В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



Температурная модель охлаждающего устройства

При пояснении температурных характеристик силовых модулей в п. 1.4.2.2, теплоотвод в эквивалентной температурной блок-схеме показан только одним RC-элементом (Rthha, Zthha).

Однако, с возрастанием рассеиваемой мощности при t = 0 от Р = 0 до Р = Рm, характеристика переходного температурного импеданса теплоотвода Zthha от времени разбивается на несколько временных констант как показано на рис.3.16 в качестве примера. Характеристика общего температурного импеданса Zthja(t) конструкции может быть определена дополнением графика характеристиками температурного импеданса силового модуля и теплоотдачей радиатора.

Zth(t) - кривые можно построить при суммировании кспоненциальных функций при помощи уравнений:

Количество u и Rthu - и - tu - значений выбирается так, чтобы можно было выполнить достаточную аппроксимацию характеристики без дополнительных сложных расчетов, независящих от физической структуры. Один из методов итерации, например, описан в [266].

Значения для моделирования, данные SEMIKRONом, и кратко упомянутые в этих разделах, основаны на модели с 4-временными константами (u = 4).

<-- Предыдущая страница Оглавление Следующая страница -->





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники