В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



Определение перегрева

Прямое измерение температуры перехода возможно только в случае, если датчик температуры очень близко расположен к полупроводниковому компоненту (напр. монолитная интеграция или при соединении кристаллов датчика температуры и силового полупроводника). Информацию о температуре затем можно получить при оценке запирающих токов диода или тиристора. Однако технологии такого рода до сих пор применялись только в smart-power компонентах.

Простые цепи ограничения напряжения на затворе
Рис. 3.66. Простые цепи ограничения напряжения на затворе [194]

В устройствах с транзисторными силовыми модулями температура измеряется снаружи модуля, с радиатора, или внутри модуля с помощью терморезисторов, находящихся рядом с силовым полупроводниковым кристаллом (напр. SEMIKRON SKiiP/MiniSKiiP).



<-- Предыдущая страница Оглавление Следующая страница -->





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники