В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Обзоры по фирмам > Atmel > Память

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



AT26DF081A

Флэш-память для хранения программного кода из семейства DataFlash емкостью 8 Мбит, напряжением питания 2.7В и последовательным интерфейсом доступа

Отличительные особенности:

  • Одно напряжение питания 2.7В - 3.6В
  • SPI-совместимый последовательный интерфейс
    - Поддержка режимов SPI 0 и 3
  • Максимальная частота синхронизации 70 МГц
  • Гибкая унифицированная архитектура стирания
    - блоки размером 4 кбайт
    - блоки размером 32 кбайт
    - блоки размером 64 кбайт
    - полное стирание памяти
  • Оптимизированное разделение на сектора для приложений с загрузкой кода из внешнего ПЗУ и хранением кода и данных
    - один верхний загрузочный сектор размером 32 кбайт
    - два сектора размером 8 кбайт
    - один сектор размером 16 кбайт
    - 15 секторов размером 64 кбайт
  • Раздельная защита секторов от программирования/стирания
    - 16 физических секторов размером 128 кбайт
  • Аппаратно-управляемая блокировка защищенных секторов
  • Гибкое программирование
    - Побайтное или постраничное программирование (1..256 байт)
    - Режим программирования последовательного потока данных
  • Идентификационный код производителя и продукции в соответствии со стандартом JEDEC
  • Малая потребляемая мощность
    - 7 мА - активный ток чтения (типичное значение)
    - 11 мкА - потребляемый ток в режиме глубокого отключения (типичное значение)
  • Износостойкость: 100 тысяч циклов программирования/стирания
  • Сохранность данных в течение 20 лет
  • Рабочий промышленный температурный диапазон
  • Экологически безопасные стандартные промышленные корпуса (без содержания свинца и галоидных соединений, RoHS-совместимые)
    - 8-выв. корпуса SOIC шириной 0,2 и 0,15 дюйма

Структурная схема:

Структурная схема AT26DF081A

Расположение выводов:

Расположение выводов AT26DF081A

Описание выводов:

Наименование вывода Назначение
/CS (активный низкий) Выбор микросхемы (активный низкий уровень)
SCK Вход синхронизации последовательной связи
SI Вход последовательного ввода данных
SO Выход последовательного вывода данных
/WP Вход защиты от записи
/HOLD Вход приостановки последовательной связи (импульсы SCK и данные на SI игнорируются, SO в высокоимпедансном состоянии)
VCC Напряжение питания
GND Общий питания

Описание:

AT26DF081A - флэш-память с последовательным интерфейсом доступа, которая разработана для использования в широком числе пользовательских приложений с высокой серийностью производства, в которых программный код хранится во внешней флэш-памяти, а исполняется во внутреннем или внешнем ОЗУ. Гибкая архитектура стирания AT26DF081A, поддерживающая минимальный стираемый объем памяти 4 кбайт, делает данную микросхему идеальной для приложений с функцией энергонезависимого хранения данных, исключая необходимость установки дополнительных внешних ЭСППЗУ.

Разделение на физические секторы и размеры стираемых блоков у AT26DF081A оптимизированы под потребности современных приложений с хранением программного кода и данных. За счет оптимизации размеров физических секторов и стираемых блоков память может использоваться более эффективно. Это объясняется тем, что для модулей программного кода и сегментов хранимых данных должны быть выделены их собственные сектора с отдельной защитой, поэтому, по сравнению с флэш-памятью с большим размером секторов и стираемых блоков в данном случае сокращается количество пустующих и незадействованных областей памяти. Улучшение эффективности использования памяти позволяет разместить в пределах равного объема памяти большее количество подпрограмм программного кода и сегментов хранимых данных.

AT26DF081A также поддерживает интеллектуальный механизм защиты отдельных секторов от ошибочного или несанкционированного программирования и стирания. Поддержка возможности раздельной установки и снятия защиты секторов позволяет реализовать приложение, в котором допускается изменение содержимого некоторых незащищенных секторов, а оставшиеся секторы массива памяти надежно защищены. Это необходимо, например, когда программа обновляется или модифицируется на модульной или подпрограммной основе или когда в одной микросхеме необходимо сочетать модифицируемые сегменты данных и сегменты программного кода, при этом, гарантировать невозможность несанкционированного изменения сегментов программного кода.

AT26DF081A рассчитана на работу в составе 3В-ых систем, поддерживая возможность чтения, программирования и стирания при напряжении питания 2.7В...3.6В. Для программирования и стирания не требуется подача отдельного напряжения.

Информация для заказа:

fSCK, МГц Код заказа Корпус Рабочий температурный диапазон
70 AT26F081A-SSU 8-выв. SOIC (ширина 0,15 дюймов) Промышленный (-40°C...+85°C)
70 AT26F081A-SU 8-выв. SOIC (ширина 0,209 дюймов)

Документация:

  584 Kb Engl Описание микросхемы
    Найти поставщиков вы можете перейдя по ссылке Каталог фирм микроэлектроники

поставщики электронных компонентов






 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники