В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов




 
конкурс статей Миландр

Корпуса и шкафы для электронного оборудования





Конструкция силовой части

MOSFET, IGBT или SkiiP силовые схемы сконструированы по печатной технологии, с помощью проводников или массивных медных или алюминиевых шин, в зависимости от коммутирующих токов или напряжений.

Кроме ознакомления с основными спецификациями, например при требовании к утечке по поверхности, расстоянию для образования дуги или плотности тока, требование к короткому времени коммутации в нано- и микросекундном диапазоне усложняет силовую конструкцию, что также относится и к высокочастотным требованиям.



<-- Предыдущая страница Оглавление Следующая страница -->



  


Главная - Микросхемы - DOC - ЖКИ - Источники питания - Электромеханика - Интерфейсы - Программы - Применения - Статьи


   
HTML PDF
Расширенный поиск
Имя
E-mail

 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел: +7 (495) 514 4110. e-mail:admin@eust.ru
© ООО Рынок Микроэлектроники