Проблема разделения напряжения

Для повышения обратного напряжения силовых электронных ключей, IGBT и MOSFET могут быть подключены последовательно.

При последовательном включении силовых модулей, транзисторы и необходимые обратные диоды также последовательны. Так как последовательное включение быстрых диодов уже изложено в п. 1.3.5.1, далее будут рассматриваться только сложности включения IGBT/MOSFET.

Максимальное использование ключа в последовательном соединении может быть получено в случае идеальной статической (напр. в закрытом состоянии) и динамической (напр. в момент коммутации) симметрии одиночных ключей. Поэтому, оптимальные условия симметрии играют главную роль для последовательного соединения на практике.

На симметрию в основном влияют следующие факторы:

Причины статической асимметрии

В выключенном состоянии IGBT/MOSFET условия симметрии определены характеристикой запирания транзисторов, подключенных последовательно. Чем больше ток запирания транзистора или, в свою очередь, меньше сопротивление в закрытом состоянии, тем меньше напряжение на транзисторе, если он включен последовательно. Температурный коэффициент тока в закрытом состоянии для IGBT/MOSFET положительный, т.е. ток будет расти линейно с ростом температуры.

Причины динамической асимметрии

Все вышеупомянутые факторы, обусловливающие динамическую асимметрию, в результате приведут к отклонению времен переключения последовательных транзисторов. Транзистор, который выключится первым, и который включится последним, будет подвергаться большему напряжению и, следовательно, с большими потерями при коммутации. Превышение максимально допустимого напряжения транзистора должно предотвращаться способами, изложенными ниже.

---

---

Главная - Микросхемы - DOC - ЖКИ - Источники питания - Электромеханика - Интерфейсы - Программы - Применения - Статьи