В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



Мягкая коммутация в ZVS или ZCS режиме / схемы уменьшения потерь коммутации

Требования и области применения

В настоящее время доминирующей технологией в преобразователях является топология на подаваемом постоянном напряжении. IGBT и MOSFET в таких схемах работают почти полностью в режиме жесткой коммутации, т.е. они рассеивают импульсы большой мощности на типичных частотах коммутации между 3 и 20 кГц (IGBT) или 50 кГц (высоковольтные MOSFET), соответственно.

Возрастание частот коммутации принципиально приведет к уменьшению размера и веса пассивных накопителей энергии (дросселей, конденсаторов, трансформаторов, фильтров).

Типичные области применения:

  • заряд батарей,
  • источники бесперебойного питания с потенциально-изолированным преобразователем постоянного напряжения,
  • обычные источники питания (импульсные БП),
  • PFC-схемы,
  • промышленные источники питания.

Если требуемая частота коммутации не может быть получена при жестком переключении, нужно уменьшить результирующую рассеиваемую мощность.

В основном существует два пути уменьшения потерь коммутации:

  • дополнительные цепи уменьшения потерь коммутации, с сохранением основной схемы,
  • мягкое переключение в ZVS или ZCS режиме.


<-- Предыдущая страница Оглавление Следующая страница -->





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники