной почте.
    Начало -->

35.
Q:
Выпускает ли Atmel микросхемы DataFlash в корпусах без содержания свинца? Как обозначают корпусные исполнения без содержания свинца?
A: Ранее Atmel выпускала некоторые DataFlash в бессвинцовых корпусах. Суффиксы L и J указывают на то, что микросхемы размещены в бессвинцовом корпусе. Если быть более точным, то L показывает, что микросхема размещена в бессвинцовом корпусе и рассчитана на работу в коммерческом температурном диапазоне, а J также показывает, что корпус микросхемы бессвинцовый, но рабочий температурный диапазон ее - промышленный. Поскольку экологически безопасные корпуса ("green package") характеризуются более полным выполнением экологических требований, чем бессвинцовые корпуса, то их можно использовать вместо бессвинцовых.
    Начало -->

36.
Q:
Выпускает ли Atmel микросхемы DataFlash в экологически безопасных корпусах ("green package")? Как обозначаются экологически безопасные корпуса (без содержания свинца и галоидных соединений)?
A: Atmel выпускает DataFlash в экологически безопасных корпусах. Уточните доступность такого корпусного исполнения в документации в разделе "Информация для заказа". "U" в коде заказа показывает, что микросхема размещена в экологически безопасном корпусе и рассчитана на работу в промышленном температурном диапазоне.
    Начало -->

37.
Q:
Где я могу получить карту кристалла для микросхем энергонезависимой памяти?
A: Если Вам необходима карта кристалла, то необходимо связаться локальным торговым представительством Atmel. Для просмотра карт кристалла необходимо заключить соглашение о конфиденциальности.
    Начало -->

Общие вопросы

38.
Q:
Мой программатор не поддерживает некоторые микросхемы и корпуса. Что мне делать?
A: Если некоторые микросхемы не поддерживаются, то необходимо связаться с производителем Вашего программатора и задать вопрос по поводу поддержки требуемой микросхемы. Если микросхема программатором поддерживается, но не поддерживаются некоторые ее корпусные исполнения, то необходимо проконсультироваться с производителем программатора на предмет, какой переходник или адаптер может использоваться для программирования этого корпуса. Если окажется, что производитель Вашего программатора не поддерживает требуемые корпуса, то можно использовать адаптеры других производителей. Полный перечень производителей адаптеров имеется на сайте Atmel.
    Начало -->

39.
Q:
Рекомендует ли Atmel использовать программаторы только определенного производителя? Где можно найти полный перечень программаторов?
A: Выпускается множество программаторов разных производителей, поддерживающих микросхемы Atmel. Поскольку Atmel не может однозначно рекомендовать конкретный тип программатора, то пользователь должен выбрать программатор исходя из требуемого соотношения цена-качество. Для пользователей, которым необходимо программировать большое количество микросхем, рекомендуется использовать программаторы Gang. Полный перечень производителей программаторов приведен на сайте Atmel.
    Начало -->

40.
Q:
Можно ли заказать микросхемы, запрограммированные моим кодом?
A: Имеется несколько способов заказать предварительно запрограммированные микросхемы. Для этого необходимо связаться с локальным дистрибутором или представительством Atmel и запросить подробную информацию по предварительно программируемым микросхемам. Перечень дистрибуторов и представительств можно найти на сайте Atmel в разделе "General Information".
    Начало -->

41.
Q:
Чем отличается энергозависимая память от энергонезависимой?
A: Все запоминающие устройства разделяются на два типа: энергозависимые и энергонезависимые. К энергозависимой памяти относятся статические и динамические ОЗУ, которые характеризуются потерей данных после исчезновения питания. Энергонезависимая память, например, ЭППЗУ, ЭСППЗУ, флэш-память и DataFlash хранят данные в своей памяти даже после снятия питания с микросхем.
    Начало -->

42.
Q:
Чем отличаются коммерческие, расширенные коммерческие и промышленные версии микросхем?
A: Все микросхемы, обозначенные как коммерческие, расширенные коммерческие и промышленные, выпускаются по одной и той же технологии и функционально идентичны. Единственным их отличием является то, что они испытаны и гарантируется их работоспособность в разных температурных диапазонах. Коммерческие версии рассчитаны на работу в пределах диапазона 0°C..+70°C. Работа расширенных коммерческих версий гарантирована в пределах диапазона 0°C...+85°C, а промышленных - в пределах диапазона -40°C...+85°C.
    Начало -->
    Найти поставщиков вы можете перейдя по ссылке Каталог фирм микроэлектроники

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники