В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Обзоры по фирмам > Atmel > Память > DataFlash

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



AT45DB011B

Единственная 2.7 В, 1 Мбит ИС Flash памяти семейства DataFlash®

Отличительные особенности:

  • Однополярное напряжение питания от 2.7 В до 3.6 В
  • Совместимость с последовательным периферийным интерфейсом типа SPI
  • Максимальная тактовая частота 20 МГц
  • Постраничный режим программирования:
  • Одиночный цикл перепрограммирования (стирание плюс программирование)
  • 512 страниц основной памяти (264 байт на страницу)
  • Поддержка страничного и блочного режимов стирания
  • Один 264- байтный буфер данных SRAM
  • Поддержка режима непрерывного считывания полного массива данных
  • Идеально для приложений теневого дублирования кода
  • Малое время программирования страницы - 7 мс, типично
  • Типичное время перемещения страницы памяти в буфер: 120 мкс
  • Низкое энергопотребление:
        4 мА - типичный ток в режиме активного чтения
        2 мкА - типичный потребляемый ток КМОП в режиме ожидания
  • Аппаратная функция защиты данных
  • 100%-ная совместимость с AT45DB011
  • Коммерческий и индустриальный диапазоны температур

Расположение и назначение выводов:

Наименование вывода Назначение
CS (активный низкий) Вход выборки
SCK Последовательный тактовый сигнал
SI Последовательный вход
SO Последовательный выход
WP (активный низкий) Вход аппаратной защиты записи страницы памяти
RESET (активный низкий) Инициализация
RDY/BUSY (активный низкий) Готовность/ занятость

Блок - схема:

Описание:

AT45DB011B является единственной ИС Flash памяти с последовательным интерфейсом и напряжением питания 2.7 В, и идеально подходит для широкого спектра цифровых голосовых приложений, приложений визуализации, и приложений хранения программного кода, и данных. Память данной ИС, состоящая из 1 081 344 бит организована в 512 страниц по 264 байта каждая. Кроме памяти общего назначения ИС, также, имеет один SRAM буфер данных на 264 байта. Буфер обеспечивает возможность приема данных в режиме перепрограммирования страницы основной памяти. Режим эмуляции EEPROM (с побитным или побайтным изменением) прост в применении, благодаря встроенной, трехступенчатой системе команд Read - Modify - Write. В отличие от стандартных типов Flash памяти, обращение к которым, происходит произвольным образом в режиме многочисленных адресных строк и при помощи параллельного интерфейса, память типа DataFlash использует последовательный интерфейс для обращения к своим данным в режиме последовательного доступа. ИС поддерживает SPI - режимы типа 0 и 3. Простой последовательный интерфейс облегчает разводку интегральной структуры, увеличивает отказоустойчивость системы, минимизирует коммутационные шумы, а также, уменьшает размер корпуса и число необходимых активных выводов. ИС оптимизирована для использования в широком круге коммерческих и индустриальных приложений, для которых существенную роль играют высокая плотность размещения, малое число выводов, низкое напряжение питания, и низкое энергопотребление. ИС функционирует с тактовыми частотами, вплоть до 20 МГц при типовом потребляемом токе в режиме активного чтения 4 мА.

Для обеспечения удобства внутрисистемного перепрограммирования, ИС AT45DB011B не требует высоких входных напряжений в режиме программирования. ИС питается от однополярного источника с напряжением от 2.7 В до 3.6 В, как в режиме программирования, так и в режиме чтения. Выборка ИС AT45DB011B производится по входу CS (активный низкий), а доступ к ИС обеспечивается посредством 3-х проводного последовательного интерфейса, состоящего из сигнала последовательного входа (SI), последовательного выхода (SO) и последовательного тактового сигнала (SCK).

Все циклы программирования имеют встроенный контроль временных характеристик, а для проведения программирования предварительный цикл стирания не требуется.

При поставке ИС от Atmel, старшая значащая страница массива памяти может не быть чистой. Другими словами, содержимое последней страницы может быть заполнено содержимым, отличным от FFH.

Документация:

  225 Kb Engl Описание микросхемы
    Найти поставщиков вы можете перейдя по ссылке Каталог фирм микроэлектроники

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники