В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



Процессы в преобразователе

Процессы в преобразовательной системе будут всегда порождать нежелательные помехи при коммутации в силовых полупроводниках с одной стороны (рис.3.24) и нужное преобразование энергии в соответствии с обработкой сигнала с другой стороны.

Эти процессы можно разделить на высокоэнергетические, которые могут вызвать помехи в сети и нагрузке с частотами начиная от основной и примерно до 10 кГц, и низкоэнергетические, с частотами от 10 кГц и до 30 МГц, где начинает распространяться шум и, следовательно, непроводящий ток. В низкочастотном диапазоне эти эффекты называются обратной связью по сети в преобразователе, они обычно характеризуются дискретным гармоническим спектром тока примерно до 2 кГц. Свыше 10 кГц эти колебания называются радиопомехами, измеряются селективным методом в дБ/мкВ. Для узкого частотного диапазона, в котором работают современные силовые полупроводники, первая попытка была сделана при ознакомлении с процессом измерения и с предельными значениями. Различия между обозначениями, такими как нулевой ток, ток утечки или асимметричные помехи даны только в классификации на разные частотные диапазоны и в зависимости от частоты всех параметров коммутации.

Энергетические процессы в преобразователях
Рис. 3.24. Энергетические процессы в преобразователях [299]



<-- Предыдущая страница Оглавление Следующая страница -->





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники