AT26DF161

Флэш-память для хранения программного кода из семейства DataFlash емкостью 16 Мбит, напряжением питания 2.7В и последовательным интерфейсом доступа

Отличительные особенности:

• Одно напряжение питания 2.7В - 3.6В
• SPI-совместимый последовательный интерфейс

  - Поддержка режимов SPI 0 и 3

• Максимальная частота синхронизации 66 МГц
• Гибкая унифицированная архитектура стирания

  - блоки размером 4 кбайт

  - блоки размером 32 кбайт

  - блоки размером 64 кбайт

  - полное стирание памяти

• Раздельная защита секторов от программирования/стирания

  - 16 физических секторов размером 128 кбайт

• Аппаратно-управляемая блокировка защищенных секторов
• Гибкое программирование

  - Побайтное или постраничное программирование (1..256 байт)

• Идентификационный код производителя и продукции в соответствии со стандартом JEDEC
• Малая потребляемая мощность

  - 7 мА - активный ток чтения (типичное значение)

  - 4 мкА - потребляемый ток в режиме глубокого отключения (типичное значение)

• Износостойкость: 100 тысяч циклов программирования/стирания
• Сохранность данных в течение 20 лет
• Рабочий промышленный температурный диапазон
• Экологически безопасные стандартные промышленные корпуса (без содержания свинца и галоидных соединений, RoHS-совместимые)

  - 8-выв. корпус SOIC (ширина 0,2 дюйма)

  - 8-контактный корпус MLF (5 мм x 6 мм)

Структурная схема:

Расположение выводов:

Описание выводов:

Описание:

AT26DF161- флэш-память с последовательным интерфейсом доступа, которая разработана для использования в широком числе пользовательских приложений с высокой серийностью производства, в которых программный код хранится во внешней флэш-памяти, а исполняется во внутреннем или внешнем ОЗУ. Гибкая архитектура стирания AT26DF161, поддерживающая минимальный стираемый объем памяти 4 кбайт, делает данную микросхему идеальной для приложений с функцией энергонезависимого хранения данных, исключая необходимость установки дополнительных внешних ЭСППЗУ.

Разделение на физические секторы и размеры стираемых блоков у AT26DF161 оптимизированы под потребности современных приложений с хранением программного кода и данных. За счет оптимизации размеров физических секторов и стираемых блоков память может использоваться более эффективно. Это объясняется тем, что для модулей программного кода и сегментов хранимых данных должны быть выделены их собственные сектора с отдельной защитой, поэтому, по сравнению с флэш-памятью с большим размером секторов и стираемых блоков в данном случае сокращается количество пустующих и незадействованных областей памяти. Улучшение эффективности использования памяти позволяет разместить в пределах равного объема памяти большее количество подпрограмм программного кода и сегментов хранимых данных.

AT26DF161 также поддерживает интеллектуальный механизм защиты отдельных секторов от ошибочного или несанкционированного программирования и стирания. Поддержка возможности раздельной установки и снятия защиты секторов позволяет реализовать приложение, в котором допускается изменение содержимого некоторых незащищенных секторов, а оставшиеся секторы массива памяти надежно защищены. Это необходимо, например, когда программа обновляется или модифицируется на модульной или подпрограммной основе или когда в одной микросхеме необходимо сочетать модифицируемые сегменты данных и сегменты программного кода, при этом, гарантировать невозможность несанкционированного изменения программного кода.

AT26DF161 рассчитана на работу в составе 3В-ых систем, поддерживая возможность чтения, программирования и стирания при напряжении питания 2.7В...3.6В. Для программирования и стирания не требуется подача отдельного напряжения.

Информация для заказа:

Документация:

486 Kb Engl Описание микросхемы

---

---

Главная - Микросхемы - DOC - ЖКИ - Источники питания - Электромеханика - Интерфейсы - Программы - Применения - Статьи