В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



OEM драйверы [225], [264], [272]

Следующая таблица представляет обзор большинства основных OEM-SEMIDRIVER и их основных возможностей.

А: одиночный драйвер
А: драйвер плеча моста (двойной)
I: импульсный трансформатор
FO: волоконно-оптическая связь
ОС: оптопара
D: драйвер для 3-фазного инвертора
L: драйвер для brake ключа
DL: драйвер 3-фазного инвертора и brake ключа
(): интерфес по выбору
*: верхний ключ (нижний ключ: 10 кВ/мкс)

Все SEMIDRIVER содержат:

  • источник питания +15 В с информационным потенциалом (SKAI 100 также 24 В); встроенный ИБП с изоляцией потенциалов,
  • 15 В СMOS и/или 5 B TTL-совместимые входы с гальванической развязкой на импульсных трансформаторах или оптопарах,
  • защита при коротких замыканиях через VCE или входные датчики тока (SKHIBS 01/02),
  • контроль снижения напряжения источника питания < 13 В,
  • память ошибок и выход обратной связи ошибок,
  • изменяемое время мертвой зоны для драйверов верхнего и нижнего плеч моста,
  • подавление коротких импульсов.

Для SKHI 24 и SKHI 22В можно не использовать мертвую зону между верхним и нижним и, таким образом управлять верхним и нижним ключами синхронно или в режиме перекрытия (напр. CSI топологии).

Рис.3.45 показывает, в каких случаях IGBT SEMITRANS могут управляться и на каких частотах с драйверами, написанными сверху каждой диаграммы. Для этого по ординатам показан номинальный ток IGBT IC@25°C. Диаграммы справедливы для SEMIKRON модулей с обозначениями напряжений и серийными номерами 063 (600В), 123 (1200В), и 173 (1700В). Для остальных IGBT модулей значения нужно адаптировать к входным емкостям IGBT, которые могут отличаться в зависимости от их поколения.

Токи и частоты коммутации IGBT SEMITRANS
Токи и частоты коммутации IGBT SEMITRANS
Рис. 3.45. Токи и частоты коммутации IGBT SEMITRANS



<-- Предыдущая страница Оглавление Следующая страница -->





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники