В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



Требования к полупроводниковым ключам и их драйверам

ZVS:

Силовые полупроводниковые приборы:

  • иметь возможность активного выключения и хорошего уменьшения мощности при выключении,
  • для IGBT: - короткое время жизни носителей заряда,
  • минимальное влияние температуры перехода на хвостовой заряд и время жизни носителей заряда,
  • малые выбросы напряжения во время включения при модуляции проводимостью с нулевым напряжением включения и подаваемым di/dt,
  • поскольку ZVS-диоды не выключаются с обратным восстановлением di/dt и в то же время принимают обратное напряжение, то требования к их параметрам обратного восстановления малы, по сравнению с жесткой коммутацией.

Схема драйвера:

Схема драйвера должна отвечать следующим минимальным требованиям:

  • активное выключение IGBT/MOSFET и
  • контроль напряжения на ключе и пассивное включение ZVS с vs 0 В.

Улучшенный ZVS режим:

Продолжительность процесса емкостной коммутации можно выразить так:

tKc (CK · vK)/iL

где:
CK: коммутационная емкость (емкость уменьшения мощности),
vK: коммутационное напряжение,
iL: ток нагрузки, который будет коммутироваться.

С малыми токами нагрузки процесс коммутации в мощных преобразователях может длиться слишком долго, что может подвергнуть опасности работу схемы. Этого можно избежать с применением улучшенных ZVS ключей, которые прекратят процесс коммутации после установленного максимального времени коммутации путем активного включения к не полностью разряженной коммутационной емкости, что приведет, однако, к возросшим потерям при коммутации.

На рис.3.81 показан принцип работы улучшенного ZVS.

Принцип улучшенного ZVS
Рис. 3.81. Принцип улучшенного ZVS

ZVS:

Силовые полупроводниковые приборы:

  • имеют возможность активного включения и хорошего уменьшения мощности при включении,
  • малую емкость силового полупроводника
  • для IGBT: - короткое время жизни носителей заряда,
  • минимальное влияние температуры перехода на хвостовой заряд и время жизни носителей заряда,
  • короткий период динамического насыщения при включении
  • для диодов: малый заряд обратного восстановления.

Схема драйвера:

Схема драйвера должна отвечать следующим минимальным требованиям:

  • активное включение IGBT/MOSFET и
  • контроль тока через ключ и пассивное выключение ZCS с is 0 А.

Улучшенный ZCS режим:

Продолжительность процесса индуктивной коммутации можно выразить так:

tKi (LK · iL)/vK

где:
LK: коммутационная индуктивность (индуктивность уменьшения мощности),
vK: коммутационное напряжение,
iL: ток нагрузки, который будет коммутироваться.

С малыми коммутационными напряжениями или большими токами нагрузки процесс коммутации в мощных преобразователях может длиться слишком долго, что может подвергнуть опасности работу схемы. Этого можно избежать с применением улучшенных ZCS ключей, которые прекратят процесс коммутации после установленного максимального времени коммутации путем активного выключения к не полностью разряженной коммутационной индуктивности, что приведет, однако, к возросшим потерям при коммутации. Кроме того, ZCS ключи можно оснастить защитой от перенапряжений почти в любом устройстве (см также рис.3.79 и п. 3.6.3).

На рис.3.82 показан принцип работы улучшенного ZCS.

Принцип улучшенного ZVS
Рис. 3.82. Принцип улучшенного ZVS



<-- Предыдущая страница Оглавление Следующая страница -->





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники