В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



Временные константы и функции блокировки

Подавление коротких импульсов

Когда трансформаторы импульсов или оптопары используются для изоляции потенциала управляющих сигналов, особенно нужно защитить драйвер от импульсов с малой амплитудой или коротких управляющих импульсов (помехи) которые могут испортить драйвер. Триггеры Шмидта, например, можно последовательно включить с изоляторами потенциала, которые подавят все сигналы включения и выключения с амплитудой ниже логического уровня (CMOS, TTL) или < 0.2.0.5 мкс. Подобное решение нужно применить и на вторичной стороне оптопар.

Мертвая зона при управлении плечом моста и блокировка при коротком замыкании плеча

MOSFET и IGBT одного плеча моста не должны включаться в одно время в цепях источника напряжения во избежание короткого замыкания плеча. В статическом состоянии этого можно избежать блокировкой обоих драйверов, даже если на входные сигналы драйверов действуют помехи (непригодно для цепей с источниками тока, так как от драйверов будет требоваться работа с перекрытием).

В зависимости от типа транзистора, применения и драйвера, мертвая зона может составлять 2...10 мкс.

Длительность селекторного импульса защиты от короткого замыкания при измерении тока стока или коллектора и напряжения сток-исток или коллектор-эмиттер соответственно

Если транзистор выключился из-за превышения одного из предельных значений, измеряется импульс тока включения. При контроле процесса обеднения в IGBT, нужно также учитывать характеристики напряжения динамического насыщения. В течение первых микросекунд времени включения, VCEsatdyn значительно возрастает по сравнению с VCEsat (рис.3.42). Поэтому, цепь контроля должна реагировать в соответствии с кривой VCEsat во время стробирования, как показано на рис.3.42. Для мягкой защиты от коротких замыканий, время стробирования должно составлять около 10 мкс макс. (см.п. 3.6).

Характеристика напряжения динамического насыщения IGBT и возможный уровень защиты Vref
Рис. 3.42. Характеристика напряжения динамического насыщения IGBT и возможный уровень защиты Vref



<-- Предыдущая страница Оглавление Следующая страница -->





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники