Определение перегрева

Прямое измерение температуры перехода возможно только в случае, если датчик температуры очень близко расположен к полупроводниковому компоненту (напр. монолитная интеграция или при соединении кристаллов датчика температуры и силового полупроводника). Информацию о температуре затем можно получить при оценке запирающих токов диода или тиристора. Однако технологии такого рода до сих пор применялись только в smart-power компонентах.

Рис. 3.66. Простые цепи ограничения напряжения на затворе [194]

В устройствах с транзисторными силовыми модулями температура измеряется снаружи модуля, с радиатора, или внутри модуля с помощью терморезисторов, находящихся рядом с силовым полупроводниковым кристаллом (напр. SEMIKRON SKiiP/MiniSKiiP).

---

---

Главная - Микросхемы - DOC - ЖКИ - Источники питания - Электромеханика - Интерфейсы - Программы - Применения - Статьи