В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Обзоры по фирмам > Atmel > Память > DataFlash

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



AT45DB1282

128 Мбитная DataFlash память с напряжением питания 2,7 В и двойным интерфейсом

Характеристики:

  • Однополярное напряжение питания: от 2,7 до 3,6 В
  • Архитектура двойного интерфейса
  • Последовательный интерфейс RapidS: максимальная частота тактовых импульсов 40 МГц (совместим с SPI интерфейсами, работающими в режимах 0 и3 с максимальной тактовой частотой 33 МГц)
  • 8- битный интерфейс Rapid8: максимальная частота тактовых импульсов 20 МГц
  • Страничный режим программирования
  • Заранее определенный интеллектуальный режим программирования
  • 16384 страницы (1056 байт/странице) основной памяти
  • Автоматизированные операции стирания страниц и блоков
  • Два буфера SRAM данных, емкостью по 1056 байтов - обеспечивают прием данных в процессе перепрограммирования энергонезависимой памяти
  • Возможность непрерывного чтения по всей матрице
        Идеально для скрытия кода прикладной программы
  • Малое потребление:
  • Типовое потребление в режиме чтения по последовательному интерфейсу- 10 мА
  • Типовое потребление в режиме чтения по 8- битному интерфейсу- 10 мА
  • Типовое потребление в режиме Standby - 5 мкА
  • Аппаратная защита данных
  • Защищенность:
        128- байтный защитный регистр
        64- байтная программируемая пользователем область
        Уникальный 64 битный идентификатор прибора
  • Гарантируемое типовое значение количества циклов записи/стирания – 100 000
  • Сохранность данных при отключенном питании- не менее 10 лет
  • Коммерческий и промышленный диапазоны температур

Расположение выводов:

Блок - схема:

Общее описание:

AT45DB1282 - микросхема Flash памяти с однополярным питанием 2.7 В и двумя интерфейсами обмена данными, идеально подходящая для хранения оцифрованной речи, цифрового изображения, исполняемого кода и данных. Прибор изготовлен по eSTAC технологии изготовления многоуровневых ячеек (MLC) корпорации Atmel, которая позволяет в одной ячейке хранить два бита, что позволяет обеспечить высокую ценовую эффективность и плотность Flash памяти. AT45DB1282 поддерживает последовательный интерфейс RapidS и 8- разрядный интерфейс Rapid8. Интерфейс RapidS совместим с SPI интерфейсами, работающими с частотой до 33 МГц. Двойной интерфейс позволяет вести обмен данными с DSP по последовательному интерфейсу, а по 8- разрядному- с микроконтроллерами или наоборот. Таким образом, выбор интерфейса становится простой задачей. 138,412,032 бита памяти организованы как 16,384 страницы по 1056 бит каждая. В дополнение к 132 Мбитной основной памяти, AT45DB1282 также содержит 2 буфера SDRAM емкостью 1056 бит каждый. Буферы позволяют считывать данные во время записи страницы основной памяти, а также записывать непрерывные потоки данных. Эмуляция EEPROM (байтовая или битовая) облегчает манипулирование с данными трехшаговых операций чтение-модификация-запись. В отличие от обычных микросхем Flash памяти, в которых доступ осуществляется произвольно к каждой ячейке с использованием сложных адресов и параллельного интерфейса, технология DataFlash использует как последовательный, так и 8- разрядный интерфейс для поточного доступа к данным. Простой поточный доступ к данным существенно снижает количество задействованных выводов, упрощает топологию кристалла, увеличивает надежность, минимизирует шумы переключения и уменьшает размеры корпуса. Микросхема оптимизирована для широкого круга коммерческих приложений, где необходимы высокая плотность монтажа, малое число выводов, малое напряжение питания, и низкая потребляемая мощность. Прибор работает с максимальной тактовой частотой 40 МГц и имеет типовой ток потребления при записи 10 мА.

Для обеспечения простоты записи прибор не требует высокого напряжения программирования. Он работает от однополярного источника питания от 2.7 до 3.6В как при считывании, так и при записи. Выбор прибора осуществляется подачей на вывод nonCS низкого логического уровня, после чего доступ к памяти осуществляется по последовательному трехпроводному интерфейсу (SI –вход, SO - выход, SCK/CLK – тактовые импульсы) или 8- разрядному интерфейсу (I/O0-I/O7 – данные, SCK/CLK – тактовые импульсы).

Все циклы программирования являются самотактируемыми (выполняются встроенным автоматом при внутреннем тактировании), поэтому отдельной операции стирания перед записью не требуется.

Документация:

  246 Kb Engl Описание микросхемы
    Найти поставщиков вы можете перейдя по ссылке Каталог фирм микроэлектроники

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники