В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



Проблема разделения напряжения

Для повышения обратного напряжения силовых электронных ключей, IGBT и MOSFET могут быть подключены последовательно.

При последовательном включении силовых модулей, транзисторы и необходимые обратные диоды также последовательны. Так как последовательное включение быстрых диодов уже изложено в п. 1.3.5.1, далее будут рассматриваться только сложности включения IGBT/MOSFET.

Максимальное использование ключа в последовательном соединении может быть получено в случае идеальной статической (напр. в закрытом состоянии) и динамической (напр. в момент коммутации) симметрии одиночных ключей. Поэтому, оптимальные условия симметрии играют главную роль для последовательного соединения на практике.

На симметрию в основном влияют следующие факторы:

Фактор Влияет на
Статическую симметрию Динамическую симметрию

IGBT/MOSFET параметры

   
iCES = f(vCE, vGE, Tj) или RDSS = f(vDS, vGS, Tj) x  
vGE(th) или vGS(th)   x
td(on), td(off), tr, tf (вместе с параметрами драйвера)   x

Цепь драйвера

   
Выходной импеданс драйвера (включая последовательные сопротивления затвора)   x
Общая индуктивность (внутри модуля + снаружи модуля)   x
Индуктивность цепи драйвера, через которую проходит ток коллектора/стока   x
Время прохождения сигнала в драйвере   x

Причины статической асимметрии

В выключенном состоянии IGBT/MOSFET условия симметрии определены характеристикой запирания транзисторов, подключенных последовательно. Чем больше ток запирания транзистора или, в свою очередь, меньше сопротивление в закрытом состоянии, тем меньше напряжение на транзисторе, если он включен последовательно. Температурный коэффициент тока в закрытом состоянии для IGBT/MOSFET положительный, т.е. ток будет расти линейно с ростом температуры.

Причины динамической асимметрии

Все вышеупомянутые факторы, обусловливающие динамическую асимметрию, в результате приведут к отклонению времен переключения последовательных транзисторов. Транзистор, который выключится первым, и который включится последним, будет подвергаться большему напряжению и, следовательно, с большими потерями при коммутации. Превышение максимально допустимого напряжения транзистора должно предотвращаться способами, изложенными ниже.



<-- Предыдущая страница Оглавление Следующая страница -->





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники