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Ëèòåðàòóðà

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  164. Laska, T.; Matschitsch, M.; Scholz, W.; Porst, A.: .Ein neuer 600 V-NPT-IGBT mit 100 ƒÊm Chipdickeg 26. Kolloquium Halbleiter-Leistungsbauelemente und Materialgute von Silizium, Freiburg, 1997, Tagungsband, Vortrag 3
  165. Gottert; Thiede; u.a.: .Extremer Frequenztest fur IGBT-Moduleg 26. Kolloquium Halbleiter-Leistungsbauelemente und Materialgute von Silizium, Freiburg, 1997, Tagungsband, Vortrag 9
  166. Hofer, P.; Hugel, J.: .Zustandsuberwachung parallelgeschalteter IGBT/Diodenmoduleg 26. Kolloquium Halbleiter-Leistungsbauelemente und Materialgute von Silizium, Freiburg, 1997, Tagungsband, Vortrag 10
  167. Stockmeier, T.; Frey, T.; Herr, E.; et.al.: gZuverlassiges Hochleistungs-IGBT-Modul fur Traktionsanwendungenh, 26. Kolloquium Halbleiter-Leistungsbauelemente und Materialgute von Silizium, Freiburg, 1997, Tagungsband, Vortrag 18
  168. Zametzky, K.; Lutz, J.: .Praktische Erfahrungen beim Einsatz von Hybriddiodeng 26. Kolloquium Halbleiter-Leistungsbauelemente und Materialgute von Silizium, Freiburg, 1997, Tagungsband, Vortrag 22
  169. Berndes, G.: .Schottky-Dioden, ein wiederentdecktes Bauelement fur die Leistungshalbleiterherstellerg 26. Kolloquium Halbleiter-Leistungsbauelemente und Materialgute von Silizium, Freiburg, 1997, Tagungsband, Vortrag 25
  170. Held, R.; Kaminsky, N.; Niemann, E.: .Schottky-Dioden fur hohe Sperrspannungen auf der Basis von Siliziumkarbidg, 26. Kolloquium Halbleiter-Leistungsbauelemente und Materialgute von Silizium, Freiburg, 1997, Tagungsband, Vortrag 26
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