В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



Заданный мягкий режим в случае отказа модуля

При поломке модуля (вероятно вызванной плохим драйвером) будет передана общая энергия, сохраненная в электролитических конденсаторах, например, во внешних цепях питания. После перегорания внутренних проводов эта энергия сохраняется прямо в возникшей дуге, из-за которой модуль взрывается.

В обычных транзисторных модулях это может повлечь разрыв цепи, короткое замыкание основных выводов или даже пробой изоляции; дуга и частицы корпуса могут распространиться вокруг модуля с большой кинетической энергией.

При специальной конструкции корпуса опасность можно снизить и распространение частиц направить в определенную сторону. Последние разработки в этой области гарантируют, например, что до определенного уровня энергии около 15 кДж частицы модуля не распространяются вокруг; даже при 20 кДж корпус может пробиться, но никаких твердых металлических частиц не проникнет в окружающее пространство [196].



<-- Предыдущая страница Оглавление Следующая страница -->





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники