В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



Температура перехода при кратковременной работе

Кратковременная работа позволяет проводить большие токи в силовых полупроводниках, чем приведенные в справочных данных для продолжительной работы. Однако, возникающая при этом большая температура перехода не должна превышать максимальное значение 150°С. Температуру перехода можно рассчитать при помощи формул 3.9 и 3.10 в п. 3.2.2.1.

Примеры:

Единичный импульс мощности

Зависимость от времени рассеиваемой мощности и температуры перехода при единичном импульсе мощности
Рис. 3.9. Зависимость от времени рассеиваемой мощности и температуры перехода при единичном импульсе мощности

Максимальное значение температуры перехода при t1:

Температура перехода в период охлаждения:

Эти формулы основаны на постоянной номинальной температуре корпуса.

Единичная последовательность m импульсов мощности

Зависимость от времени рассеиваемой мощности и температуры перехода при единичной последовательности m импульсов мощностиЗависимость от времени рассеиваемой мощности и температуры перехода при единичной последовательности m импульсов мощности
Рис. 3.10. Зависимость от времени рассеиваемой мощности и температуры перехода при единичной последовательности m импульсов мощности

Значение температуры перехода при t1:

Значение температуры перехода при t2:

Значение температуры перехода при tm:

Эти формулы основаны на постоянной номинальной температуре корпуса.



<-- Предыдущая страница Оглавление Следующая страница -->





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники