В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Обзоры по фирмам > Atmel > Память

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



AT26F004

Флэш-память для хранения программного кода из семейства DataFlash емкостью 4 Мбит, напряжением питания 2.7В и последовательным интерфейсом доступа

Отличительные особенности:

  • Напряжение питание 2.7В..3.6В
  • Последовательный SPI-совместимый интерфейс
    - Поддержка режимов SPI 0 и 3
  • Максимальная частота синхронизации 33 МГц
  • Гибкая, унифицированная архитектура стирания
    - блоки размером 4 кбайт
    - блоки размером 32 кбайт
    - блоки размером 64 кбайт
    - полное стирание кристалла
  • Оптимизированное разделение на сектора для приложений с загрузкой кода из внешнего ПЗУ и хранением кода и данных
    - один верхний загрузочный сектор размером 16 кбайт
    - два сектора размером 8 кбайт
    - один сектор размером 32 кбайт
    - семь секторов размером 64 кбайт
  • Индивидуальная защита секторов от программирования/стирания
  • Аппаратно-управляемая блокировка защищенных секторов
  • Архитектура побайтного программирования с поддержкой режима программирования последовательного потока байт
    - Режим программирования последовательного потока байт улучшает производительность программирования нескольких байт
  • Идентификационный код производителя и продукции в соответствии со стандартом JEDEC
  • Малая потребляемая мощность
    - 7 мА - активный ток чтения (типичное значение)
    - 15 мкА - потребляемый ток в режиме глубокого выключения (типичное значение)
  • Износостойкость 100 тысяч циклов программирования/стирания
  • Сохранность данных в течение 20 лет
  • Совместимость с промышленным температурным диапазоном
  • Стандартные промышленные корпуса (без содержания свинца, галоидных соединений, RoHS-совместимые)
    - 8-выводной корпус SOIC
    - 8-выводной корпус MLF

Структурная схема:

Структурная схема AT26F004

Расположение выводов:

Расположение выводов AT26F004

Описание выводов:

Наименование вывода Назначение
/CS (активный низкий) Выбор микросхемы (активный низкий уровень)
SCK Вход синхронизации последовательной связи
SI Вход последовательного ввода данных
SO Выход последовательного вывода данных
/WP Вход защиты от записи
/HOLD Вход приостановки последовательной связи (импульсы SCK и данные на SI игнорируются, SO в высокоимпедансном состоянии)
VCC Напряжение питания
GND Общий питания

Описание:

AT26F004 - флэш-память с последовательным интерфейсом, которая разработана для использования в широком числе пользовательских электронных устройств, отличающихся высокой серийностью производства, в которых программный код хранится во флэш-памяти и выполняется во внутреннем или внешнем ОЗУ. Гибкая архитектура стирания микросхемы AT26F004, с минимальным стираемым объемом памяти 4 кбайт, делает ее идеальной для хранения данных, исключая необходимость применения дополнительных микросхем ЭСППЗУ.

Физическое разделение на секторы и размеры стираемых блоков AT26F004 оптимизированы для удовлетворения потребностям современных приложений с хранением программного кода и данных. За счет оптимизации размеров физических секторов и стираемых блоков имеется возможность более эффективно использовать пространство памяти. Поскольку для определенных модулей программного кода и сегментов хранимых данных должны быть выделены их собственные защищаемые секторы, то по сравнению с флэш-памятью с большим размером секторов и стираемых блоков применение данной микросхемы позволит существенно сократить количество пустующей и незадействованной памяти. Улучшение эффективности использования памяти, в конечном счете, позволяет при том же самом объеме памяти добавить дополнительный код подпрограммы и увеличить число сегментов для хранения данных.

AT26F004 также поддерживает интеллектуальный механизм защиты отдельных секторов от ошибочного или несанкционированного программирования и стирания. Поддержка возможности раздельной установки и снятия защиты секторов позволяет реализовать приложение, в котором допускается изменение содержимого некоторых незащищенных секторов, а оставшиеся секторы массива памяти надежно защищены. Это необходимо, например, когда программа обновляется или модифицируется на модульной или подпрограммной основе или когда в одной микросхеме необходимо сочетать модифицируемые сегменты данных и сегменты программного кода, при этом, гарантировать невозможность несанкционированного изменения программного кода.

AT26F004 рассчитана на работу в составе 3В-ых систем, поддерживая возможность чтения, программирования и стирания при напряжении питания 2.7В...3.6В. Для программирования и стирания исключена необходимость подачи отдельного напряжения.

Информация для заказа:

fSCK, МГц Код заказа Корпус Рабочий температурный диапазон
33 AT26F004-SSU 8-выв. SOIC (ширина 0,15 дюймов) Промышленный (-40°C...+85°C)
AT26F004-SU 8-выв. SOIC (ширина 0,209 дюймов)
AT26F004-MU 8-выв. MLF (6мм x 5мм)

Документация:

  605 Kb Engl Описание микросхемы
    Найти поставщиков вы можете перейдя по ссылке Каталог фирм микроэлектроники

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники